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2023數位科技概論與應用[歷年試題+模擬考]：根據108課綱編寫(升科大四技二專)

為了解決電子學台大的問題，作者甄帥,林柏超 這樣論述：

　　◎整合相關考題，熟悉各種出題情境 　　◎十回模擬試題‧增加實戰經驗 　　◎收錄近年試題‧名師重點解析 　　本書依據108課綱編寫，特別為參加統測的同學設計一系列的題目，包含主題式實力加強題庫、全範圍綜合模擬考及近年試題彙編，全新編寫適合新課綱素養的各類題型，讓本書不僅提供完整的考試題型，而更加豐富、靈活，讓你面對多變的考題，也能游刃有餘。如能仔細練習這些題目，必能熟悉各種出題情境，迅速解題獲得高分。希望藉由本書的題目，能讓同學在升學考試方面得到助益。 　　數位科技概論與應用的範圍太廣，所以有很多不同的名詞需要熟記，而且數位科技概論與應用是一門日新月異的科學，隨時都會

有新的名詞出來。要特別注意一些容易混淆的縮寫簡稱，像是GPS全球衛星定位系統（Global Position System, 簡稱GPS）、UPS不斷電系統（Uninterruptable Power Supply，簡稱UPS）及AR（擴增實境）、VR（虛擬實境）。雖然只差一個英文字母，但所指的東西卻完全不同。但是同學們不用害怕，考試不會考太艱難又不常見到的單字，只需要將常見的名詞記住，相信就可以駕輕就熟。 　　數位科技概論與應用中的硬體架構算是必考的題目之一，硬體指的就是看得到摸得到的東西，因此在日常生活的時候只要我們多去使用，就可以知道書本上指的東西到底是什麼，加深自己的印象，還有硬體的

規格一定要很清楚，像是CPU 2.5GHz指的是CPU的時脈，硬碟的容量可以用MB、GB或是TB來計算等。 　 　　在軟體方面，最常考的是微軟所出的應用軟體，不管是在作業系統Windows系列，或是文書處理軟體像是Word、Excel等都是必考題，這些應用軟體不只在考試的時候相當重要，在之後就業也是必備的技能之一，要熟悉這些軟體就是要常去使用，多去學習，這樣才可以知道像是貼上檔案要用鍵盤中的Ctrl+V，Excel中的Average函數是用來算平均值等這些功能。 　　在數位科技概論與應用中，程式語言算是比較艱難的一部份，常考的題目以BASIC為最大宗，所以同學想要在程式語言部份拿高分，必須要

深入去了解一些關於程式的定義，像是IF的架構、DO While ..Loop怎麼用等。 　　近代科技最大的突破大概就是網際網路的普及了，因為網路改變了我們許多生活的習慣，也帶來了很大的便利，這部分在數位科技概論與應用裡會不斷的更新，像是網路搜尋引擎、電子商務等等都需要好好的研讀，多上網體驗一下書本中的知識就可以將知識烙印在腦海中。 　　＊＊＊＊ 　　有疑問想要諮詢嗎？歡迎在「LINE首頁」搜尋「千華」官方帳號，並按下加入好友，無論是考試日期、教材推薦、解題疑問等，都能得到滿意的服務。我們提供專人諮詢互動，更能時時掌握考訊及優惠活動！

量子科技革命：Q世代的未來

為了解決電子學台大的問題，作者張慶瑞 這樣論述：

　　0是萬事萬物的起點，兩個00連在一起，就變成∞。0與0之間看起來也像兩個糾纏量子對，今天起，地球將由古典地球邁向量子地球，也將導引人類邁向無限可能的未來。祖先花了幾千年時間才由古典的世界的0開拓成寬廣的現在，全世界卻都剛開始由量子的0走向未來的量子∞！這是有史以來未有的良機，也是Q世代的獨有特權。本書分三大篇，分別介紹基礎知識與歷史背景，目前的發展現況，以及未來的可能與必有的認識。由常識介紹量子科技的重要，所有人都要了解量子知識與常識，因為未來世界是量子生態環境。量子科學的許多概念與人類熟悉的現有世界確實不同，本書也嘗試在量子教育與遊戲，量子策略與人文及哲學方面引起的變化略加介紹。

