鈦昇2023的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

使用者經驗對串流平台Netflix的品牌形象、品牌情感、品牌信任及品牌忠誠度之影響

為了解決鈦昇2023的問題，作者蔣孟庭 這樣論述：

2020年因為疫情影響，全球掀起一股宅經濟浪潮，線上影音串流 （OTT） 平台更是趁著這股熱潮快速發展。根據 Digital TV Research 數據顯示全球 OTT 產業營收不斷上漲，而眾多平台中 Netflix 的訂閱數獨佔鰲頭，不僅訂閱戶大幅成長，更於去年底突破全球2億的訂閱戶，相關數據也顯示用戶對 Netflix 不僅僅是黏著度增加，對其忠誠度也相對提高，因此本研究聚焦於 Netflix 的使用者經驗，探討 Netflix 如何透過使用者介面及多樣的內容吸引用戶持續訂閱，接著討論使用者經驗對 Netflix 的品牌形象、品牌情感、品牌信任的影響，並進一步討論其對品牌忠誠度的影響。

研究結果顯示，使用者經驗（情緒感受）及使用者經驗（產品感受）對 Netflix 品牌形象、品牌情感、品牌信任及品牌忠誠度（行為忠誠）、品牌忠誠度（態度忠誠）皆呈現正向顯著 影響，意即用戶對 Netflix 使用者經驗感受越正向，包括對影劇內容的情緒感受及對介面設計的產品感受，則對其品牌的相關感受也會相對提高。

高分子太陽能電池電極界面的反應機制與新穎甲基胺碘化鉛鈣鈦礦結構混成太陽能電池

為了解決鈦昇2023的問題，作者鄭鈞元 這樣論述：

本論文分為兩部分：第一部分我們使用poly(ethylene oxide)高分子材料當作金屬Al和有機吸光層poly(3-hexylthiophene) (P3HT):[6,6]-phenyl C61-butyric acid methyl ester (PCBM)之間的電極介面層(electrode interface layer)，此電極介面能改善Al和P3HT:PCBM吸光層之間的介面(interface)並且提升元件表現。我們選用分子量較小的poly(ethylene glycol) dimethyl ether (PEGDE, Mn ca. 2,000)材料，可以使用Al和PEGD

E兩種材料同時共蒸鍍(co-evaporating)的方法來製作電極緩衝層。在熱蒸鍍過程中ethylene oxide/Al的介面會形成carbide-like反應，這個反應可以大幅增進元件電子往Al電極的傳導能力。透過Al和PEGDE的共蒸鍍比率的調變，我們從單層鍍Al的VOC和PCE分別從0.44V和1.64%增加到PEGDE:Al (2:1)/Al電極介面元件0.58V和4.00%。第二部分我們是第一個團隊製作出二甲基胺碘化鉛鈣鈦礦/碳六十(methylammonium lead iodide (CH3NH3PbI3)/fullerene (C60))的平面異質接面(planar-het

erojunction)混成太陽能電池(hybrid solar cells)結構。在真空環境下蒸鍍一層C60 (acceptor)在CH3NH3PbI3 (donor)上做成平面異質接面太陽能電池。CH3NH3PbI3可以吸收從近紅外光(near infrared)到可見光的寬波段光譜，同時可以導電電荷。不需要加入染料敏化太陽能電池常用的奈米結構金屬氧化物(mesoporous metal-oxide nanostructures)和電洞傳輸層(hole-transport layer)。CH3NH3PbI3/C60元件得到顯著的效率表現，接著我們分別使用具有較高lowest unoccup

ied molecular orbital (LUMO)能階的材料PCBM和indene-C60 bisadduc (ICBA)取代C60，元件分別增加為VOC 0.65和0.75 V，PCE 2.4 %和2.1 %。這些結果可以驗證CH3NH3PbI3 perovskite/C60 or C60 derivatives可以形成平面異質接面的形成。我們發現CH3NH3PbI3的highest occupied molecular orbital (HOMO)能階和ITO的費米能階(Fermi level)之間的能階差會決定元件的輸出電壓。在PET (polyethylene terephtha

late)基板的ITO具有與glass/ITO不同的功函數，較高的功函數ITO使元件表現出VOC明顯的提昇(0.92 V)和PCE 4.54%我們在透明導電玻璃(glass/ indium-tin-oxide, ITO)電極和CH3NH3PbI3之間插入一層氧化鎳nickel-oxide (NiOx)薄膜，此插入層大幅提升元件的表現。第一個原因，NiOx是一個有較高功函數(work function)的p型半導體材料，其功函數5.4 eV接近CH3NH3PbI3的價帶能階，它減少電洞在此介面傳導的能量損耗並改善光電壓(photovoltage)的輸出。第二個原因，CH3NH3PbI3塗佈在gl

ass/ITO/NiOx基板上相較於塗佈在glass/ITO/PEDOT:PSS基板上具有較密集平滑的形貌(morphology)。CH3NH3PbI3在NiOx基板上具有較高的表面覆蓋率，它提升了光的吸收，降低元件漏電流(leakage current)並提高元件的表現。最好的表現達到VOC = 0.92 V，JSC = 12.43 mA/cm2，FF = 0.68和PCE of 7.8 %。