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自由能變化的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦朱家文寫的 國際工程教育認證系列教材:分離工程 和林玉珍的 金屬腐蝕與防護簡明讀本都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自化學工業 和化學工業所出版 。

萬能科技大學 化妝品應用與管理研究所 林麗惠所指導 翁美香的 添加木質素對隔離粉底液安定性探討 (2021),提出自由能變化關鍵因素是什麼,來自於木質素、安定性、粉底液。

而第二篇論文國立臺灣大學 材料科學與工程學研究所 陳俊維所指導 陳緯在的 利用自我封蓋固液氣化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬 (2021),提出因為有 過渡金屬二硫屬化合物、二硫化鉬、化學氣相沉積法、自我封蓋固液氣成 長機制的重點而找出了 自由能變化的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了自由能變化,大家也想知道這些:

國際工程教育認證系列教材:分離工程

為了解決自由能變化的問題,作者朱家文 這樣論述:

《分離工程》共9章:第1章緒論,介紹了分離工程的研究內容、發展、機遇和挑戰;第2章多組分精餾,內容包括多元體系汽液相平衡、常規精餾的嚴格計算和簡捷計算以及間歇精餾;第3章特殊精餾,涉及了萃取精餾、恒沸精餾、加鹽精餾和反應精餾;第4章吸收,內容包括吸收的基本理論、吸收和解吸的簡捷計算、化學吸收過程的計算以及氣液傳質設備的效率;第5章溶劑萃取,論述了萃取的基本原理、萃取塔中的流體流動、典型的萃取設備以及萃取設備的設計;第6章膜分離技術,涉及膜分離的基本原理、膜分離技術中的工程問題以及幾種典型的膜分離單元;第7章浸取,介紹了浸取的熱力學、動力學計算以及應用;第8章結晶,論述了結晶的基本原理、熱力學與

動力學分析以及常規的工業結晶設備;第9章吸附分離與色譜分離,介紹了吸附分離和色譜分離的基本原理、分離過程和工業應用。《分離工程》包括了化工科技人才必須掌握的分離工程學科的知識,可作為高等院校化工類專業高年級教材,並可供相關工程技術人員參考。 第1章 緒論1 1.1分離工程與化學工業的進步和發展1 1.1.1化工生產實踐的需要推動了分離工程的發展2 1.1.2單元操作的提出帶動了分離工程的建立和發展2 1.1.3分離工程的發展促進了化學等過程工業的發展4 1.2新分離方法促進了化工技術的進步6 1.2.1膜分離6 1.2.2超臨界萃取7 1.2.3新型吸附技術8 1.3分離工

程面臨的新機遇和挑戰9 1.4分離工程課程的學習目標和要求11 第2章 多組分精餾13 2.1概述13 2.2汽液相平衡15 2.2.1相平衡關係的定量表達15 2.2.2相平衡常數的求取途徑16 2.2.3汽液相平衡系統的分類17 2.2.4汽液相平衡計算的基本方程18 2.2.5逸度係數計算19 2.2.6活度係數計算22 2.3單級平衡分離過程的計算25 2.3.1泡點計算25 2.3.2露點計算29 2.3.3等溫閃蒸31 2.3.4絕熱閃蒸35 2.4精餾過程的嚴格計算36 2.4.1多組分精餾和二組分精餾的差異36 2.4.2多級精餾的定態數學模型38 2.4.3嚴格計算的約束條

件和演算法概述39 2.4.4三對角線矩陣法40 2.4.5泡點法41 2.4.6流率加和法43 2.4.7全變數反覆運算法45 2.5精餾過程的簡捷計算49 2.5.1多組分精餾中的組分分類49 2.5.2最少理論板數50 2.5.3最小回流比52 2.5.4實際理論板數的確定56 2.5.5進料板位置的確定57 2.6精餾塔操作壓力的確定58 2.7多組分精餾分離流程規劃59 2.8間歇精餾61 2.8.1二組分物系間歇精餾61 2.8.2多組分物系間歇精餾62 思考題63 習題64 參考文獻66 第3章 特殊精餾68 3.1概述68 3.2混合物組分的相圖69 3.2.1三組分相圖和蒸

餾邊界69 3.2.2剩餘曲線圖71 3.2.3精餾曲線圖74 3.2.4在全回流下的產物組成區域76 3.3萃取精餾77 3.3.1萃取精餾基本概念77 3.3.2萃取精餾原理77 3.3.3萃取劑的選擇80 3.3.4萃取精餾計算82 3.3.5萃取精餾操作的特點85 3.4恒沸精餾87 3.4.1恒沸物的特性和恒沸組成的計算87 3.4.2恒沸劑的選擇90 3.4.3恒沸精餾流程92 3.4.4恒沸精餾計算94 3.4.5恒沸精餾與萃取精餾的比較94 3.5加鹽精餾94 3.5.1鹽效應95 3.5.2溶鹽精餾96 3.5.3加鹽萃取精餾96 3.6反應精餾97 3.6.1反應精餾中的反

