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銻半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
銻半導體的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦日本資源問題研究會寫的 圖解世界資源真相：交易與爭奪，如何悄悄驅動國際局勢巨變 可以從中找到所需的評價。
國立中正大學 光機電整合工程研究所 丁初稷所指導 陳虹瑞的 以化學浴沉積法改善製備硫化銻於二氧化鈦-石墨烯複合材料 UV/VIS 光偵測器元件製程與光電特性研究 （2016），提出銻半導體關鍵因素是什麼，來自於石墨烯、溶液凝膠法、化學浴沉積法、硫化銻、二氧化鈦、半導體複合元件、光偵測器。
而第二篇論文國立交通大學 電子工程學系 電子研究所 李建平所指導 林岳民的 含有銻元素的半導體成長與其高電子遷移率電晶體之研究 （2014），提出因為有 含有銻元素的半導體、高電子遷移率電晶體的重點而找出了 銻半導體的解答。
圖解世界資源真相：交易與爭奪，如何悄悄驅動國際局勢巨變
為了解決銻半導體 的問題，作者日本資源問題研究會 這樣論述：
國際局勢正在發生巨大轉變，驅動的力量就是資源。 ．你知道嗎？美國發現頁岩氣，嚴重威脅俄羅斯在歐亞的霸權。 ．中國積極「援助」非洲與南美，美國與西歐各國憂心忡忡，更危及台灣的生存空間。 ．釣魚台和南海爭議，最近台灣人終於開始注意了。中、日與東亞各國背後有什麼不明說的圖謀呢？ 這些事情影響台灣前途的事情，別以為它們正在悄悄發生，其實爭奪已經白熱化，只是台灣的媒體很少報導。對於個人而言，搞懂資源戰爭比搞懂貨幣戰爭還要意義重大，資源主導國運已經不在話下，個人的投資、乃至選擇職業，務必要搞懂資源趨勢，以免挑錯投資配置、或是選錯行業。 全球人口在2050年即將突破九十億，資源卻日益
稀少，加上新科技產品對於各種稀有金屬的需求，導致世界各地燃起資源的爭奪戰，哪些國家是舉足輕重的「參戰國」？誰將取得資源戰爭的優勢？這些都會改寫全球強國的排名，改變人類的生活方式。 中國就是這波能源戰爭最新崛起的大掠奪者，當今的強國都在擔心中國崛起導致更嚴峻的衝擊，因為中國這一兩年間已經積極在世界各地「參戰」，擴大資源戰爭的攻擊面，其中包括釣魚台和南海的主權爭議。 而中國在非洲和中南美洲的外交戰，更不只是打擊台灣那麼簡單，還在於介入當地的資源，中國更在擁有豐富礦藏的澳洲收購礦場。像日本這種資源嚴重仰賴外國的國家，也在積極調整外交政策，要想盡辦法鞏固資源的取得，不得不開始在國際間與中國較勁
。國際局勢正在發生巨大轉變，驅動的力量就是資源。 ◎交戰點1. 釣魚台主權爭議：日本要「國有化」釣魚台島，與中國衝突一觸即發，明的是爭面子，暗裡是爭稀土資源，因為日本稀土類元素進口對於中國的仰賴度高達87％！中國是舉世獨一無二完整掌握十七種稀土元素的國家，產量佔全球97%。鄧小平就說過：「中東有石油，中國有稀土。」這樣的豪語。 ***稀土類元素是17種元素（鑭、鈰、鐠、釹、□、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、□….等）的總稱，也稱作稀土金屬。共同特性就是都擁有熔點高、導熱性佳等類似的化學性質；而且也擁有磁力高、會放出波長較短的光等其他金屬所不具有的獨特性質，因此大多也都是其他物質
