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錫原料的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦趙昆渝,葛振華,李智東寫的 新熱電材料概論 和鄭瑞庭 編著的 電鍍原料使用手冊都 可以從中找到所需的評價。

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這兩本書分別來自科學出版社 和化學工業所出版 。

元智大學 工業工程與管理學系 鄭春生所指導 胡家偉的 應用實驗設計法於半導體導線架電鍍製程最佳化之研究 (2021),提出錫原料關鍵因素是什麼,來自於半導體導線架鍍錫、統計製程管制、實驗設計。

而第二篇論文國立臺灣大學 材料科學與工程學研究所 莊東漢所指導 劉益銘的 電子構裝銦基無鉛銲錫與金厚膜及銀基板之界面反應研究 (1999),提出因為有 無鉛銲錫、界面反應、介金屬化合物、潤濕性、金厚膜、銀基板的重點而找出了 錫原料的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了錫原料,大家也想知道這些:

新熱電材料概論

為了解決錫原料的問題,作者趙昆渝,葛振華,李智東 這樣論述:

着眼於新型熱電體系,從熱電材料的基本理論、制備方法和性能優化等方面進行了深入論述,提出現有熱電材料體系存在的問題和未來的發展方向。熱電材料是一種能夠實現熱能和電能直接相互轉化的材料。在廢熱回收和半導體制冷方面有着廣泛的應用前景。並且熱電材料的廣泛使用,有利於提高我國能源利用率,可解決突出的能源枯竭和環境污染與社會不斷發展的矛盾。

錫原料進入發燒排行的影片

應用實驗設計法於半導體導線架電鍍製程最佳化之研究

為了解決錫原料的問題,作者胡家偉 這樣論述:

在全球半導體的供應鏈當中,台灣具有相當重要的地位,主要的原因除了產業群落效應及上下游之間的整合之外,成本的管控更是企業能否獲利並永續經營的重要指標。而在製造業中,原物料及人力成本為支出比例最高之項目,尤其在半導體導線架的電鍍製程,因高度依賴錫原料及人力作業,故如何有效的解決此議題並保持市場競爭力,是本研究最重要的課題及研究目的。而回顧過往的文獻發現,有關電鍍製程的研究多偏向滾鍍或掛鍍的作業模式,且電鍍元素大多著重在金、銀、銅、鎳上,對於半導體導線架的鍍錫製程有所研究並進行案例改善之探討則鮮少被提及和討論。在本研究之案例中,因工廠面臨到製程參數無法在最短時間最佳化的問題,導致薪資及原料成本的上

升。本研究之目的,是利用統計製程管制技術及實驗設計法,找出製程參數之最佳設定。研究結果顯示,利用此研究方法可有效的將電鍍工程實驗次數由改善前的7.69次,降至改善後的 2.67 次,改善效益為 34.72 %;而工程實驗的時間則可由 11.54 小時降至 3.22 小時,改善之效益為 27.90 %;另外針對產品的鍍錫厚度,可由改善前的 0.519 g降至 0.431 g,改善效益為 83.04 %。整體而言,本研究所提出之方法,可以大幅的降低製造成本。

電鍍原料使用手冊

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為了解決錫原料的問題,作者鄭瑞庭 編著 這樣論述:

本書按電鍍的生產環節和鍍種,介紹了電鍍工藝中使用的化學原料、所屬鍍種陽極材料的性能和用途,在電鍍工藝中由于原材料原因所引起的質量故障、解決方法,鍍液配制、維護和使用安全知識等。對電鍍技術人員了解、掌握電鍍原料的基本性能及用途,理解原料的選用與鍍層質量、鍍液維護之間的關系,在實踐中選準材料、用好材料大有裨益。 本書內容編排合理、查閱方便,可供電鍍工人、工藝人員和化學品供應商查閱參考。 第1章 概述 第2章 鍍前除油材料及使用技術  2.1 有機溶劑除油   2.1.1 常用有機溶劑的理化性能   2.1.2 三氯乙烯除油的特性與作用   2.1.3 三

槽式三氯乙烯除油專用設備   2.1.4 用三氯乙烯除油需注意的事項   2.1.5 關于其他溶劑的選用  2.2 化學除油   2.2.1 氫氧化鈉   2.2.2 碳酸鈉   2.2.3 磷酸三鈉   2.2.4 焦磷酸鈉   2.2.5  酸鈉   2.2.6 乳化劑   2.2.7 化學除油溶液   2.2.8 化學除油過程中如何加強除油效果   2.2.9 化學除油操作中需注意的事項  2.3 電化學除油   2.3.1 電化學除油工藝中使用的材料   2.3.2 電化學除油工藝配方材料使用技術  2.4 擦拭除油   2.4.1 擦拭工具的選用

