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國立陽明交通大學 照明與能源光電研究所 林建中所指導 李亦揚的 微米尺度之磷化鋁銦鎵紅光發光二極體研究 （2020），提出鎵金屬購買關鍵因素是什麼，來自於微型發光二極體、砷化鎵、水平結構電極。
而第二篇論文國立臺灣海洋大學 光電科學研究所 黃智賢所指導 李其霖的 使用自製常壓電漿噴束成長氧化鋅於氮化鎵基板之研究並探討其發光二極體特性 （2017），提出因為有 氧化鋅、氮化鎵、大氣電漿、電介質屏蔽電漿、發光二極體的重點而找出了 鎵金屬購買的解答。
鎵金屬購買進入發燒排行的影片
鎵 (Gallium) 是一種具有破壞其他金屬結構的金屬。
例如它可「分解」鋁金屬。從影片中可以看到，僅一滴液態鎵即可破壞鋁罐的結構，用拇指輕輕一按，鋁罐上端便凹陷。換言之，鎵能滲入鋁的結構並影響其完整性，使鋁片像錫箔般脆弱，而不再是先前堅硬的金屬。
但這次的對手是厚實的Youtube訂閱銀合金獎牌。
到底結果會是如何？
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微米尺度之磷化鋁銦鎵紅光發光二極體研究
為了解決鎵金屬購買 的問題，作者李亦揚 這樣論述：
我們對之前的5um LED進行結構及材料上的改進，製作出了不同大小尺寸的元件，其中最小更達到了尺寸為2um的發光二極體，這樣能更好的提升顯示器的解析度，在n、p電極中，捨棄了ITO層，直接利用金屬覆蓋上P電極，使導電性能不受ITO品質影響，實驗研究方向也包括了金屬材料選擇、光罩製作及設計，隨著尺寸縮小，結構及製程方向也會有所改變，量測部分也是包含各種光電特性分析。實驗用的紅光磊晶片是與廠商購買的AlGaInP，製作出的LED，其電極採用水平的方向，若為一般的LED的製程，P型電極上會有金屬覆蓋而影響出光，所以我們採用部分覆蓋P型電極以增加出光面積，N型電極延續之前採用的環狀電極，以減少電流過
度集中於單一出入口，而鈍化層的使用則是採用電漿輔助化學氣相沈積(PECVD) ，去成長SiO2，N及金屬為Cr/Au、P極金屬為Ti/Au，本論文會探討不同原件尺寸大小，調整實驗上的製程參數，以及結構上面的不同，並且比較元件差異。
使用自製常壓電漿噴束成長氧化鋅於氮化鎵基板之研究並探討其發光二極體特性
為了解決鎵金屬購買 的問題，作者李其霖 這樣論述：
本論文中，我們成功運用大氣電漿系統製備氧化鋅薄膜於商業購買的(0001) p-GaN上，驗證其可形成n-ZnO/p-GaN 發光二極體，並探討其發光二極體特性。實驗結果顯示，大氣電漿所形成的薄膜是由片狀奈米結構所組成，當形成n-ZnO/p-GaN發光二極體時，500度剛長好的樣本，其起始發光電壓只有~5V，但是600度成長樣本，則提高到~10V，經過800度熱處理的樣本，起始電壓更高達~30V。這顯示過高的溫度會破壞p-n接面。因此，發光強度上，未熱處理的樣本(500度與600度成長)，有比熱處理後的樣本更高的發光強度，但因為是奈米片狀結構組成，其耐壓卻較有經過熱處理後的樣本差。實驗分析顯示
，未退火的樣品，即使成長溫度達600°C，其發光效率只能到0.012%，而經過800度10分鐘退火後的樣品，雖然起始電壓上升，發光亮度也較弱，但其量子效率卻可提升至0.025%。我們認為，原本奈米片狀結構未經熱處理的樣本，有太多介面，因此非發光複合嚴重，所以發光效率不高；但經過熱處裡，晶粒變大顆，因此介面減少，非發光複合減少，因此，轉換效率才會明顯提高。值得一提的是600度成長樣本，其EL發光除了典型的377nm氧化鋅峰與431nm p-GaN外，還帶有562 nm缺陷的綠光，其CIE色度座標為(0.22, 0.16)；經過熱處理(800度10分鐘)後，發光波峰只剩下375nm的氧化鋅發光，4
32nm的p-GaN發光消失，因此其CIE色度座標移至(0.17, 0.05)。估計這是因為p-n接面破壞，導致載子注入p-GaN複合發光減弱所致。我們樂觀認為，若ZnO結晶品質可進一步地提升，該LED發光效率與亮度還有很大的進步空間。關鍵字:氧化鋅、氮化鎵、大氣電漿、電介質屏蔽電漿、發光二極體