鎵鋁的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

半導體照明教程

為了解決鎵鋁的問題，作者方志烈 這樣論述：

本書圍繞半導體照明這一主題，系統地介紹了光度學、色度學的基本知識；發光二極管的材料、器件的機理及其制造技術；LED器件和燈具的光電參數測試方法，驅動和控制方法，可靠性、壽命的測試和分析，以及各種半導體照明的應用技術，並研討了半導體照明光品質問題。本書內容系統、全面、通過理論聯系實際，深入地闡述了半導體照明材料、器件、燈具及照明應用技術；反映了國內外該領域的科技進步和最新科技成果；論述了半導體照明研發和產業發展的方向。

鎵鋁進入發燒排行的影片

應用於堆疊式互補金-氧-半電晶體的隔絕結構及金屬接觸結構製作與分析

為了解決鎵鋁的問題，作者劉瀚元 這樣論述：

本論文提出利用三五族化合物p型與n型砷化鎵(GaAs)，製作堆疊式互補金-氧-半電晶體(Stacked CMOS)，分別嘗試以砷化鋁(AlAs)、砷化鎵鋁(AlGaAs)作為CMOS p型與n型電晶體之間的絕緣層，並以用空氣做絕緣層分隔當作目標。實驗顯示當以AlAs作為絕緣層時，在2 V下AlAs 厚度200 nm與厚度0 nm相比電流從103 A/cm2降為10-5 A/cm2。絕緣層更換成AlGaAs時，在2 V下，上層通道電流為9×10-6 A，而經過50奈米AlGaAs絕緣層後，電流降為8×10-10 A，降低約4次方。以空氣作為絕緣層的懸空結構，也成功在本論文中展示。隨著元件尺寸的

微縮，金屬與半導體接觸良好與否為影響電晶體特性的另一個重要因素。本論文中使用的多重圓形傳輸線模型(Multi-Ring Circular Transmission Line Model, MR-CTLM)萃取ρ_C，MR-CTLM比起傳統TLM精準度更佳，製程更簡易。TiN/Al/TiN/Ti與TiN/Al/TiN金屬結構於n-InGaAs上，特徵接觸電阻(Specific contact resistance, ρ_C)分別為7.1×10-8 Ω‧cm2及4.4×10-6 Ω‧cm2。其中Ti/InGaAs的接面，在350°C 下經過30秒的退火後，ρ_C值上升至9.9×10-7 A/cm2

，藉由穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscopy, TEM)觀察發現As會擴散至Ti中，而TiN/InGaAs接面在退火後，ρ_C則是下降為1.9×10-6 Ω‧cm2，TEM分析下，元素沒有擴散的情形發生。得知TiN/InGaAs接面相較於Ti/InGaAs接面，其熱穩定性更佳。側壁傳輸線模型(Sidewall TLM, STLM)成功量測TiN/p-GaAs 10 um側壁ρ_C約為2.0×10-4 Ω‧cm2、40 um為1.4×10-4 Ω‧cm2，兩者退火後ρ_C沒有明顯增加，證明TiN與InGaAs有不錯的熱穩定性。本論文中得知AlGaAs比

AlAs適合作為Stacked CMOS絕緣層，並成功展示以空氣做絕緣層的基本結構。利用MR-CTLM分析出TiN與InGaAs接面在高溫下比Ti/InGaAs穩定，但ρ_C較高。目前關於金屬接觸電阻的分析多侷限在平面結構，而將來元件結構勢必朝向三維立體結構邁進，因此本論文所提出之元件側壁半導體和金屬接觸特性分析結果預期有助於半導體元件結構之製程與發展。