  2.4.2 磨料的選用   2.4.3 潤滑(除油)劑的選用   2.4.4 擦拭除油工序與工步的安排   2.4.5 擦拭過程中需注意的細節  2.5 滾桶除油   2.5.1 滾桶設備的選用   2.5.2 滾桶的轉速要求   2.5.3 磨料的選用要求   2.5.4 哪些形狀件不適宜滾桶除油   2.5.5 除油劑如何選用 第3章 浸蝕材料及使用技術  3.1 浸蝕用的材料   3.1.1 硫酸   3.1.2 鹽酸   3.1.3 硝酸   3.1.4 正磷酸   3.1.5 氫氟酸   3.1.6 鉻酐  3.2 被浸蝕材料   3.2.1

 普通碳素鋼件的浸蝕   3.2.2 高強度鋼和彈簧鋼件的浸蝕   3.2.3 鑄鐵件的浸蝕   3.2.4 不銹鋼和耐熱鋼制件的浸蝕   3.2.5 銅及銅合金件的浸蝕   3.2.6 鋁及鋁合金件的浸蝕   3.2.7 鋅鋁合金壓鑄件的浸蝕   3.2.8 鎂及鎂合金的浸蝕 第4章 鍍銅原料及使用技術 第5章 鍍鎳原料及使用技術 第6章 鍍鋅原料及使用技術 第7章 鍍錫原料及使用技術 第8章 鍍銀原料及使用技術 附錄一 常用陽極材料的化學成分 附錄二 電鍍常用金屬化合物的金屬含量和性質 原料索引

電子構裝銦基無鉛銲錫與金厚膜及銀基板之界面反應研究

為了解決錫原料的問題,作者劉益銘 這樣論述:

在電子構裝產業中軟銲製程是一種經常被應用的技術,在這些製程中,鉛錫合金由於其優異的各種性質,成為最常被使用的銲錫原料。然而因為鉛對人體具有毒性,禁用含鉛產品的呼聲越來越高,無鉛銲錫的研發與使用也成為一種趨勢。而在軟銲反應中,銲錫與母材會在界面產生反應並生成一些介金屬化合物,這些介金屬化合物對接點的性質有重要影響。因此,本研究即以純銦、In49Sn及In10Ag等銦基無鉛銲錫對電子工業常用之金厚膜與銀基板進行軟銲反應,探討其界面生成介金屬之種類與型態、界面介金屬之成長動力學及銲錫與基板間之潤濕行為,並藉此評估這些銲錫系統的實用性與其在實際製程上將面對之問題。 研究的結果顯示

,在In/Au與In49Sn的軟銲反應系統中,金厚膜與銲錫界面均會生成以AuIn2相為主之介金屬化合物,但生長機構則互不相同:在In/Au系統中為擴散控制反應,其成長活化能為39kJ/mol,但在In49Sn/Au系統則是界面控制反應,其成長活化能為51kJ/mol。隨著反應時間或溫度的增加,Au/AuIn2界面上會依序再生長出AuIn及Au7In3(g¢)相,當g¢相生成時,界面將產生剝裂現象而影響銲錫接點性質。此外,軟銲過程中溶入銲錫液中的基材金原子會在冷卻過程中以游離島嶼狀之AuIn2相型式析出在銲錫基地內。在In49Sn銲錫系統中,銲錫基地之介金屬以AuIn2相而非AuSn4相析出,可

能是其可以避免金脆化現象之主要原因。 在In10Ag/Ag之軟銲反應系統中,在銲錫與銀基板之界面會生成扇貝狀或樹枝狀的Ag2In介金屬化合物,其外圍包覆一層0.5至1mm之AgIn2殼層。此界面Ag2In相之成長為一擴散控制反應,其活化能約為45kJ/mol。除了界面介金屬之成長外,軟銲過程中溶入銲錫之銀原子與In10Ag銲錫內原有之銀原子在冷卻過程中亦會以Ag2In相為主之圓球狀或樹枝狀游離介金屬塊析出在銲錫基地內。這些界面與銲錫基地內之介金屬在試片於常溫下置放時會繼續發生固態反應,使先前生成之Ag2In相為其外圍之AgIn2相消耗而逐漸取代。經進一步以Ag2In/In擴

散偶研究結果發現,在Ag2In/In之固態反應中,界面會生成AgIn2相,其成長為擴散控制,活化能約為41kJ/mol,近似於薄膜反應時之AgIn2相成長活化能。 在銲錫對基材之潤濕性方面,In/Au與In10Ag/Ag系統之銲錫錠接觸角q變化可分為三個階段,其中第二階段是一q保持不變之高原期,其生成機構可以界面介金屬之成長與液滴前端帶狀區之生成來解釋,並可經由液滴前端之微觀觀察圖加以證實。相對於上述兩系統,In49Sn/Au之接觸角變化雖亦可區分為三個階段,但其第二階段僅是q下降斜率較為平緩,並無高原期之情形發生,經進一步比較In/Au與Sn/Au系統之q變化結果,推測此

種斜率變緩之現象乃是由於In49Sn成份中銦與錫成份分別對金厚膜作用而產生之結果。