所無法替代的。電動車用的永磁馬達、風力機用發電機、以及節能燈泡都用到稀土。台灣會進口少量的稀土，用於顯示器的拋光材料。 ◎交戰點2. 美國引爆頁岩氣革命！躍居天然氣世界第一大產國，往昔俄羅斯以天然氣供應的優勢宰制周邊國家的優勢大受打擊。 ◎交戰點3. 美國把農產品出口視為國家工作重點，發表「國家出口戰略」，要求包括台灣、中國等各國採購美國農產品，為的是振興美國國內的經濟頹勢，目標增加10億美元出口，創造八千個就業機會。 ◎交戰點4. 南海周邊的菲律賓、越南等國跟中國槓上，爭奪的其實是南沙群島海底的兩千億桶石油。 ◎交戰點5. 缺水問題已成全球化危機，為了自來水漲價，玻利
維亞甚至爆發暴動。糧食自給率只有三成左右的日本和台灣，缺水問題並不是事不關己，因為透過糧食進口的進口水量，日本每年高達800億噸。順帶一提，一片麵包共利用了40公升的水，一杯咖啡共利用了210公升的水，一個漢堡利用了2400公升的水。這些「看不見的水」稱作「虛擬水（virtual water ）」。 ◎交戰點6. 日本人為了鮪魚捕獲量遞減感到憂心忡忡，憂慮到去向ICCAT（國際大西洋鮪類資源保育委員會）控告台灣，你在享用鮪魚生魚片時，可知道你在跟誰搶奪口中的食物嗎？ ◎交戰點7. 中國的不鏽鋼產量已經佔掉全球三成六，重要成分鉻和鎳價格日益墊高 本書特色以一目了然的地圖標示法，說
明蘊藏量、消費量，目前哪些國家是主要供應國、哪些國家是主要買家，哪些國家壟斷了這些資源的供給與需求，從而主宰世界產業局勢、甚至影響地緣政治的勢力範圍，讓你立刻掌握世界資源的全局和投資視野。 作者簡介 日本資源問題研究會 由一群新聞工作者以及專家所組成。他們對資源小國──日本所面臨的挑戰感到不安，預測到世界各國之間將會掀起一波資源爭奪戰，而在一九九○年代後半開始運作。針對日本與全球各國面對的資源問題，舉辦許多以一般大眾為目標的專題研討會以及其他啟蒙性活動。 譯者簡介 劉宗德 輔仁大學日本語文學系研究所畢業，曾任雜誌兼任翻譯、國科會研究計劃案兼任助理，譯有《台灣不教的中國近代史》、《讀論語
，有什麼用？》、《那樣擺不會賣，這樣才對！》《3天讀懂哲學》、《3天讀懂德國》、合譯《世界，未來會是什麼樣子？》、《世界資源真相和你想的不一樣》、《其實我們沒那麼了解美國》（以上皆大是文化出版）。
以化學浴沉積法改善製備硫化銻於二氧化鈦-石墨烯複合材料 UV/VIS 光偵測器元件製程與光電特性研究
為了解決銻半導體 的問題，作者陳虹瑞 這樣論述：
本研究以配置的二氧化鈦滴落塗佈於玻璃基板上，並利用旋塗機使之均勻，隨後轉印上化學氣相沉積法所成長的石墨烯，最後以化學浴沉積法沉積硫化銻半導體薄膜於之上，藉由以上兩種材料增強石墨烯於紫外以及可見光的響應，並探討不同塗佈層數的二氧化鈦對石墨烯光響應造成的影響，最後找出最佳化層數的元件，再做進一步的響應研究。 本研究透過全光譜的量測找出元件最佳之響應波段以及光響應值，而後歸納出最佳化元件，接著以氙燈、適合材料所吸收波長之LED、雷射找出其最大的光響應和最快的響應時間；由實驗結果得知使用 365 nm, 0.5 μW之氙燈照射得知最好之響應值為 732 A/W，且在 365 nm, 50 mW
