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金剛石導電的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
金剛石導電的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦劉恩科寫的 半導體物理學（第7版） 和牛勝國的 綠卡圖書.初中化學知識大全都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自電子工業 和湖南師範大學所出版 。
國立臺北科技大學 機電學院機電科技博士班 林啟瑞、孫殷同所指導 陳偉恩的 高鍵結聚晶鑽石材料之製備與開發 （2019），提出金剛石導電關鍵因素是什麼，來自於鑽石、含硼鑽石、聚晶鑽石複合材料、熱平衡。
而第二篇論文國立臺灣師範大學 機電工程學系 陳順同、鄭慶民所指導 邱韋傑的 一種線上加速度精密電解法於倒錐微孔噴嘴成形研究 （2019），提出因為有 加速度精密電解加工技術、倒錐微孔、同位電解、周面絕緣的重點而找出了 金剛石導電的解答。
半導體物理學（第7版）
為了解決金剛石導電 的問題，作者劉恩科 這樣論述：
本書以正確闡述物理概念為主，輔以必要的數學推導，理論分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹沒在繁瑣的數學運算中，使讀者通過學習，達到對半導體中的各種基本物理現象有一全面正確的概念，建立起清晰的半導體物理圖像，為後續課程的學習，研究工作的開展，理解各種半導體器件，積體電路的工作機理打下良好的基礎。 西安交通大學電子與資訊工程學院微電子學系教授﹑博士生導師，一直從事教學及科研工作。對本科生講授過《普通物理學》﹑《原子物理學》﹑《固體物理學》﹑《半導體物理學》，《半導體物理與器件》﹑《半導體器件工藝》﹑《半導體物理與工藝實驗》。對碩士生講授過《太陽電池物理》﹑《半導體集成光學》
。對博士生講授過《半導體光電子學和光集成》等課程。 第1章 半導體中的電子狀態 1.1 半導體的晶格結構和結合性質 1.1.1 金剛石型結構和共價鍵 1.1.2 閃鋅礦型結構和混合鍵 1.1.3 纖鋅礦型結構 3 1.2 半導體中的電子狀態和能帶 4 1.2.1 原子的能級和晶體的能帶 4 1.2.2 半導體中電子的狀態和能帶 1.2.3 導體、半導體、絕緣體的能帶 1.3 半導體中電子的運動 有效品質 1.3.1 半導體中 E(k)與k 的關係［3］ 1.3.2 半導體中電子的平均速度 1.3.3 半導體中電子的加速度 1.3.4 有效品質的意義 1.4 本征半導體的導電
機構空穴 ［3］ 1.5 迴旋共振［4］ 1.5.1 k 空間等能面 1.5.2 迴旋共振 1.6 矽和鍺的能帶結構 1.6.1 矽和鍺的導帶結構 1.6.2 矽和鍺的價帶結構 1.7 ⅢⅤ族化合物半導體的能帶結構 ［7］ 1.7.1 銻化銦的能帶結構 1.7.2 砷化鎵的能帶結構 ［8］ 1.7.3 磷化鎵和磷化銦的能帶結構 1.7.4 混合晶體的能帶結構 ★1.8 ⅡⅥ族化合物半導體的能帶結構 ★1.8.1 二元化合物的能帶結構 ★1.8.2 混合晶體的能帶結構 ★1.9 Si 1- x Ge x 合金的能帶 ★1.10 寬禁帶半導體材料 ★1.10.1 GaN、AlN的晶格結構和能帶
［18］ ★1.10.2 SiC的晶格結構與能帶 習題 參考資料 第2章 半導體中雜質和缺陷能級 2.1 矽、鍺晶體中的雜質能級 2.1.1 替位式雜質 間隙式雜質 2.1.2 施主雜質、施主能級 2.1.3 受主雜質、受主能級 39 2.1.4 淺能級雜質電離能的簡單計算 ［２，３］ 2.1.5 雜質的補償作用 2.1.6 深能級雜質 2.2 ⅢⅤ族化合物中的雜質能級 ★2.3 氮化鎵、氮化鋁、碳化矽中的雜質能級 0 2.4 缺陷、位錯能級 2.4.1 點缺陷 2.4.2 位錯 3 習題 參考資料 5 第3章 半導體中載流子的統計分佈 3.1 狀態密度 ［1，2］ 3.1.1 k空間
