工業和商業黃頁資訊網論文書籍站
鎵密度的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
鎵密度的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦盧廷昌,王興宗寫的 半導體雷射技術（2版） 和李克駿,李克慧,李明逵的 半導體製程概論(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自五南 和全華圖書所出版 。
國立成功大學 化學系碩博士班 王小萍所指導 施旻宏的 利用密度泛函數理論來研究HS-R(R=H，CxH2x+1，x=1~8)在Ga-RichGaAs(100)表面上的反應機制 （2006），提出鎵密度關鍵因素是什麼，來自於砷化鎵、密度泛函數理論。
半導體雷射技術（2版）
為了解決鎵密度 的問題，作者盧廷昌,王興宗 這樣論述：
半導體雷射廣泛的存在於今日高度科技文明的生活中，如光纖通信、高密度光碟機、雷射印表機、雷射電視、雷射滑鼠、雷射舞台秀甚至雷射美容與醫療、軍事等不勝枚舉之應用都用到了半導體雷射。半導體雷射的實現可以說是半導體科技與光電科技的智慧結晶，同時也對人類社會帶來無與倫比的便利與影響。本書沿續「半導體雷射導論」由淺入深的介紹半導體雷射基本操作原理與設計概念，內容涵蓋了不同半導體雷射的構造與光電特性，以及半導體雷射的製程與信賴度，可為大(專)學四年級以及研究所一年級相關科系的學生與教師，提供有系統的學習半導體雷射的教科書，本書亦適用於想要深入了解半導體雷射的專業人員。
利用密度泛函數理論來研究HS-R(R=H，CxH2x+1，x=1~8)在Ga-RichGaAs(100)表面上的反應機制
為了解決鎵密度 的問題，作者施旻宏 這樣論述：
硫化氫分子在Ga-Rich GaAs表面上的反應機制可以分成三個步驟：吸附、斷鍵、脫附。首先，硫化氫分子利用S原子上的孤對電子與Ga原子上的未填滿4p軌域形成配位鍵，進而吸附於Ga-Rich GaAs表面，所形成的結構稱為H2S-ad。接著，硫化氫分子上的氫原子得到適當之能量後斷鍵，分別可能經過H2S-trans-TS-A、H2S-trans-TS-B、H2S-trans-TS-C與H2S-trans-TS-D四種過渡態結構，與Ga-Rich GaAs表面上的Ga或As原子產生鍵結，所獲得的產物分別為H2S-trans-A、H2S-trans-B、H2S-trans-C與H2S-trans-
D 四種穩定結構。此四種穩定態結構亦可以互相轉換。最後，吸附在GaAs表面上的硫化氫分子完全脫去氫氣，剩下S原子以架橋形式在GaAs表面上形成穩定態結構，此為H2S-de。藉由天然鍵性軌域（Natural Bond Orbital，NBO）分析，可以發現電子非定域化對這些分子結構的穩定性佔有重要地位。在硫化氫分子與Ga-Rich GaAs表面反應中，空氣中的水分子是此反應主要的競爭者，一旦GaAs表面產生氧化物，如As-O或Ga-O，則此類氧化物很容易從表面離去，造成GaAs表面缺陷。利用與硫化氫分子相同的計算方法，發現在H2O-ad結構中，水分子吸附能力大於硫化氫分子（水分子較硫化氫分子在相
對能量上約穩定了8.028 Kcal/mol），雖然硫化氫分子在斷鍵步驟中的活化能比水分子低。這樣的結果顯示，水分子是透過H2O-ad的結構來與硫化氫分子競爭。我們利用直鏈烷基單取代硫醇分子來取代硫化氫分子，經由計算結果，發現可以增加HSR分子在GaAs表面上的吸附能力，進而減少水分子的競爭。此外，烷基碳鏈越長，則S原子與Ga原子之間的配位鍵強度會越強，所得之HSR-ad產物的相對穩定能會越好。當烷基碳鏈達三個或以上時，HSR-ad分子的吸附能力就會比水分子的還要好，而透過斷鍵步驟形成HSR-trans-A、HSR-trans-B、HSR-trans-C、HSR-trans-D的活化能也比水分
子低，可以有效降低環境中水分子的競爭。
半導體製程概論(第四版)
為了解決鎵密度 的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：
全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識
。 3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。