電子接頭英文的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

電子接頭英文的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦陳信正,葛慶柏寫的 汽車工業英文 最新版(第三版) 附MOSME行動學習一點通:影音 和鄭榮貴,鄭錦鈞,謝進發的 基本電學實驗 最新版 附贈MOSME行動學習一點通都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自台科大 和台科大所出版 。

長庚大學 電子工程學系 金國生所指導 蔡祺恩的 具低旁波瓣位準之60 GHz貼片天線設計 (2021),提出電子接頭英文關鍵因素是什麼,來自於天線陣列、低旁波瓣、基板整合波導、不等分Y形功分器。

而第二篇論文明志科技大學 工業設計系碩士班 許定洋、郭啟全所指導 楊欣宜的 運用田口方法探討具有較佳透氣度射出成型模具之最適製程參數 (2021),提出因為有 田口方法、選擇性雷射熔融、模具、塑膠射出成型的重點而找出了 電子接頭英文的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了電子接頭英文,大家也想知道這些:

汽車工業英文 最新版(第三版) 附MOSME行動學習一點通:影音

為了解決電子接頭英文的問題,作者陳信正,葛慶柏 這樣論述:

  本書共分為五個部分,第一部分為緒論,主要對汽車各系統作一概述;其餘為引擎系統、傳動系統、底盤、車身電系及空調四個部分,在此四個部分中,對工作原理、機件認識及作動均作一詳述,並於各小單元學習結束後,均有一總結性評量的試題供同學作複習之用。     每一個部分中的小單元內容,除以英文敘述外,同時配合文字加上插圖,使同學在閱讀課文時,能利用構造圖及作用圖來加深印象,附圖中亦同時標有中英文對照之說明,使同學能便於理解。對於課文中較艱深的英文字彙均加黑及標示號碼,同學可立即查對課文旁的字彙,字彙也同時附上音標,使同學容易學習且能立即理解,並能便於閱讀。

電子接頭英文進入發燒排行的影片

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具低旁波瓣位準之60 GHz貼片天線設計

為了解決電子接頭英文的問題,作者蔡祺恩 這樣論述:

中文摘要……………………………………………………………….…..…i英文摘要……………………………………………………………………...ii目錄…...……………………………………………………………………....iv圖目錄………………………………………………………………………...vi表目錄………………………………………………………………………...xi第一章 序論……………………………………………………………..…11-1 前言…………………………………………………………………11-2 研究動機與目的……………………………………………………21-3 論文內容大綱……………………………

…………………………4第二章 貼片天線與旁波瓣抑制原理介紹………………………….……52-1 貼片天線介紹…………………………….……………………..…52-2 陣列天線理論……………………………………….……..………102-3 旁波瓣位準介紹……………………………………………….…122-4 Dolph-Chebyshev分佈介紹………………………………...……13第三章 具Dolph-Chebyshev分佈之810貼片陣列天線設計……..…213-1 具25 dB Dolph-Chebyshev分佈110貼片子陣列設計…...…213-2 SIW基板合成波導原理與

設計…………………………………313-3 具25 dB Dolph-Chebyshev分佈SIW饋電網路設計……...…373-4 具Dolph-Chebyshev分佈810貼片陣列天線設計.…………503-5 波導輸入端介面設計…...........................................................…613-6 天線實做及量測結果………..……………………………….…69第四章 菱形排列低旁波瓣貼片陣列天線設計……………………...…..744-1 菱形排列貼片陣列分析…………………………………...……..754-2 菱形排

列低旁波瓣貼片陣列天線設計.…………………………764-3 天線實做及量測結果………..…………………………………102第五章 結論…………………………………………………..……………107參考文獻……………………………………………………....……….…...108 圖目錄圖2-1 矩形貼片天線結構圖……………………….........…….....……..7圖2-2 貼片天線結構側視圖之結構圖………………………………...7圖2-3二維平面天線陣列組態圖…………………….......….…...……10圖2-4 Chebyshev多項式T_m (z)函數圖…….....…………………..