中量子態的分佈 3.1.2 狀態密度 3.2 費米能級和載流子的統計分佈 3.2.1 費米分佈函數 3.2.2 玻耳茲曼分佈函數 3.2.3 導帶中的電子濃度和價帶中的空穴濃度 3.2.4 載流子濃度乘積n ０p ０ 3.3 本征半導體的載流子濃度 3.4 雜質半導體的載流子濃度 3.4.1 雜質能級上的電子和空穴 3.4.2 n型半導體的載流子濃度 3.5 一般情況下的載流子統計分佈 3.6 簡並半導體 ［2，5］ 3.6.1 簡並半導體的載流子濃度 3.6.2 簡並化條件 3.6.3 低溫載流子凍析效應 3.6.4 禁帶變窄效應 3.7 電子佔據雜質能級的概率 ［2，6，7］ 3.7.1
電子佔據雜質能級概率的討論 3.7.2 求解統計分佈函數 習題 參考資料 第4章 半導體的導電性 4.1 載流子的漂移運動和遷移率 4.1.1 歐姆定律 4.1.2 漂移速度和遷移率 4.1.3 半導體的電導率和遷移率 4.2 載流子的散射 4.2.1 載流子散射的概念 4.2.2 半導體的主要散射機構 ［1］ 4.3 遷移率與雜質濃度和溫度的關係 4.3.1 平均自由時間和散射概率的關係 4.3.2 電導率、遷移率與平均自由時間的關係 4.3.3 遷移率與雜質和溫度的關係 4.4 電阻率及其與雜質濃度和溫度的關係 4.4.1 電阻率和雜質濃度的關係 4.4.2 電阻率隨溫度的變化 ★4.5
玻耳茲曼方程 ［１１］ 、電導率的統計理論 ★4.5.1 玻耳茲曼方程 ★4.5.2 弛豫時間近似 ★4.5.3 弱電場近似下玻耳茲曼方程的解 ★4.5.4 球形等能面半導體的電導率 4.6 強電場下的效應 ［１２］ 、熱載流子 4.6.1 歐姆定律的偏離 ★4.6.2 平均漂移速度與電場強度的關係 ★4.7 多能谷散射、耿氏效應 ★4.7.1 多能穀散射、體內負微分電導 ★4.7.2 高場疇區及耿氏振盪 習題 參考資料 第5章 非平衡載流子 5.1 非平衡載流子的注入與複合 5.2 非平衡載流子的壽命 5.3 准費米能級 5.4 複合理論 5.4.1 直接複合 5.4.2 間接複合 5.
4.3 表面複合 5.4.4 俄歇複合 5.5 陷阱效應 5.6 載流子的擴散運動 5.7 載流子的漂移擴散，愛因斯坦關係式 5.8 連續性方程式 5.9 矽的少數載流子壽命與擴散長度 參考資料 第6章 pn結 6.1 pn結及其能帶圖 6.1.1 pn結的形成和雜質分佈 ［１～３］ 6.1.2 空間電荷區 6.1.3 pn結能帶圖 6.1.4 pn結接觸電勢差 6.1.5 pn結的載流子分佈 6.2 pn結電流電壓特性 6.2.1 非平衡狀態下的pn結 6.2.2 理想pn結模型及其電流電壓方程 ［４］ 6.2.3 影響pn結電流電壓特性偏離理想方程的各種因素 ［1，2，5］ 6.3 pn
結電容 ［1，2，6］ 6.3.1 pn結電容的來源 6.3.2 突變結的勢壘電容 6.3.3 線性緩變結的勢壘電容 6.3.4 擴散電容 6.4 pn結擊穿 ［1，2，8，9］ 6.4.1 雪崩擊穿 6.4.2 隧道擊穿(齊納擊穿) ［１0］ 6.4.3 熱電擊穿 6.5 pn結隧道效應 ［1，10］ 習題 參考資料 第7章 金屬和半導體的接觸 7.1 金屬半導體接觸及其能級圖 7.1.1 金屬和半導體的功函數 7.1.2 接觸電勢差 7.1.3 表面態對接觸勢壘的影響 7.2 金屬半導體接觸整流理論 7.2.1 擴散理論 7.2.2 熱電子發射理論 7.2.3 鏡像力和隧道效應的影響 7
.2.4 肖特基勢壘二極體 7.3 少數載流子的注入和歐姆接觸 7.3.1 少數載流子的注入 7.3.2 歐姆接觸 習題 參考資料 第8章 半導體表面與MIS結構 8.1 表面態 8.2 表面電場效應 ［5，6］ 8.2.1 空間電荷層及表面勢 8.2.2 表面空間電荷層的電場、電勢和電容 8.3 MIS結構的CV特性 8.3.1 理想MIS結構的CV特性 ［5，7］ 8.3.2 金屬與半導體功函數差對MIS結構CV特性的影響 ［5］ 8.3.3 絕緣層中電荷對MIS結構CV特性的影響 ［7］ 8.4 矽—二氧化矽系統的性質 ［7］ 8.4.1 二氧化矽中的可動離子 ［8］ 8.4.
