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透明導電膜ito的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
透明導電膜ito的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦周聖軍劉勝寫的 氮化鎵基發光二極體晶元設計與製造技術 和田民波的 創新材料學都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自科學 和五南所出版 。
國立中央大學 光電科學與工程學系 張瑞芬所指導 黃冠儒的 高效率有機/無機複合式垂直發光電晶體 （2020），提出透明導電膜ito關鍵因素是什麼，來自於有機、外部量子效應、垂直電晶體、氧化鋅、有機發光二極體。
而第二篇論文國立中央大學 光電科學與工程學系 張瑞芬所指導 吳宇霈的 微型化垂直發光電晶體之面板研究 （2020），提出因為有 垂直發光電晶體、微型化面板、有機發光二極體的重點而找出了 透明導電膜ito的解答。
氮化鎵基發光二極體晶元設計與製造技術
為了解決透明導電膜ito 的問題，作者周聖軍劉勝 這樣論述：
基於作者多年從事GaN基LED晶片設計與製造技術的研究成果和產業化經驗，從理論和實踐兩個方面分別論述了GaN基LED晶片的設計與製造技術。 《氮化鎵基發光二極體晶片設計與製造技術》共10章，內容包括：LED的發展歷史與研究現狀，LED工作原理與LED光學、電學和色度學參數，壓電極化與量子限制斯塔克效應，藍光/綠光/紫外LED外延結構設計與材料生長，LED晶片製造工藝，LED晶片電流擴展特性，水準結構/倒裝結構/高壓LED晶片設計和製造，LED晶片失效機理與可靠性分析，以及新型LED器件。 第1章 緒論 1 1.1 LED發展歷史 1 1.2 LED國內外研究現狀 4 1
.2.1 LED外延生長技術與襯底材料 4 1.2.2 LED晶片結構研究現狀 16 1.2.3 LED晶片光提取效率研究現狀 21 參考文獻 35 第2章 LED基本原理 46 2.1 LED工作原理 46 2.2 輻射複合與非輻射複合 48 2.3 內量子效率與外量子效率 49 2.3.1 內量子效率 49 2.3.2 光提取效率 53 2.3.3 外量子效率 55 2.4 LED的特性參數 56 2.4.1 LED的光學參數 56 2.4.2 LED的色度學參數 59 2.4.3 LED的電學參數 63 2.4.4 LED的熱學參數 66 2.5 歐姆接觸電極 66 2.5.1 歐姆接
觸簡介 66 2.5.2 歐姆接觸原理 67 2.5.3 歐姆接觸的測量 69 2.5.4 金屬與p-AlGaN和p-GaN接觸特性 72 2.6 極化電場與量子限制斯塔克效應 80 2.6.1 InN、GaN和AlN的晶體結構和極性 80 2.6.2 自發極化與壓電極化 82 2.6.3 量子限制斯塔克效應 87 參考文獻 89 第3章 LED外延結構設計與材料生長 94 3.1 Ⅲ族氮化物晶體結構 94 3.2 GaN外延測試分析與表徵手段 97 3.2.1 原子力顯微鏡 97 3.2.2 掃描電子顯微鏡 98 3.2.3 透射電子顯微鏡 98 3.2.4 光致發光 99 3.2.5 電
致發光 99 3.2.6 陰極螢光 100 3.2.7 霍爾測試 101 3.2.8 拉曼散射 101 3.2.9 高分辨X射線衍射 102 3.3 GaN基LED外延生長 104 3.3.1 薄膜生長模式 104 3.3.2 MOCVD兩步法生長GaN 105 3.3.3 GaN基藍光LED 106 3.3.4 GaN基綠光LED 113 3.3.5 GaN基紫外LED 142 參考文獻 166 第4章 LED晶片製造工藝 179 4.1 光刻工藝 179 4.1.1 LED外延片清洗 179 4.1.2 塗膠 180 4.1.3 軟烘 180 4.1.4 曝光和顯影 180 4.2 刻蝕
工藝 181 4.2.1 藍寶石襯底的刻蝕 181 4.2.2 ITO材料的刻蝕 185 4.2.3 SiO2材料的沉積與刻蝕 188 4.2.4 GaN材料的刻蝕 190 4.2.5 ICP工藝參數對GaN刻蝕影響 195 4.3 薄膜澱積與退火工藝 215 4.4 藍寶石襯底背減薄和拋光工藝 218 4.4.1 工藝流程 219 4.4.2 工藝優化 220 4.5 藍寶石襯底剝離技術 222 4.5.1 鐳射剝離技術 222 4.5.2 化學剝離技術 223 4.5.3 機械剝離技術 225 4.5.4 複合剝離技術 226 4.6 工藝集成 227 參考文獻 232 第5章 LED晶
片電流擴展特性 238 5.1 電流聚集效應 238 5.1.1 電流擴展路徑 238 5.1.2 電流擴展模型 240 5.1.3 電流聚集效應對LED晶片光提取效率的影響 243 5.2 電-熱耦合模擬模型 248 5.2.1 LED晶片有源區一維特性 248 5.2.2 LED晶片三維電流擴展特性 250 5.2.3 LED晶片中熱的產生和傳遞 251 5.3 電流擴展模擬分析 253 5.3.1 SlimuLED軟體介紹 253 5.3.2 藍光LED晶片電流擴展模擬 253 5.3.3 紫外LED晶片電流擴展模擬 258 參考文獻 266 6章 高效率水準結構LED晶片 269 6
