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另外網站電子元件- 维基百科，自由的百科全书也說明：使用多個或多種類型的被動元件組成的複合電路元件，英文稱為Network，但中文裡通常不使用網路這種稱呼。 排阻或電阻排. 憶阻器（Memristor）[编辑].
這兩本書分別來自深智數位 和全華圖書所出版 。
國立政治大學 日本研究學位學程 李世暉所指導 郭品鋒的 科技冷戰與日本半導體產業之研究 （2021），提出電子元器件英文關鍵因素是什麼，來自於中美科技冷戰、日本半導體供應鏈、產官學合作。
而第二篇論文東海大學 電機工程學系 苗新元所指導 魏廷祐的 以面積結構效應改善奈米碳管薄膜蕭基二極體逆向偏壓之研究 （2021），提出因為有 氮化鎵、奈米碳管、蕭基二極體的重點而找出了 電子元器件英文的解答。
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既會用也了解：最新一代5G核心技術加強版
為了解決電子元器件英文 的問題，作者OPPO研究院,沈嘉,杜忠達,張治,楊寧,唐海 這樣論述：
★由 40 多位全球領先手機製造商 3GPP 標準代表親筆撰寫 ★5G✕萬物互聯✕智慧載體✕全球高速覆蓋✕元宇宙✕無線取代有線 台灣在邁向 IT 科技主導國家政策的今日， 通訊將會是和半導體相同重要的技術， 在真正進入全球高速覆蓋的將來， 5G 與 5G 增強技術等終將成為你最紮實的硬知識基礎。 今日 5G 選擇的技術選項， 是在特定的時間、針對特定的業務需求的成熟技術， 當未來業務需求改變、裝置能力提升， 以這些技術為基礎，在設計下一代系統（如 6G）時， 有機會構思出更好的設計。 ◎想要透過資深工程師視角第一線深入推動大部分 5G
技術設計的形成嗎？ ——如果你想從第一線大廠的工程師中一窺 5G 的奧祕， 知悉諸多現行 5G 技術方案、各個方向的技術遴選、特性取捨、系統設計的過程， 或是想了解 5G 技術 3GPP - R15／R16／甚至是 R17 最關鍵技術未來指引， 本書將會是你最好的選擇！ 你將在本書學會… ～5G 技術 R15 至 R16 最關鍵技術與標準化選項最完整說明～ ● R15 標準的關鍵技術：核心針對 eMBB 應用場景，並為物聯網產業提供了可擴充的技術基礎 ● R16 版本增強技術特性 - URLLC - NR V2X - 非授權頻譜通訊 - 終端節
能……等 ● 5G 標準化選項 - 性能因素 - 裝置實現的複雜度 - 訊號設計的簡潔性 - 對現有標準的影響程度……等 ● 簡單介紹 R17 版本中 5G 將要進一步增強的方向
科技冷戰與日本半導體產業之研究
為了解決電子元器件英文 的問題，作者郭品鋒 這樣論述：
隨著中國勢力在全球版圖擴張之下，2018年初開始，美國對中國實施一系列的貿易制裁，除了課徵各商品進口關稅外，也擴展到科技層面的打壓，例如，美國對華為5G技術以及各國對中國半導體產業供應上的限制，使得全球半導體產業供應鏈產生變化，也成為中美科技冷戰的開端。中美貿易及科技衝突升溫之外，2020年爆發全球新冠病毒疫情，全球經濟產生劇烈的變化，人類生活模式的改變，導致遠距需求等電子產品需求大升，意外的帶動全球半導體產業蓬勃發展。似曾相似的是，1990年代中後期日本曾經是全球半導體市佔率第一的國家，經過與美國一系列的談判與協議後，逐漸步入沒落，僅剩半導體原料與設備製造仍維持世界龍頭地位。中美科技冷戰之
