金屬成分分析儀的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

金屬成分分析儀的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦李克駿,李克慧,李明逵寫的 半導體製程概論(第四版) 和盧亞玲的 儀器分析實驗都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自全華圖書 和化學工業所出版 。

國立臺北科技大學 環境工程與管理研究所 王立邦所指導 吳德懷的 利用焙燒暨酸浸法從廢棄LED晶粒中回收鎵金屬資源 (2021),提出金屬成分分析儀關鍵因素是什麼,來自於發光二極體、氮化鎵、鎵、回收、焙燒、浸漬。

而第二篇論文國立臺灣科技大學 應用科技研究所 何清華所指導 陳建霖的 三硫化磷鐵與三硒化磷鐵層狀半導體之單晶成長與特性研究 (2021),提出因為有 化學氣相傳導法、反鐵磁、過渡性金屬化三硫化物、過渡性金屬化三硒化物的重點而找出了 金屬成分分析儀的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了金屬成分分析儀,大家也想知道這些:

半導體製程概論(第四版)

為了解決金屬成分分析儀的問題,作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述:

  全書分為五篇,第一篇(1~3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4~9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10~24章)說明積體電路的製程。第四篇(25~26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27~28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色   1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。   2.從矽導體之物理概念開始,一直到半導體結構、能帶作完整的解說,使讀者學習到全盤知識

。   3.圖片清晰,使讀者一目瞭然更容易理解。   4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。

利用焙燒暨酸浸法從廢棄LED晶粒中回收鎵金屬資源

為了解決金屬成分分析儀的問題,作者吳德懷 這樣論述:

LED是發光二極體(Light Emitting Diode)的簡稱。由於LED燈具有節能、無汞等特性,在照明市場之需求日益增加,LED在許多領域已經取代了傳統光源(白熾燈、螢光燈等)。LED燈之高效率白光照明主要是由LED晶粒中氮化鎵(GaN)半導體所產生。隨著LED市場的擴大,未來將產生大量的LED廢棄物。因此,回收廢棄LED中所含的鎵金屬資源對於資源的可持續利用和環境保護都具有重要意義。本研究以廢棄LED燈珠為對象,利用焙燒與酸浸法從其LED晶粒中回收鎵金屬資源,主要包括三個部分:化學組成分析、氟化鈉焙燒處理與酸溶浸漬等。探討各項實驗因子包括焙燒溫度、焙燒時間、礦鹼比、酸浸漬種類及濃度

、浸漬時間、及浸漬固液比等,對於鎵金屬浸漬率之影響,並與各文獻方法所得到的鎵金屬浸漬效果進行比較。研究結果顯示,LED晶粒中含有鎵5.21 wt.%,氟化鈉焙燒暨酸溶浸漬之最佳條件為焙燒溫度900 ℃、焙燒時間3hr、礦鹼比1:6.95、鹽酸浸漬濃度0.5 M、浸漬溫度25 ℃、浸漬時間10mins、固液比2.86 g/L,鎵金屬浸漬率為98.4%。與各文獻方法相比較,本方法可於相對低溫且常壓下獲得較高之鎵金屬浸漬效果。

儀器分析實驗

為了解決金屬成分分析儀的問題,作者盧亞玲 這樣論述:

《儀器分析實驗》是在總結長期儀器分析實驗教學的基礎上,參考近年來國內外的儀器分析實驗教材,根據高等院校化學相關專業的教學要求,以及儀器分析的新發展和本校儀器利用的現狀編寫而成。共選取50個實驗,分佈在16章中,包括儀器分析實驗的基本知識、紫外-可見吸收光譜法、紅外吸收光譜法、螢光分光光度法、原子發射光譜分析法、原子吸收光譜分析法、原子螢光光譜分析法、電位分析法與離子選擇性電極、伏安分析法、庫侖分析法、氣相色譜法、高效液相色譜法、色譜-質譜聯用法、其他分析法、儀器分析的品質保證和品質控制、實驗資料的統計分析和類比,涵蓋儀器分析實驗核心內容。 《儀器分析實驗》適合於化學、化工、生物、食品、製藥、