LED 照射下最短的上升時間與下降時間分別為 0.16 s和 0.59 s，在 405 nm, 1 μW 之氙燈照射得之最好之響應值為 14.33 A/W，405 nm, 且在 405 nm, 60 mW 之雷射照射下最短的上升時間與下降時間分別為 3 ms 和 25 ms，證實 TiO2 和 Sb2S3 石墨烯半導體複合元件的製作在石墨烯光偵測器上有良好的響應值。關鍵詞：石墨烯、溶液凝膠法、化學浴沉積法、二氧化鈦、硫化銻、光偵測器、半導體複合元件
含有銻元素的半導體成長與其高電子遷移率電晶體之研究
為了解決銻半導體 的問題，作者林岳民 這樣論述：
本論文的目的是為了全面性地了解由分子束磊晶所成長的含銻半導體材料系統和在砷化鎵基板上的第一型式的砷化銦/銻砷化鋁的高電子遷移率電晶體的電特性。為了抑制由銻化鋁緩衝層與砷化鎵基板之間的8% 晶格不匹配所引起的晶格失配和錯位的形成，我們已經使用了兩種不同的方法。首先，我們開發了一種低缺陷緩衝層的生長技術，它提供了具有光滑表面的高電阻率的緩衝層。這種技術使用了幾對薄銻化鋁所組成的週期性溫度變化的緩衝層。透過利用此方法，在砷化鎵基板上的砷化銦通道的高電子遷移率電晶體是可以被製造出來。對於高品質的砷化銦量子井通道，我們已經發展出了另一種方法是透過改善在砷化銦通道與含銻的位壘層之間的界面。在含銻/砷化合
物的界面，因為砷化銦與銻砷化鋁之間的陰離子和陽離子的變化，它可能靠著分子束磊晶的方式生長出兩個不同的界面。一種是銻化銦的界面和另一種可能是砷化鋁的界面。在這項研究中，我們發現砷化銦通道的晶體品質對所使用的界面類型有著很強的依賴性。在有著銻化銦界面的處理，砷化銦的晶體品質將大大被改善。這是因為砷化銦的晶格與緩衝層的晶格是對齊的而沒有任何的晶格鬆弛。與像砷化鋁的類型相比，砷化銦的晶格是鬆弛的且砷化銦通道的晶體品質變的較差。優越的砷化銦量子井的晶體品質證明了表現出高的電子遷移率和良好的表面形態。除了材料的改進之外，我們還開發了新的元件結構，它在碰撞電離的存在有著優越的電洞侷限。它導致了元件大大改善了
輸出特性。在這項研究中所使用的新結構包括第一型式的砷化銦/銻砷化鋁的異質結構。採用這種結構所製成的場效電晶體不具有來自由碰撞電離所產生的電洞的不期望的反饋效果。用加入了上和下部的銻砷化鋁的屏障層，阻斷了由碰撞游離所產生的電洞從通道移動到閘極和下方的緩衝層並且將其限制在通道中。因此，顯示出了沒有任何隆起的正常閘極電流特性和大大地改善了輸出的電流電壓特性與可用的汲極電壓範圍。為了更清楚地了解含有著不同的五族元素像磷，砷，銻的三五族的三元化合物的生長特性，我們做了這些元素在成長過程中的摻入和對生長層的應變與組成之間的關係進行了詳細的研究。我們首先研究了銻砷化鎵在砷化鎵基板上的生長。我們發現儘管固定流
量比例在該層中有著自然形成的銻梯度現象。我們還研究了銻分佈是如何取決於生長層的應變量與其類型。接著在磷化銦基板上生長了應變的銻砷化鎵。在這種方式中，我們調查了在各種應變條件下的銻元素的摻入行為。我們發現在拉伸應變下銻的分佈隨著遠離界面有著逐漸遞減的趨勢和在壓縮應變下其分佈則是朝向表面而持續增加。在本文介紹的工作，不僅為我們提供了對銻化合物生長的更好的了解，而且也提供了一個對許多重要的元件生長的指引。