…...15圖2-5 25 dB Dolph-Chebyshev分佈之陣列因子圖: (a) 10單元,(b) 8單元……………………........…….………………………….…20圖3-1 1  10不等寬串聯貼片陣列天線結構圖: (a) 3D視圖,(b) 側視圖,(c) 尺寸標示圖.........…….……………………………..25圖3-2 等效三埠模型: (a) 微帶線饋電之輻射貼片單元組態,(b) 等效三埠網路…………………….......…….…..................……26圖3-3 圖3-3 單元貼片表面電流分佈圖………………………..........26圖3-

4 貼片單元寬度變化之模擬響應圖: (a) |S21|,(b) |S11|)相位.......27圖3-5 槽孔饋電於微帶線:(a) 3D結構,(b)俯視圖.......…..…….....33圖3-6 槽孔耦合180功分器輸出埠相位差.......…….…..……………34圖3-7 1  10貼片子陣列模擬之S11響應………...........……..……….35圖3-8 1  10貼片子陣列於60 GHz之模擬輻射場型圖: (a) E-plane,(b) H-plane......……………...……………………….….36圖3-9功分器設計簡圖: (a)三柱上下移動P距離,(b)

單柱左右移動Q距離,(c)三柱左右移動R距離,(d)下兩柱微調S距離........39圖3-10 SIW功分器結構圖及尺寸標示: (a) EPD,(b) UPD1,(c) UPD2,(d) UPD3..………………...............................................42圖3-11 EPD之模擬結果: (a) S參數,(b) 相位結果.......................43圖3-12 UPD1之模擬結果:(a) S參數,(b) 相位結果.......……........44圖3-13 UPD2之模擬結果:(a) S參數,(b) 相位結果...

....…………45圖3-14 UPD3之模擬結果:(a) S參數,(b) 相位結果.......................46圖3-15 SIW一分八饋電網路結構圖: (a) 3D視圖,(b) 側視圖,(c) 尺寸標示圖.......………………………..….….............................47圖3-16 SIW一分八饋電網路S參數響應: (a) 振幅,(b) 相位.......49圖3-17 8  10貼片陣列天線結構圖: (a) 3D視圖,(b) 側視圖,(c) 圖(a)虛線圓框標示之局部電路尺寸............................

..............53圖3-18 不等寬貼片陣列表面電流圖…................................................54圖3-19 改變SIW耦合槽孔長度SL模擬S11圖……………………..55圖3-20 改變SIW耦合槽孔寬度SW之模擬S11圖..............................55圖3-21 改變匹配金屬柱距離vd之模擬S11圖.......……..……………56圖3-22 改變匹配金屬柱位置vsd之模擬S11圖…...............................57圖3-23 8  10不等寬貼片陣列

天線之模擬S11響應............................58圖3-24 8  10貼片陣列天線於60 GHz之模擬輻射場型圖: (a) E-plane,(b) H-plane.................................................……………..59圖3-25 8  10等寬貼片陣列天線俯視圖..............................................60圖3-26 8  10等寬貼片陣列天線之模擬S11響應………....................60圖3-27 8  10等寬貼片陣列天線

於60 GHz之模擬輻射場型...........61圖3-28 波導管轉SIW之轉接結構: (a) 3D圖,(b) 俯視圖...............63圖3-29 波導管轉SIW轉接結構之S參數圖…………………………64圖3-30 不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)之結構圖.…………….66圖3-31 810不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)之模擬S11響應...67圖3-32 810不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)於60 GHz之模擬輻射場型圖: (a) E-plane,(b) H-plane......…………………..68圖3-33 810貼片陣列天線實體電路圖: (a)正

面,(b)反面.................69圖3-34 WR-15波導管接頭.......………………………………………..70圖3-35 基板翹曲側視圖.......…………………………………………..72圖3-36 不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)之S11模擬與量測響應比較圖.......…………………..………..………………………72圖3-37 810不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)於59.5 GHz之量測與模擬輻射場型比較圖: (a) E-plane,(b) H-plane................73圖4-1 1  10等寬串聯貼片線陣列天線結構圖: (a)

3D視圖,(b) 側視圖.......…….………………………………..………………….78圖4-2 1  2貼片線陣列俯視圖.....................................................…….79圖4-3 1  2貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖,(b) 60 GHz輻射場型圖………………………………………………………………...79圖4-4 貼片線陣列俯視圖: (a) 14,(b) 16,(c) 18,(d) 110…...80圖4-5 1  4貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖,(b) 60 GHz輻射場型圖………………

………………………………………………...81圖4-6 1  6貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖,(b) 60 GHz輻射場型 圖.......…………………………………………………………....82圖4-7 1  8貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖,(b) 60 GHz輻射場型 圖..........................................................................................….....83圖4-8 1  10貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖,(b) 60 GHz輻射場型 圖…

……..........………………………………………………….84圖4-9 菱形排列貼片陣列天線: (a) 俯視圖,(b) 表面電流圖...…85圖4-10菱形排列貼片陣列天線: (a) 3D圖,(b) 側視圖,(c) 圖(a)中橢圓虛線框標示之局部電路尺寸.............……………………..88圖4-11 改變SIW耦合槽孔SL’長度之模擬S11圖....………………..89圖4-12 改變SIW耦合槽孔寬度SW’之模擬S11圖…………………89圖4-13 改變匹配金屬柱距離vd’之模擬S11圖………………………90圖4-14 改變匹配金屬柱位置vsd’之模擬S11圖………………