資環等相關專業本專科學生使用,也可供高等學校相關專業師生和其他科技工作者參考。 盧亞玲,塔里木大學生命科學學院,副教授,主講課程:儀器分析、分離技術、分析化學等,校儀器分析重點課程負責人,主要從事分離分析研究。 第1章儀器分析實驗的基本知識1 1.1儀器分析的地位與作用1 1.2儀器分析實驗的基本要求2 1.3儀器分析實驗室安全規則2 1.4儀器分析實驗用水3 1.5玻璃器皿的洗滌4 第2章紫外-可見吸收光譜法7 2.1基本原理7 2.2儀器結構7 2.3分光光度計的類型9 2.4實驗內容10 實驗一紫外-可見吸收光譜法測定苯甲酸的含量10 實驗二雙波長法

同時測定維生素C和維生素E的含量12 實驗三紫外-可見吸收光譜法鑒定苯酚及其含量的測定13 實驗四高錳酸鉀和重鉻酸鉀混合物各組分含量的測定15 第3章紅外吸收光譜法17 3.1基本原理17 3.2儀器基本結構18 3.3實驗內容19 實驗五苯甲酸的紅外光譜測定19 實驗六有機化合物的紅外光譜分析21 實驗七紅外光譜法分析奶粉的品質22 第4章螢光分光光度法24 4.1基本原理24 4.2螢光分析儀器26 4.3實驗內容27 實驗八螢光分光光度法測定維生素B2的含量27 實驗九以8-羥基喹啉為絡合劑螢光法測定鋁的含量30 實驗十螢光法測定乙醯水楊酸和水楊酸含量31 第5章原子發射光譜分析法

33 5.1基本原理33 5.2儀器基本結構33 5.3實驗內容34 實驗十一火焰光度法測定自來水中的鉀、鈉34 實驗十二原子發射光譜分析測定礦泉水樣中的微量金屬元素36 第6章原子吸收光譜分析法39 6.1基本原理39 6.2原子吸收分光光度計40 6.3實驗內容42 實驗十三火焰原子吸收光譜法測定自來水中的鎂42 實驗十四火焰原子吸收光譜法測定鋅43 實驗十五石墨爐原子吸收光譜法測定自來水中的銅46 實驗十六石墨爐原子吸收光譜法測定食品中的微量鉛48 第7章原子螢光光譜分析法51 7.1基本原理51 7.2原子螢光光度計52 7.3實驗內容53 實驗十七氫化物原子螢光光譜法測定大豆中的

總砷53 實驗十八原子螢光光譜法測定食品中的硒55 第8章電位分析法與離子選擇性電極58 8.1基本原理58 8.2儀器結構58 8.3實驗內容61 實驗十九回應斜率及碳酸飲料pH值的測定61 實驗二十氯離子的自動電位滴定63 實驗二十一自動電位滴定法測定果汁中的可滴定酸64 實驗二十二電位滴定法測定醬油中的氨基酸總量65 第9章伏安分析法67 9.1基本原理67 9.2儀器結構67 9.3實驗內容70 實驗二十三微分脈衝伏安法測定水樣中的微量銅70 實驗二十四迴圈伏安法測定鐵氰化鉀的電極反應過程71 實驗二十五維生素B12在玻碳電極上的伏安行為及測定73 實驗二十六單掃描極譜法同時測定水

中的鉛和鎘74 第10章庫侖分析法76 10.1基本原理76 10.2儀器結構76 10.3實驗內容77 實驗二十七庫侖滴定法測定蔬菜和水果中的維生素C含量77 實驗二十八庫侖滴定法標定Na2S2O3溶液的濃度78 實驗二十九恒電流庫侖滴定法測定砷80 第11章氣相色譜法82 11.1基本原理82 11.2儀器結構82 11.3實驗技術83 11.4實驗內容85 實驗三十氣相色譜法測定酒中乙醇的含量85 實驗三十一毛細管氣相色譜法測定水中的揮發性苯系物87 實驗三十二氣相色譜法測定白酒中的微量香味成分89 實驗三十三氣相色譜法快速測定各種常規氣體90 實驗三十四氣相色譜法測定蔬菜中有機磷農

藥殘留量91 第12章高效液相色譜法94 12.1基本原理94 12.2儀器結構95 12.3實驗內容96 實驗三十五高效液相色譜法測定咖啡因含量96 實驗三十六高效液相色譜法測定飲料中的防腐劑97 實驗三十七高效液相色譜法測定對羥基苯甲酸酯類化合物99 實驗三十八高效液相色譜法測定食品中蘇丹紅染料101 實驗三十九離子色譜法測定水中常見陰離子103 實驗四十凝膠滲透色譜法測定聚合物分子量分佈105 實驗四十一凝膠色譜法測定聚乙二醇108 第13章色譜-質譜聯用法110 13.1基本原理110 13.2質譜儀結構110 13.3液相色譜-質譜法111 13.4氣相色譜-質譜法112 13.

