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中原大學 電子工程研究所 籃山明所指導 楊承翰的 利用AP-MOCVD成長氧化鋁薄膜對矽基板表面的鈍化效應研究 （2011），提出超 音波 清洗籃關鍵因素是什麼，來自於少數載子生命週期、表面鈍化、固定氧化層電荷、電容-電壓量測。

而第二篇論文中原大學 電子工程研究所 籃山明所指導 吳思增的 以常壓式有機金屬化學氣相沉積技術沉積氧化鋁薄膜應用於矽質之表面鈍化研究 （2010），提出因為有 少數載子生命期、表面鈍化、固定氧化層電荷的重點而找出了 超 音波 清洗籃的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了超 音波 清洗籃，大家也想知道這些：

利用AP-MOCVD成長氧化鋁薄膜對矽基板表面的鈍化效應研究

為了解決超 音波 清洗籃的問題，作者楊承翰 這樣論述：

本論文利用常壓式有機金屬氣相沉積法（AP-MOCVD）於p型Cz-Si上沉積氧化鋁薄膜，研究以氧化鋁薄膜作為p型Cz-Si表面鈍化層，使其能有效增加Cz-Si基板中少數載子生命週期。首先在有機金屬氣相沉積系統中以三甲基鋁（TMA）及不同流量的氧氣（O2）或水(H2O)作為沉積氧化鋁薄膜的來源，並通入氮氣（N2）作為乘載氣體在不同的沉積溫度沉積氧化鋁薄膜。再藉由快速熱退火爐（RTA）用forming gas(FGA)回火，再藉由微波反射光導衰減（μ-PCD）對基板的少數載子生命週期做量測並計算其表面複合速率(SRVs)並經由C-V量測探討表面固定電荷(Qf)跟少數載子生命週期的關係。實驗結果指

出，在350℃的成長溫度下，通入三甲基鋁19umol/min與水35c.c/min，在用400℃的forming gas回火10分鐘，可以得到非常好的鈍化效果，少數載子生命週期從原先的185.337μs增加到1915.271μs表面複合速率為17.622cm/s。

以常壓式有機金屬化學氣相沉積技術沉積氧化鋁薄膜應用於矽質之表面鈍化研究

為了解決超 音波 清洗籃的問題，作者吳思增 這樣論述：

隨著太陽能電池朝著薄型化方向製作，使得少數載子於表面之複合速率更加主導太陽能電池的整體效率，為此世界各研究團隊紛紛投入表面鈍化技術之研究藉以降低表面複合速率。本論文將探討以金屬有機物化學氣相沉積系統於單晶矽基板製備氧化鋁薄膜，並導入回火處理這項程序以提高少數載子的生命週期進而改善表面複合速率。 在此實驗中，我們藉由微波反射光導衰變(Microwave-Reflection Photo-Conductance- Decay)技術量測少數載子生命週期並使用電容-電壓量測(capacitance-voltage measurement)藉以計算固定氧化層電荷密度。我們可以得到相較於未經氧化

鋁薄膜表面鈍化處理的晶片少數載子生命週期由16.53 us提升至135.98 us，表面複合速率降至73.54cm/s，固定氧化層電荷密度為-2.32x1012cm-2。

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