2 二氧化矽層中的固定表面電荷 ［7］ 8.4.3 在矽—二氧化矽介面處的快介面態 ［5］ 8.4.4 二氧化矽中的陷阱電荷 ［7］ 8.5 表面電導及遷移率 8.5.1 表面電導 ［1］ 8.5.2 表面載流子的有效遷移率 ★8.6 表面電場對pn結特性的影響 ［7］ ★8.6.1 表面電場作用下pn結的能帶圖 ★8.6.2 表面電場作用下pn結的反向電流 ★8.6.3 表面電場對pn結擊穿特性的影響 ★8.6.4 表面純化 習題 參考資料 第9章 半導體異質結構 9.1 半導體異質結及其能帶圖 ［7～9］ 9.1.1 半導體異質結的能帶圖 9.1.2 突變反型異質結的接觸電勢差及勢壘區寬
度 9.1.3 突變反型異質結的勢壘電容 ［4～8］ 9.1.4 突變同型異質結的若干公式 9.2 半導體異質pn結的電流電壓特性及注入特性 9.2.1 突變異質pn結的電流—電壓特性 ［7，17］ 9.2.2 異質pn結的注入特性 ［17］ 9.3 半導體異質結量子阱結構及其電子能態與特性 9.3.1 半導體調製摻雜異質結構介面量子阱 9.3.2 雙異質結間的單量子阱結構 9.3.3 雙勢壘單量子阱結構及共振隧穿效應 ［25］ ★9.4 半導體應變異質結構 ★9.4.1 應變異質結 ★9.4.2 應變異質結構中應變層材料能帶的改性 ★9.5 GaN基半導體異質結構 ★9.5.1 GaN,Al
GaN和InGaN的極化效應 ★9.5.2 Al x Ga 1- x N/GaN異質結構中二維電子氣的形成 ★9.5.3 In x Ga 1- x N/GaN異質結構 9.6 半導體超晶格 習題 參考資料 第10章 半導體的光學性質和光電與發光現象 10.1 半導體的光學常數 10.1.1 折射率和吸收係數 10.1.2 反射係數和透射係數 10.2 半導體的光吸收 ［1，2］ 10.2.1 本征吸收 10.2.2 直接躍遷和間接躍遷 10.2.3 其他吸收過程 10.3 半導體的光電導 ［6，7］ 10.3.1 附加電導率 10.3.2 定態光電導及其弛豫過程 10.3.3 光電導靈敏度及
光電導增益 10.3.4 複合和陷阱效應對光電導的影響 10.3.5 本征光電導的光譜分佈 10.3.6 雜質光電導 10.4 半導體的光生伏特效應 ［8］ 10.4.1 pn結的光生伏特效應 10.4.2 光電池的電流電壓特性 10.5 半導體發光 ［9，10］ 10.5.1 輻射躍遷 10.5.2 發光效率 10.5.3 電致發光激發機構 10.6 半導體鐳射 ［11～14］ 10.6.1 自發輻射和受激輻射 10.6.2 分佈反轉 10.6.3 pn結雷射器原理 10.6.4 鐳射材料 10.7 半導體異質結在光電子器件中的應用 10.7.1 單異質結雷射器 10.7.2 雙異質結雷射器
10.7.3 大光學腔雷射器 習題 參考資料 第11章 半導體的熱電性質 11.1 熱電效應的一般描
高鍵結聚晶鑽石材料之製備與開發
為了解決金剛石導電 的問題，作者陳偉恩 這樣論述：