…..…90圖4-15 菱形排列貼片陣列天線模擬S11響應……...…………………91圖4-16 以HFSS場量計算機計算單元貼片電流數值之示意圖: (a) 需計算電流數值之貼片示意圖,(b) HFSS場量計算機………..93圖4-17 菱形排列貼片陣列天線於60 GHz之模擬輻射場型圖: (a) E-plane,(b) H-plane……...…………………………………....96圖4-18 8  10等均勻貼片矩形陣列與菱形排列貼片陣列天線輻射場型比較圖: (a) E-plane,(b) H-plane…………………………97圖4-19菱形貼片陣列天線加入波導輸入端之結構圖………..……

...99圖4-20 菱形排列貼片陣列天線(含波導輸入端)之S11模擬響應….100圖4-21 菱形排列貼片陣列天線(含波導輸入端)於60 GHz之模擬輻射場型: (a) E-plane,(b) H-plane…………………………….101圖4-22 菱形排列貼片陣列天線實體照片: (a) 正面,(b) 反面…..104圖4-23 基板翹曲側視圖.....................................................................105圖4-24 菱形排列貼片陣列天線(含波導輸入端)之S11模擬與量測響應比較圖…………………………………………

…………105圖4-25 菱形排列貼片陣列天線(含波導輸入端)於59 GHz之量測與模擬輻射場型比較圖: (a) E-plane,(b) H-plane……….106表目錄表2-1 25 dB 8單元與10單元Dolph-Chebyshev電流振幅分佈值..19表3-1 10單元25-dB Dolph-Chebyshev分佈………………....……...28表3-2 對應25-dB Dolph-Chebyshev分佈之貼片寬度及S參數…...28表3-3不等寬貼片單元尺寸參數……………………….……...…...…29表3-4 Dolph-Chebyshev能量分佈與Radiated P

ower比較表…….…30表3-5 SIW結構尺寸 …………………………..….…………….……32表3-6 SIW一分八饋電網路尺寸參數 ………..….…………….……48表3-7 8  10不等寬貼片陣列天線槽孔及匹配柱尺寸……………....57表3-8 波導輸入端介面尺寸參數………………………………..……64表4-1菱形排列陣列貼片陣列天線槽孔、匹配柱尺寸參數…………91表4-2 菱形排列貼片陣列之電流數值表 ………………..….…..……94

基本電學實驗 最新版 附贈MOSME行動學習一點通

為了解決電子接頭英文的問題,作者鄭榮貴,鄭錦鈞,謝進發 這樣論述:

  一、各章節首安排內容簡介、本章節次及學習目標,提供學生課前掌握學習重點。   二、全書採用數百幅精緻全彩圖片,說明相關原理,讓學生可以簡易學習艱澀理論。   三、豐富彩圖的完美呈現,結合了照相和繪畫技術的彩圖,表現出巨觀和微觀的藝術美學,讓讀者在閱讀之餘也能擁有視覺上的享受。   四、每一實習後的「學習摘要」及「問題討論」,能正確協助學生掌握全章關鍵觀念,提升學習效能,並讓學生進行問題研討,強化並延伸實習目的。   五、每一章後的「課後習題」,依各實習順序編排,適合學生循序複習。

運用田口方法探討具有較佳透氣度射出成型模具之最適製程參數

為了解決電子接頭英文的問題,作者楊欣宜 這樣論述:

模具是現代工業射出成形中常見的一種量產工具,但也會因為模具的設計而產生成品有包風等缺陷,目前通常會製作排氣溝槽或運用具有排氣功能之鋼材來克服,但礙於鋼材的規格制訂與氣體跑動不確定性,故在包風問題解決上仍有長足進步的空間。因此,如何製作兼具機械性質與透氣度之射出成型模具,變成一個重要研究方向。本研究運用選擇性雷射熔融印製實驗試片並運用田口方法來探討兼具機械性質與透氣度之射出成型模仁最適製程參數,並製作塑膠射出成型模具及模仁,進行塑膠射出成型及驗證其效益,最後提出可以製作兼具機械性質與透氣度之射出成型模具最適製程參數。 研究結果發現,可以製作兼具機械性質與透氣度塑膠射出成型模具及模仁之選擇

性雷射熔融最適製程參數為層厚 30 µm、雷射間距 141 µm、掃描速度 220 mm/s 以及雷射功率 50 W。影響塑膠射出成型模具之機械性質與透氣度之最重要製程參數為層厚,其次為雷射間距。本研究成果具備產業利用性與工業實用價值,因本研究成果可以提供新產品於研發階段所需之具有排氣功能之塑膠射出成型模仁。