際，世界各國意識到半導體產業對於科技、國防安全等層面之重要性，紛紛在中美之間選邊站，尋求自身半導體供應鏈的完整與穩定。以日本來說，經貿上長期與中美兩國互動頻繁，但國際戰略上整體是與美國靠攏，響應美國對中國制裁的各項政策，並與以美國為首的民主盟國合作，其中包括台灣更是重點合作對象之一。日本境內則是大力推動產官學合作，希望能讓企業端、教育機構與政府部門三方合作，由內而外的建構半導體人才與技術的成長網絡，試圖重振日本半導體產業昔日榮景。
光電子學：原理、元件與應用(第六版)
為了解決電子元器件英文 的問題，作者林螢光 這樣論述：
光電科技及光電裝置已大量應用在各種產業之中，本書介紹各類光電裝置之工作原理與光電轉換機制；有雷射原理與控制雷射光的方法、檢光器原理、半導體雷射、光波導器件等等。內容涵蓋主要之光電裝置，為一本廣度充足、深度適中的讀本！本書適用於大學、科大電子、電機系或研究所和產業界對光電有興趣之工程、研發人員使用。 本書特色 1.本書內容資料新穎並種類寬廣，是研習光電科技者最佳選擇。 2.本書介紹各類光電裝置之工作原理，分別有雷射原理與控制雷射光的方法、光檢器原理、顯示器、半導體雷射、光波導器等。是一本廣度充足、深度適中的讀本！ 3.中文編寫之高科技圖書，流暢易讀，學
習效果更甚市售英文光電書籍。
以面積結構效應改善奈米碳管薄膜蕭基二極體逆向偏壓之研究
為了解決電子元器件英文 的問題，作者魏廷祐 這樣論述：
金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。主要用於將發電設備所產生電壓和頻率雜亂不一的電流，透過一系列的轉換調製變成擁有特定電能參數的電流，以供應各類終端電子設備，成為電子電力變化裝置的核心元件之一。MOSFET依照其通道極性的不同，大多可分為電子占多數的N通道型半導體與電洞占多數的P通道型。MOSFET主要是利用電場效應來控制電流，使一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。但MOSFET所處在強大電場環境的情況下，內部界面會容易產生極大的電場集中，而導致元件的界面被擊穿。為了解決電場集中擊穿元件的問題，人們發現在MOSFET結構裡加入PN
P或NPN結構的雙極性電晶體，去拉平其電場改善元件被擊穿的問題，因而發展出了IGBT這種擁有驅動電流小，導通電阻也很低的元件。但在MOSFET裡加入雙極性電晶體不只成本高、製作程序也相當繁雜，一般廠商較難負荷此成本。所以本實驗想到利用相同特性的蕭基二極體來取代，但蕭基二極體的逆向偏壓低且漏電流大，因而我們在二極體當中加入奈米碳管液，CNT蒸乾後呈薄膜狀，CNT是奈米級的良好導體，可以在元件施加逆向偏壓，使電場集中於終止邊緣的效應放大(Edge Termination)時，利用其特性將電場拉平，藉以提升逆向偏壓，有效平衡電場，故可以解決因電場集中而讓元件界面被擊穿的問題，因此發展出了許多終端結構
[3]。我們為使其增加二極體的逆向偏壓，使用黃光微影製成在氮化鎵基板及CNT薄膜上蒸鍍Ni/Au形成蕭基及歐姆接面來量測，希望能產出結構簡單，又能保留IGBT優點的元件。根據[1]，噴塗CNT後，以超音波震盪機加溫蒸乾，並選用金屬Ni跟Au分別來製成蕭基與歐姆介面，再以光罩定義圖型結構。本實驗加入CNT後，可將原本逆向偏壓-40V提升至-100V左右；改變元件結構後加入CNT，能將原本逆向偏壓-2.5V提升至-10V左右。CNT如我們所預期的，能夠提升元件逆向偏壓，延緩元件被電場擊穿的問題。