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以面積結構效應改善奈米碳管薄膜蕭基二極體逆向偏壓之研究

為了解決超音波震盪機英文的問題，作者魏廷祐 這樣論述：

金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。主要用於將發電設備所產生電壓和頻率雜亂不一的電流，透過一系列的轉換調製變成擁有特定電能參數的電流，以供應各類終端電子設備，成為電子電力變化裝置的核心元件之一。MOSFET依照其通道極性的不同，大多可分為電子占多數的N通道型半導體與電洞占多數的P通道型。MOSFET主要是利用電場效應來控制電流，使一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。但MOSFET所處在強大電場環境的情況下，內部界面會容易產生極大的電場集中，而導致元件的界面被擊穿。為了解決電場集中擊穿元件的問題，人們發現在MOSFET結構裡加入PN

P或NPN結構的雙極性電晶體，去拉平其電場改善元件被擊穿的問題，因而發展出了IGBT這種擁有驅動電流小，導通電阻也很低的元件。但在MOSFET裡加入雙極性電晶體不只成本高、製作程序也相當繁雜，一般廠商較難負荷此成本。所以本實驗想到利用相同特性的蕭基二極體來取代，但蕭基二極體的逆向偏壓低且漏電流大，因而我們在二極體當中加入奈米碳管液，CNT蒸乾後呈薄膜狀，CNT是奈米級的良好導體，可以在元件施加逆向偏壓，使電場集中於終止邊緣的效應放大(Edge Termination)時，利用其特性將電場拉平，藉以提升逆向偏壓，有效平衡電場，故可以解決因電場集中而讓元件界面被擊穿的問題，因此發展出了許多終端結構

[3]。我們為使其增加二極體的逆向偏壓，使用黃光微影製成在氮化鎵基板及CNT薄膜上蒸鍍Ni/Au形成蕭基及歐姆接面來量測，希望能產出結構簡單，又能保留IGBT優點的元件。根據[1]，噴塗CNT後，以超音波震盪機加溫蒸乾，並選用金屬Ni跟Au分別來製成蕭基與歐姆介面，再以光罩定義圖型結構。本實驗加入CNT後，可將原本逆向偏壓-40V提升至-100V左右；改變元件結構後加入CNT，能將原本逆向偏壓-2.5V提升至-10V左右。CNT如我們所預期的，能夠提升元件逆向偏壓，延緩元件被電場擊穿的問題。

廢玻璃纖維經不同表面處理進行回收再利用之研究

為了解決超音波震盪機英文的問題，作者蔡雅亘 這樣論述：

由於玻璃纖維具有電絕緣性能良好、加工性佳等優點，所以玻璃纖維廣泛應用在現代各式工業用途上，不可避免地，在製造玻璃纖維流程中產生下腳料成為廢玻璃纖維，所以廢玻璃纖維的處理或回收再利用是近年來廢棄物關切的問題之一。玻璃纖維質地脆、不耐磨、摩擦後易產生靜電， 玻璃纖維表面須用浸潤劑處理以改善這些特性，但因為廢玻璃纖維的表面浸潤劑問題及鈉元素含量過高，導致廢玻璃纖維無法直接回收做為玻璃原料。因此，研發去除表面浸潤劑的廢玻璃纖維回收再利用技術具有必要性。本研究採用兩種方法去除廢玻璃纖維的表面浸潤劑，去除表面浸潤劑的廢玻璃纖維進而取代砂粒製作控制性低強度回填材料低強度混凝土（Controlled-Low

-Strength-Materials, CLSM）。第一種方法是以不同有機溶劑去除廢玻璃纖維的表面浸潤劑，使用光學顯微鏡將其觀察其表面處理前後變化。第二種方法將廢玻璃纖維磨成細粉後高溫加熱。利用 X 光繞射分析儀（X-ray Diffractometer, XRD） 及 X 射線螢光分析儀（X-ray fluorescence, XRF）進行廢玻璃纖維表面分析及比對處理前後的差異。結果顯示，不同有機溶劑即使在超音波清洗5小時，仍無法有效去除浸潤劑，而經高溫加熱至 800℃維持2小時，可去除表面浸潤劑並形成方石英之結構，將其以適當的參配比例製作符合標準低強度混凝土。