聚晶鑽石複合片(Polycrystalline Composite Diamond, PCD)，廣泛用於切削刀具和其耐磨耗性等相關領域的因應實務，所以耐磨耗程度就是最為重要的特性，而耐磨耗的特性和其熱穩定性有值得重視和探討的正相關，在大多數的情況下，高熱穩定性會帶來高耐磨耗的特性。耐磨耗性的提升，可以由提高鑽石濃度和降低鈷的濃度比例來達成。透過混合含硼鑽石細顆粒於含氮鑽石粗顆粒的方式，可以獲得提高鑽石集中度且降低粗顆粒鑽石孔隙中含鈷的比例，理論上可藉由控制達到降低鈷的含量約50%，鑽石顆粒之間的孔隙有大幅減少的趨勢，聚晶鑽石複合片的耐磨特性在切削加工的應用效果希望因此進而提升。由於含硼鑽石具
有微導電性，優異的化學惰性，抗氧化溫度較高，及特殊的機械特性(例如低摩擦係數)，本研究基於這些特性展開了以下工作：(1) 製備不同種類但相同顆粒尺寸的鑽石微粉，透過改變微粉顆粒尺寸而導致反應溫度變化的實驗，得出在同顆粒尺寸下，含硼鑽石確實擁有高於含氮鑽石約100~150℃的耐熱溫度之結論。(2) 以最佳合成參數製備出4種不同配比的鑽石複合片，紀錄4種鑽石複合片在空氣中溫度上升時鑽石表面的變化，並利用電子顯微鏡來觀察其孔隙產生的先後，確認高含硼量的鑽石複合片就擁有較高的耐熱特性，最高可達1100℃才全部石墨化。 (3) 在高活性的合金上加熱觀察鑽石複合片的表面變化，確認含硼鑽石複合片相比含氮鑽石
複合片來說，能夠有效減少在高溫下和金屬的反應。 (4) 利用高活性合金製成的金屬壓頭來測試鑽石複合片的磨擦係數，藉此驗證在一定工作溫度下，因為B2O3的產生而使含硼鑽石複合片有較低的磨擦係數。 (5) 利用線切割放電加工機切割4種鑽石複合片，確認因為替換含硼顆粒而擁有較好的切削刃口品質。 (6) 觀察以鑽石複合片專用刀具磨床，利用#800的砂輪進行粗磨，確認粗磨會破壞線切割後較好的切削刃口品質。 (7) 觀察以鑽石複合片專用刀具磨床，利用#2000的砂輪進行精磨，確認精磨能夠提升切削刃口品質。本研究取得了以下創新成果: 利用鑽石內含化學元素之不同而產生的耐熱特性之差異，以耐熱特性較高的含硼鑽石
微粉取代傳統耐熱性較低的含氮鑽石微粉，改善以往在高溫高壓合成過程中，細顆粒鑽石因為不耐高溫而石墨化所導致觸媒無法向上掃躍進而鑽石鍵結大量減少的問題，製備出超高鑽石鍵結的鑽石複合片。
綠卡圖書.初中化學知識大全
為了解決金剛石導電 的問題，作者牛勝國 這樣論述：
根據教育部審定的最新初中化學教材編寫，涵蓋初中化學的全部內容。1. 配最新教材：以教育部最新審定的教材和課程標准編寫，涵蓋新課標規定的全部內容。2. 重點突出：精心研究5年中考真題，使中考最常考知識點一目了然。3. 目錄詳細：將知識點細化，詳細呈現在目錄中，方便查閱，提高效率。4. 附贈手冊：贈「初中必備化學方程式」手冊，方便學生隨時隨地的記憶關鍵內容。5. 免費下載：用手機二維碼軟件掃描封底二維碼可以免費下載「初中化學必備知識點」。 第一單元 走進化學世界課題1 物質的變化和性質1.化學22.化學的作用23.化學發展史34.物理變化和化學變化3（實驗） 探究物質的變化35.