.1 藍寶石圖形襯底技術 269 6.2 側壁空氣間隙結構 271 6.3 側壁波浪狀微結構 275 6.4 圖形化ITO 276 6.5 電流阻擋層 287 6.6 圖形化電流阻擋層 294 6.7 低光損失電極結構 298 6.8 金屬線網格透明導電電極 301 6.9 底部反射鏡 306 參考文獻 313 第7章 倒裝結構LED晶片 319 7.1 倒裝LED晶片電極結構優化設計 319 7.1.1 倒裝LED晶片電極結構 319 7.1.2 倒裝LED晶片電流擴展模擬 320 7.2 高反射率低阻p型歐姆接觸電極 323 7.2.1 Ni/Ag 323 7.2.2 ITO/DBR 3
28 7.2.3 Ni/Ag和ITO/DBR對比 338 7.2.4 Ag/TiW和ITO/DBR對比 342 參考文獻 348 第8章 高壓LED晶片 352 8.1 高壓直流LED晶片 353 8.1.1 高壓直流LED工作原理 353 8.1.2 LED單胞陣列佈局方式優化設計 353 8.1.3 LED單胞間光子耦合傳播機制 356 8.2 高壓交流LED晶片 359 8.2.1 高壓交流LED工作原理 359 8.2.2 惠斯通電橋結構高壓交流LED晶片 360 8.3 高壓直流/交流LED晶片光電性能 362 參考文獻 365 第9章 LED晶片失效機理與可靠性分析 368 9
.1 位元錯對LED晶片可靠性的影響 368 9.2 結溫對大功率LED晶片光衰的影響 373 9.3 LED晶片正向/反向漏電流 376 9.3.1 LED晶片漏電流簡介 376 9.3.2 LED晶片正向漏電流產生機理 382 9.3.3 LED晶片反向漏電流產生機理 385 9.3.4 反向漏電流與LED可靠性 395 9.3.5 加速壽命試驗 396 9.4 p-GaN粗化與電極焊盤色差 398 參考文獻 404 第10章 新型LED器件 408 10.1 Micro-LED晶片 408 10.2 納米柱LED 413 10.3 偏振光LED 416 10.4 半極性/非極性LED
421 參考文獻 423
高效率有機/無機複合式垂直發光電晶體
為了解決透明導電膜ito 的問題，作者黃冠儒 這樣論述：
本論文研究整合無機氧化鋅電晶體和有機發光二極體(OLED)，製作高效率之垂直發光電晶體。氧化鋅電晶體為上接觸/下閘極之結構，依序以透明導電膜(ITO)為閘極，接著使用原子層沉積製作三氧化二鋁和氧化鉿作為高介電係數之雙介電層以及 N 型氧化鋅半導體層，接著以光學微影的方式，利用 LOR 及光阻的雙層結構，鍍製絕緣層氧化矽包覆銀源極來抑制關狀態電流，最後在氧化鋅電晶體上方堆疊OLED，OLED 陽極即為垂直電晶體之上汲極。本論文研究兩種 OLED 以驗證可堆疊在垂直電晶體之有機材料廣泛性，分別為旋轉塗佈高分子 Super Yellow 製作黃光 OLED 和蒸鍍磷光分子 Ir(ppy)3 之綠光
OLED。本論文也以Super Yellow 發光電晶體為架構探討梳狀源極設計對電晶體表現的影響，藉此找出源極的優化參數。將優化的垂直發光電晶體與標準 OLED 進行比較，發現在驅動電壓、電流密度、發光強度與效率上非常接近，證明將 OLED 整合在氧化鋅電晶體上不會降低元件表現。整體而言，兩種發光電晶體皆具備低驅動電壓(90%)、高電流密度(50-100 mA/cm2)、和高電流開/關比(104)。此外，電晶體發光區域與氧化鋅圖樣高度對應，且發光均勻，顯示大量電子在高導電度的氧化鋅電晶體中可橫向傳導數百微米的距離再向上注入至 OLED，因此發光面積可透過光學微影氧化鋅圖樣來準確定義。
創新材料學
為了解決透明導電膜ito 的問題，作者田民波 這樣論述：
《創新材料學》共分10章，每章涉及一個相對獨立的材料領域，自成體系，內容全面，系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料；能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容—電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料，涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料，也是新材料在新技術中的應用。
微型化垂直發光電晶體之面板研究
為了解決透明導電膜ito 的問題，作者吳宇霈 這樣論述：
本論文主要研究微型化無機/有機複合式垂直發光電晶體以及在矩陣式顯示面板之應用。無機/有機複合式垂直發光電晶體的基本架構為由下至上堆疊氧化鋅電晶體以及有機發光二極體。其中氧化鋅電晶體為下閘極/上接觸結構，以透明導電膜ITO為閘極，並以原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)製作三氧化二鋁和氧化鉿雙層介電層以及N型氧化鋅作為半導體層，再透過光學微影技術製作包覆氧化矽絕緣層之銀源極作為垂直發光電晶體之電子注入端。有機發光二極體則以高分子發光材料Super Yellow旋轉塗佈於氧化鋅電晶體之上，再蒸鍍上汲極作為電洞注入端。 整體而言，氧化鋅電晶體具備低驅動電壓、
低接觸電阻、和高電子遷移率(11-12 cm2/Vs)，並可利用光學微影製程縮小ZnO面積至微米尺寸，可注入高密度和長距離橫向擴散之電子流再向上驅動有機發光二極體，實現高量子效率、均勻面出光、和高開口率之微型發光電晶體，而透過包覆源極之絕緣層可有效抑制關電流密度以提高電流與亮度之開/關比約達104。本論文將利用微型發光電晶體製作一4x4矩陣式顯示面板，在優化製程條件下，成功以Ardiuno IDE程式控制顯示面板之影像，未來可望進一步應用於高解析度之面板開發。