金屬製程的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

半導體雷射技術（2版）

為了解決金屬製程的問題，作者盧廷昌,王興宗 這樣論述：

　　半導體雷射廣泛的存在於今日高度科技文明的生活中，如光纖通信、高密度光碟機、雷射印表機、雷射電視、雷射滑鼠、雷射舞台秀甚至雷射美容與醫療、軍事等不勝枚舉之應用都用到了半導體雷射。半導體雷射的實現可以說是半導體科技與光電科技的智慧結晶，同時也對人類社會帶來無與倫比的便利與影響。本書沿續「半導體雷射導論」由淺入深的介紹半導體雷射基本操作原理與設計概念，內容涵蓋了不同半導體雷射的構造與光電特性，以及半導體雷射的製程與信賴度，可為大(專)學四年級以及研究所一年級相關科系的學生與教師，提供有系統的學習半導體雷射的教科書，本書亦適用於想要深入了解半導體雷射的專業人員。

金屬製程進入發燒排行的影片

次世代電阻式記憶體與氮化鎵高電子遷移率電晶體物理機制研究

為了解決金屬製程的問題，作者鄭皓軒 這樣論述：

近年來5G通訊、人工智慧物聯網(AIoT)以及車用電子各項技術蓬勃發展，在高速運算、儲存容量與大功率操作的需求下，記憶體元件與功率電晶體的發展相當重要。在記憶體方面，隨著人工智慧物聯網時代的來臨，微控制器(MCU)將扮演相當重要的角色，而微控制器需使用大量的嵌入式記憶體(Embedded Memory)，嵌入式記憶體需要低操作功耗、高操作速度，並且能與半導體製程整合，在次世代記憶體中，電阻式記憶體最具有潛力。而在功率電晶體方面，過去以矽基元件的設計和技術開發經過了多次結構和製程優化更新，已逐漸接近矽材料的極限。而氮化鎵(GaN)為寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料的代表之一，相較

於矽材料，具有寬能隙( bandgap)、高臨界電場(critical electric field)、高電子飽和速度(electron saturation velocity)等特性，在電動車與 5G 通訊方面為極具優勢的材料，以氮化鎵(GaN)為基底的高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)日漸受到重視，顯現出氮化鎵在商業市場上的重要性以及未來的發展性。本論文針對電阻式記憶體以及氮化鎵高電子遷移率電晶體之性能進行相關研究。RRAM的元件目前以電晶體控制其開關(1T1R)作為嵌入式記憶體的主要結構。隨著莫爾定律的發展，電晶體的通道不

斷的微縮，電晶體可承受的電壓會越來越小，可能會逼近RRAM最大的操作電壓 – 形成電壓(Forming Voltage)，因此，如何降低形成電壓就會是一個重要的問題。本論文提出利用交流訊號進行Forming的步驟，使RRAM的Forming電壓下降，並且更進一步的設計出理想的操作波形，應用於嵌入式電阻式記憶體中。另一方面，由於嵌入式電阻式記憶體是RRAM串聯一電晶體，在Reset過程中，RRAM所獲得的電壓增加，造成電晶體的VGS減少，電晶體進入飽和區，使RRAM無法有效地增加操作窗口。因此，RRAM的操作窗口會受到電晶體的限制。除此之外，電晶體不只影響RRAM的操作窗口，也會影響RRAM的阻

態分部，因此，了解嵌入式電阻式記憶體操作過程中，RRAM與電晶體之間的關係，能夠有效降低嵌入式電阻式記憶體操作過程中電晶體的跨壓，就可以設計出低功耗/高性能嵌入式電阻式記憶體的架構。在氮化鎵高電子遷移率電晶體方面，考量安全因素元件的起始電壓須大於0，因此p-GaN HEMT因可達增強型(Enhancement-Mode, E-mode)為主要發展的元件，但是元件在關態時會產生嚴重的漏電流，故如何抑制元件漏電流是一重要議題。研究中發現p-GaN HEMT元件具有駝峰效應。分析其原因係在元件保護層中，因製程所產生的氫擴散至p-GaN層，進而產生次通道(Sub-channel)效應造成較大關態漏電。