物理性質和化學性質5（實驗） 用燃着的小木條檢驗氣體66.物質的性質與物質的變化的區別與聯系6課題2 化學是一門以實驗為基礎的科學1.化學實驗82.科學探究83.對蠟燭及其燃燒的探究84.對人體吸入的空氣和呼出的氣體的探究95.排水集氣法106.實驗的設計與探究11課題3 走進化學實驗室1.化學實驗安全132.常見儀器的形狀及名稱143.化學藥品的存放和取用原則154.固體藥品的取用165.液體藥品的取用16（實驗） 液體藥品的取用176.物質的稱量187.酒精燈的使用方法18（實驗） 酒精燈的火焰188.給試管加熱19（實驗） 給物質加熱199.連接儀器裝置1910.檢查裝置的氣密性2011
.洗滌玻璃儀器20第二單元 我們周圍的空氣課題1 空氣1.空氣成分的發現232.實驗：空氣中氧氣含量的測定243.空氣的成分254.混合物和純凈物265.空氣是一種寶貴的資源266.保護空氣27課題2 氧氣1.氧氣的物理性質302.氧氣的檢驗31（實驗） 氧氣的檢驗313.氧氣的化學性質314.化學實驗現象的觀察和描述325.氧氣的用途336.化合反應337.氧化反應348.容易混淆的兩組概念35課題3 制取氧氣1.用高錳酸鉀或氯酸鉀和二氧化錳混合物制氧氣37（實驗） 加熱高錳酸鉀制取氧氣372.分解過氧化氫溶液制取氧氣38（探究） 分解過氧化氫制氧氣的反應中二氧化錳的作用393.催化劑和催化
作用404.氧氣的工業制法405.分解反應40單元真題演練42第三單元 物質構成的奧秘課題1 分子和原子1.物質由微觀粒子構成442.分子的性質44（實驗） 分子的運動44（探究） 分子運動的現象453.分子可以分為原子464.原子47課題2 原子的結構1.原子的構成492.原子核外電子的排布493.離子514.相對原子質量52課題3 元素1.元素552.元素與原子及物質組成的關系563.元素符號564.元素周期表57單元真題演練59第四單元 自然界的水課題1 愛護水資源1.人類擁有的水資源612.愛護水資源62課題2 水的凈化1.水的凈化65（實驗） 明礬凈水652.過濾66（實驗） 過濾6
63.蒸餾674.硬水和軟水68（實驗） 用肥皂水區分軟水和硬水68課題3 水的組成1.從氫氣的燃燒探究水的組成70（實驗） 氫氣的燃燒702.從水的電解探究水的組成70（探究） 水的組成703.水的性質714.單質和化合物725.氧化物73課題4 化學式與化合價1.化學式742.化學式表示的意義753.化合價764.化合價的應用775.有關相對分子質量的計算79單元真題演練81第五單元 化學方程式課題1 質量守恆定律1.質量守恆定律83（探究） 化學反應前后物質的質量關系83（實驗） 質量守恆定律184（實驗） 質量守恆定律2852.化學方程式863.質量守恆定律與化學方程式86課題2 如何
正確書寫化學方程式1.化學方程式的書寫892.化學方程式的配平90課題3 利用化學方程式的簡單計算1.利用化學方程式的簡單計算932.根據化學方程式計算的注意事項933.有關化學方程式計算的基本類型94單元真題演練97第六單元 碳和碳的氧化物課題1 金剛石、石墨和C601.碳的常見單質99（實驗） 活性炭的吸附性1002.碳的化學性質100（實驗） 木炭還原氧化銅101（實驗） 石墨導電101（實驗） 生成炭黑的實驗1013.氧化反應與還原反應102課題2 二氧化碳制取的研究1.二氧化碳的制取1032.氧氣、二氧化碳實驗室制法的比較1043.制取氣體的一般思路105課題3 二氧化碳和一氧化碳1