  　　【第二次量子科技革命】已經啟動，量子電腦、量子通訊與量子感應器的出現，進而將形成量子物聯網，這也是未來〔元宇宙〕的必要硬體架構。過去人類從自然中學習科學，利用已有材料創造多次工業革命改善人類生活。【第二次量子科技革命】中，人類進一步使用量子科學架構量子工程，製作出自然所沒有的材料與元件，組合出嶄新量子機器來造福人類！量子科技是要藉由科學、技術、工程、藝術與數學（STEAM）的跨領域整合才能真正全面發展。量子科技成熟後會由科技應用衝擊人文與哲學新思維，也將推動人類文明的再進化。廿一世紀的量子科技交響樂將會讓過去原有的各種知識獨奏為之相形失色。在由古典到量子世界的轉變過程中，積極

參與才是唯一途徑，本書提供大眾一把打開量子科技大門的鑰匙，讓願意成為Q世代的現代公民參與宇宙大爆炸以來最盛大的科技盛宴。

應變矽基合金反轉層之載子遷移率研究

為了解決電子學台大的問題，作者謝秉峰 這樣論述：

使用新穎的矽基材料(如矽碳和矽鍺合金材質)製作金氧半場效電晶體，可達到成本低廉且製程完全相容的優勢。因此，本論文著重在使用新穎的矽基通道材料於MOSFETs的反轉層載子遷移率方面。首要的重點為矽基MOSFET反轉層中載子遷移率的能帶理論計算及實驗量測。我們在應變矽MOSFET元件中採用三種不同的通道材料：矽碳、矽鍺合金和鍺(較高極限的矽鍺合金與100%的鍺含量)做比較。接著，介紹矽碳合金的特性及應變矽碳通道NMOSFET元件。在PMOSFET元件方面，我們則研究應變矽鍺合金和純鍺兩種材料。同樣地，採用應變矽鍺和鍺通道於PMOSFETs。 探討前瞻應變矽金氧半場效電晶體於矽碳合金

材料的特性且研究使用應變矽碳合金表面通道於NMOSFETs。採用超高真空化學氣相氣相沉積(UHVCVD)系統，以CH3SiH3作為矽和碳的成長氣源，在(110)矽基板上摻入少量的(~1%)碳含量成長伸張應變矽碳層。我們利用標準MOS製作過程於NOMSFTTs元件與降低熱預算是為了盡可能維持最小的應變鬆弛。我們在矽基板上的矽碳合金薄膜採用倒置空間圖分析應變的分佈。在室溫下，矽碳和矽標準元件的電子反轉層遷移率做比較。採用在伸張應變矽上成長鬆弛矽鍺層所製做的NMOSFETs，可觀察到電子遷移率的增加。在低溫下，矽碳元件的電子反轉層遷移率低於標準矽元件並顯現受到電荷所影響且也可能是隨機合金散射。

我們亦研究電洞遷移率於矽鍺合金反轉層。採用量子化k.p方法於矽鍺合金反轉層之中且使用Kubo-Greenwood公式計算電洞遷移率。藉由擬合量測低電場遷移率的矽和鍺來校正計算用到的模型參數。我們研究在(100)、(110)與(111)基板上之未受應變和雙軸應變矽鍺反轉層的合金極限遷移率。我們也闡述了矽與鍺於(100)、(110)與(111)PMOSFET之外機械單軸應力的影響。我們萃得矽和鍺的壓阻係數，施額外的機械單軸應力在(100)、(110)與(111)的PMOSFET於平行和垂直通道方向。 最後，我們研究成長於矽基板上之應變鍺通道的電洞遷移率。與研究鍺(110) PMOSFET於

未應變與應變的次能帶結構及各種等效質量。我們以理論方式來研究PMOSFET於應變鍺(110)反轉層的等效質量與遷移率。計算上這裡考慮的應變條件主要成長於(110)矽基板上之鍺通道所引起的雙軸壓縮應變。此外，我們也考慮垂直等效電場所引起的量子侷限效應，進而擬合k.p方法所計算的次能帶結構的結果。我們計算在(110)矽基板上的應變鍺通道反轉層之電洞狀態密度等效質量(density of state effective mass, mc)、電導質量(conductivity mass, mσ)和量子化有效質量(quantization effective mass, mz)的影響。