另一方面，p-GaN HEMT閘極常見有Ni、Au和TiN等材料，不同材料間基本物理特性會影響元件的基本性能。然而，閘極金屬製程可能因為前驅物或電漿的轟擊，導致元件有前驅物殘留的污染、不平整的表面和較差的介面品質。此章節主要討論p-GaN HEMT漏電成因與不同閘極金屬製程對於之性能的影響。

機械製造 (SI Version) (精華版)(二版)

為了解決金屬製程的問題，作者 這樣論述：

　　內容完整涵蓋各使用材料加工方式與製程系統。解說詳盡且強化原理與實務應用。 　　量化與比較各種製程加工能力，俾利於選用符合設計需之製造系統。

電火花放電法製備奈米銀銅膠體用於一氧化碳催化之研究

為了解決金屬製程的問題，作者洪軍福 這樣論述：

本論文將金屬線掛載於放電加工機上，使用放電加工機於常溫常壓下搭配介電液實施電火花放電法，放電加工機兩電極之金屬線配置有下列三種組合製備奈米銀銅膠體：(1)上下電極分別使用純銀與純銅，(2)兩電極皆使用銀銅比例(92.5：7.5)複合金屬線，(3)兩電極皆使用銀銅比例(72：28)複合金屬線。介電液採用去離子水，其電導度範圍為10 µS/m以內，改變放電加工機環境製程參數(Ton-Toff)與電流設定(IP)，即可製備出奈米銀銅膠體。使用三種材料並設定環境製程參數之總製程時間為5分鐘與電流峰值參數IP設定為4(約為11.8安培)，並控制Ton-Toff為10-10、30-30、50-50、70

-70、90-90與110-110 µs製備奈米銀銅膠體，並藉由紫外光/可見光分光光譜儀與奈米粒徑及電位分析儀分析三種材料所製備的奈米銀銅膠體，得知環境製程參數Ton-Toff設置為30-30 µs時，奈米銀銅膠體特徵波峰與粒徑分佈…等分析結果，相較於10-10、50-50、70-70、90-90與110-110 µs參數較為良好。因此，製程參數Ton-Toff為30-30 µs視為三種材料製備奈米銀銅膠體之最佳化參數。在環境製程參數Ton-Toff為30-30 µs使用純銀與純銅線製備奈米銀銅膠體，其吸收度與特徵波峰分別位於0.586與406 nm，數量分佈與懸浮穩定性皆為101 nm與28

.1 mV。使用銀銅比例(92.5：7.5)複合金屬線製備奈米銀銅膠體，其吸收度與特徵波峰分別位於0.509與419 nm，數量分佈與懸浮穩定性皆為197.5 nm與-6.67 mV，使用銀銅比例(72：28)複合金屬線製備奈米銀銅膠體，其吸收度與特徵波峰分別位於1.479與407 nm，數量分佈與懸浮穩定性皆為85.27 nm與14.8 mV。並針對奈米顆粒表面斥力小於膠體黏滯力所造成懸浮穩定性不佳之奈米銀銅膠體，使用電容充放電介入奈米銀銅膠體。使用穿透式電子顯微鏡分析三種奈米材料，純銀與純銅線製備奈米銀銅膠體，得知銀顆粒與銅顆粒晶格寬度分別約為0.234與0.207 nm；銀銅比例(92.

5：7.5)複合金屬線製備奈米銀銅膠體，得知銀顆粒與銅顆粒晶格寬度分別約為0.243與0.210 nm；銀銅比例(72：28)複合金屬線製備奈米銀銅膠體得知銀顆粒與銅顆粒晶格寬度分別約為0.241與0.211 nm。X射線繞射分析奈米銀銅顆粒晶格取向，純銀與純銅製備奈米銀銅膠體，其結果顯示銀與銅顆粒約為97：3之成分。複合金屬線製備奈米銀銅膠體，其結果顯示銀顆粒與銅顆粒測量之衍射峰皆有位移地產生，推測複合金屬線內部結構缺陷造成此結果的影響。使用奈米銀銅膠體作為氧化反應之催化劑，使一氧化碳加速轉化為二氧化碳之催化速率。在催化時間為1分鐘時，去離子水與奈米銀銅膠體一氧化碳濃度皆約為6 ~ 7ppm

，奈米銀銅膠體相對於去離子水二氧化碳濃度差約為160 ppm，三種材料所製備的奈米銀銅膠體皆可使一氧化碳加速轉化為二氧化碳。