.二氧化碳的性質108（實驗） 二氧化碳的性質108（實驗） 二氧化碳的物理性質108（實驗） 二氧化碳與水的反應1092.二氧化碳對生活和環境的影響1103.一氧化碳111（實驗） 一氧化碳還原氧化銅1114.一氧化碳與二氧化碳的性質對比112單元真題演練114第七單元 燃料及其利用課題1 燃燒和滅火1.燃燒的條件116（實驗） 燃燒的條件1172.滅火的原理和方法117（探究） 滅火的原理117（探究） 滅火器原理1173.易燃物和易爆物的安全知識118（實驗） 粉塵爆炸實驗118課題2 燃料的合理利用與開發1.化學反應中的能量變化122（實驗） 化學反應中的熱量變化1222.化石燃料的利
用122（實驗） 甲烷的燃燒1233.使用燃料對環境的影響1244.能源的利用與開發125單元真題演練127第八單元 金屬和金屬材料課題1 金屬材料1.金屬材料1302.金屬的物理性質1313.物質性質與用途的關系1314.合金132（實驗） 合金的特性132課題2 金屬的化學性質1.金屬與氧氣的反應1352.金屬與鹽酸、稀硫酸的反應136（實驗） 金屬與鹽酸、稀硫酸的反應1363.置換反應1384.金屬活動性順序138（實驗） 金屬活動性順序138課題3 金屬資源的利用和保護1.金屬在自然界中的存在1412.一氧化碳還原氧化鐵1423.工業煉鐵1434.含雜質化學反應的計算1435.金屬的腐
蝕與防護144（探究） 鐵制品銹蝕的條件1446.金屬資源保護145單元真題演練147……第九單元 溶液第十單元 酸和鹼第十一單元 鹽 化肥第十二單元 化學與生活第十三單元 化學實驗
一種線上加速度精密電解法於倒錐微孔噴嘴成形研究
為了解決金剛石導電 的問題，作者邱韋傑 這樣論述：
本研究旨在開發「加速度精密電解加工技術(Acceleration Precision Electro-Chemical Machining, A-PECM)」，目的在成形具有倒錐造型的噴嘴微孔，應用於如生醫方面的藥物塗佈、汽車工業的柴油引擎及半導體產業的濕式蝕刻等的噴嘴用途。實驗之初，先行開發一部「桌上型精微電解加工系統」，並提出「同位電解法(In-situ ECM)」，使精微鑽孔與精微電解兩製程能在同軸心條件下，精準對位創成。微孔電解所用電極係為直徑 0.1 mm的實心碳化鎢圓軸。為獲得高可控制性的電場分佈，實驗規劃以環氧樹脂絕緣法(Epoxy resin isolation)進行周
面絕緣，只讓端部裸露導電。為獲得精密的倒錐微孔，本研究提出「加速度精密電解加工技術」電極於微孔內以一固定的加速度，由下而上進給，經由電極進給速度緩增，使微孔孔壁的電場強度由大逐漸變小，故孔壁的金屬溶解率(Metal Dissolution Rate, MDR)隨之緩降，進而創成倒錐微孔。並且，微孔中的電解液採由下而上的方向流動，以維持電解液濃度的一致性，使成形具高一致性孔壁的倒錐微孔。實驗結果顯示，電極以加速度1.0及2.0 m/s2於孔內進給時，可創造出0.09及0.02錐率的倒錐微孔，且微孔的表面粗糙度Ra小於 0.8 m，符合商用(柴油引擎)噴嘴微孔的標準。成形的倒錐微孔接以「二流體
噴嘴」進行測試，發現在氣體壓力0.12 MPa及液體壓力0.04 MPa條件下，因錐孔兩端直徑的差異，能使錐率0.02和0.09的微孔分別獲得23°及31°的霧化角度，證實本研究所提出的「加速度精密電解加工法」，著實能成形精密倒錐微孔，此項技術深具商業化價值。