5實驗內容112 實驗四十二高效液相色譜-串聯三重四極杆質譜聯用法測定牛奶中的氯黴素殘留量112 實驗四十三高效液相色譜-三重四極杆質譜法測定化妝品中禁用物質甲硝唑114 實驗四十四氣質聯用(GC-MS)法分析葡萄酒中揮發性物質116 實驗四十五氣質聯用(GC-MS)法分析食用油中的脂肪酸117 第14章其他分析法119 實驗四十六核磁共振波譜儀的工作原理及結構簡介119 實驗四十七1H NMR測定蘆丁123 實驗四十八利用13C NMR鑒定乙苯125 實驗四十九X射線衍射物相分析126 實驗五十毛細管電泳法測定阿司匹林中的水楊酸130 第15章儀器分析的品質保證和品質控制133 15.1

品質保證與品質控制概述133 15.2分析全過程的品質保證與品質控制137 15.3標準方法與標準物質143 15.4不確定度和溯源性144 15.5實驗室認可、計量認證及審查認可145 第16章實驗資料的統計分析和類比147 16.1相關概念147 16.2誤差的來源與消除方法150 16.3分析結果的表示方法152 16.4實驗資料的統計分析153 16.5實驗的電腦類比159 參考文獻160

三硫化磷鐵與三硒化磷鐵層狀半導體之單晶成長與特性研究

為了解決金屬成分分析儀的問題,作者陳建霖 這樣論述:

本論文利用化學氣相傳導法成功生長三硫化磷鐵和三硒化磷鐵晶體,皆為單晶層狀反鐵磁性材料,樣品表面呈金屬亮面且容易撕薄。首先利用能量散佈光譜儀確認晶體的成分比例為1:1:3與X射線光電子能譜儀確認所含之元素化學態和電子態,結果符合預期。接著利用X射線晶體繞射分析儀分析出材料結構和晶格常數,結果顯示三硫化磷鐵為單斜晶系而三硒化磷鐵為六方晶系,低溫X-光繞射也發現三硫化磷鐵和三硒化磷鐵因結構改變產生新的峰值,而晶格常數也隨著溫度變低而變小,在變溫拉曼實驗中,首先將樣品利用機械撥離法撕成微奈米級通過波長532 奈米的雷射激發,三硫化磷鐵主要顯示四種拉曼振動模態而三硒化磷鐵則有三種拉曼振動模態,隨著溫度

下降拉曼模態往高波數位移,實驗結果中也發現三硫化磷鐵在峰值98 cm-1位置當溫度高於120 K時,出現寬且不對稱的峰,且當溫度低於60K時,此98 cm-1的峰分離為兩個尖峰,我們推測此振動模態可能與材料磁性有關,為了找出拉曼光譜與磁性的相關性,我們利用超導量子干涉磁量儀量測三硫化磷鐵和三硒化磷鐵變溫磁特性,結果發現他們的尼爾溫度分別在120K與110K,其中三硫化磷鐵磁矩方向改變的溫度與拉曼峰98 cm-1改變的溫度相近。本論文持續探討三硫化磷鐵和三硒化磷鐵的光學與電學特性,三硫化磷鐵的能隙位置由室溫到低溫為1.32到1.41 eV,三硒化磷鐵能隙位置則在0.75到0.85 eV,它們屬於

間接能隙,熱探針實驗中三硫化磷鐵以及三硒化磷鐵的主要載子為電洞,在四點量測變溫電阻率實驗中,三硫化磷鐵和三硒化磷鐵之電阻率分別為1.7k (Ω-cm)和116 (Ω-cm)並且隨著溫度降低而電阻率變大符合一般半導體的特性,經過霍爾量測的計算結果三硒化磷鐵載子濃度為1016 cm-3,載子遷移率為3 (cm2/V·Sec)。