雙氧水分解催化劑的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

半導體蝕刻廢液與高濃度有機廢水整合與資源化利用

為了解決雙氧水分解催化劑的問題，作者董育豪 這樣論述：

在全球科技加速發展下，許多先進技術皆須仰賴半導體所製造的晶圓，而晶圓半導體為國內重要高科技產業，製程常同時產生大量蝕刻廢水及含去光阻有機廢液。含過氧化氫的蝕刻廢液具有腐蝕性及高氧化力等特性，在後端處理具有危險性；去光阻廢水則多含有高濃度如超過百萬mg/L化學需氧量(chemical oxygen demand，COD)而不易有效處理。本研究以廢水廢液資源化再利用之角度，嘗試整合實廠高濃度過氧化氫蝕刻廢水及高濃度COD去光阻廢液之處理，利用蝕刻廢水中過氧化氫具強氧化力特性搭配紫外光（ultraviolet，UV），以高濃度N-甲基吡咯烷酮（N-methyl-pyrrolidinone，NMP）

去光阻廢液為目標，探究利用此廢水廢液組成以高級氧化程序去除水中COD濃度之最佳操作條件，後續嘗試添加催化劑利用光芬頓法以提高COD的去除效率。結果顯示，將蝕刻廢液與去光阻廢水混合後搭配UV光照射，可將COD去除率由7%提高至16%（去除濃度約2.7×10^4 mg/L）；以不同波長之UV進行測試，當波長在254 nm時，可觀察到此廢水廢液混合具有較佳COD去除率（約18%，去除濃度約8.8×10^4 mg/L）。考量光照波長、混合比例、反應時間、過氧化氫濃度、反應pH及光照強度等最佳化因素，混合兩股廢水廢液後，初始過氧化氫濃度約為9.2×10^4 mg/L，以8W波長為254 nm之UV光照射

反應1小時，COD去除率可達約53%，濃度自3.4×10^5 降至1.6×10^5 mg/L；以光芬頓法搭配含鐵之化合物作為催化劑，以廢水中含4 mM之三價鐵離子效果最佳COD去除率達75.4%（去除濃度約3.43×10^5 mg/L）。整體而言，將蝕刻廢水與去光阻廢液混合並照射UV可有效降低水中高COD濃度（現階段最佳去除率約53 %，去除濃度1.8×10^5 mg/L），於廢水中添加催化劑更能有效提高COD去除效率（添加後COD去除率由53%提高至75%），原不易處理之蝕刻廢水與去光阻廢液在處理後可排入既有廢水處理系統，避免造成現場處理負擔，並提供廠區廢水資源化再利用的可能方向。

開發綠色製程以油酸製備壬酸與壬二酸的方法之研究

為了解決雙氧水分解催化劑的問題，作者陳昱涵 這樣論述：

本論文在鎢金屬的催化下以雙氧水進行油酸的氧化裂解反應，得到具有經濟價值的壬酸以及壬二酸。在雜多酸錯合物37的催化下可以得到壬酸產率80 %（GC yield）和壬二酸產率79 %（LC yield）；另一方面，以鎢酸及相轉移催化劑16形成的催化系統則是得到壬酸產率79 %（GC yield）和壬二酸產率100 %（LC yield）。我們成功找出對環境友善且有效率的方法，在綠色製程上具有極大的潛力。