應過程97 3.6.2反應精餾流程98 3.6.3反應精餾的工藝條件100 3.6.4反應精餾的特點102 3.6.5反應精餾的數值模擬103 思考題103 習題103 參考文獻105 第4章 吸收108 4.1概述108 4.1.1吸收的分類109 4.1.2吸收的應用及工業流程109 4.2吸收的基本原理112 4.2.1物理吸收的相平衡112 4.2.2伴有化學反應的吸收相平衡115 4.2.3傳質理論及傳質係數118 4.2.4物理吸收傳質速率122 4.2.5傳質係數關聯式123 4.2.6化學吸收傳質速率與增強因數125 4.3吸收和解吸過程的簡捷計算128 4.3.1平均吸收因

數法128 4.3.2有效平均吸收因數法132 4.4化學吸收過程的分析與計算133 4.4.1化學吸收的分類及其判別134 4.4.2不可逆一級反應化學吸收138 4.4.3不可逆暫態反應化學吸收142 4.4.4不可逆二級反應化學吸收144 4.5吸收塔的填料高度146 4.5.1高濃度氣體吸收時的填料高度146 4.5.2伴有化學反應時的填料高度147 4.6氣液傳質設備的效率151 4.6.1效率的表示方法151 4.6.2板效率的半理論模型152 4.6.3流動及混合對板效率的影響155 4.6.4霧沫夾帶的影響156 4.6.5系統物性對板效率的影響158 4.6.6獲取效率的途徑

159 4.6.7填料塔的理論板當量高度160 思考題163 習題163 參考文獻165 第5章 溶劑萃取167 5.1概述167 5.2萃取的基本原理168 5.2.1萃取劑169 5.2.2液液萃取體系的相平衡170 5.2.3三組分萃取體系的相圖171 5.2.4平衡聯結線的數值關聯173 5.2.5液液萃取的平衡級計算173 5.2.6液液傳質動力學177 5.3幾種典型的萃取設備181 5.3.1混合澄清槽181 5.3.2離心萃取機183 5.3.3萃取塔183 5.4萃取塔中的流體流動186 5.4.1特徵速度和液泛186 5.4.2傳質單元數和傳質單元高度189 5.4.3軸

向混合190 5.5萃取設備的設計193 5.5.1轉盤萃取塔的設計計算195 5.5.2混合澄清槽的設計計算197 思考題197 習題198 參考文獻199 第6章 膜分離技術201 6.1概述201 6.1.1膜分離技術的起源和發展201 6.1.2主要的膜分離單元操作202 6.1.3膜材料203 6.1.4膜的微觀結構204 6.1.5膜的宏觀形態205 6.2膜分離技術的工程問題205 6.2.1選擇性和通量205 6.2.2濃差極化207 6.2.3膜污染與清洗209 6.3反滲透209 6.3.1反滲透原理209 6.3.2反滲透過程分析211 6.3.3反滲透的應用212 6

.4超濾213 6.4.1超濾原理213 6.4.2超濾過程分析215 6.4.3超濾的應用215 6.5氣體滲透217 6.5.1氣體滲透原理217 6.5.2氣體滲透過程分析217 6.5.3氣體滲透的應用218 6.6滲透蒸發218 6.6.1滲透蒸發原理218 6.6.2滲透蒸發的應用219 6.7電滲析220 6.7.1電滲析原理和設備220 6.7.2電滲析的應用222 思考題222 習題223 參考文獻223 第7章 浸取225 7.1概述225 7.2浸取過程的熱力學分析226 7.2.1浸取過程的標準自由能變化228 7.2.2離子熵的對應原理228 7.2.3電位-pH圖

230 7.3浸取過程的動力學分析233 7.3.1物理溶解浸取的動力學233 7.3.2化學反應浸取的動力學235 7.4浸取過程的操作線和平衡級計算239 7.5浸取的工業應用案例——濕法磷酸製造243 思考題245 習題245 參考文獻246 第8章 結晶247 8.1概述247 8.2結晶的基本原理248 8.2.1晶體的性狀及幾何結構248 8.2.2晶體的細微性及形狀因數251 8.2.3結晶過程251 8.3結晶過程的熱力學分析252 8.3.1溶解度252 8.3.2超溶解度曲線及介穩區254 8.3.3結晶產率計算257 8.4結晶過程的動力學分析259 8.4.1晶核形成

259 8.4.2晶體生長263 8.4.3晶體產品的細微性分佈及粒數衡算265 8.5結晶方法和結晶設備270 8.5.1結晶方法270 8.5.2結晶設備271 8.5.3幾種主要的通用結晶器275 8.5.4結晶器的選擇281 思考題282 習題282 參考文獻283 第9章 吸附分離與色譜分離284 9.1概述284 9.2吸附分離285 9.2.1吸附現象與吸附劑285 9.2.2吸附平衡287 9.2.3吸附速率289 9.2.4吸附分離特性參數290 9.2.5吸附分離工藝292 9.3色譜分離296 9.3.1色譜基本原理296 9.3.2色譜分離的基本參數297 9.3.3

色譜理論模型298 9.3.4色譜分離過程304 9.3.5色譜分離法309 思考題311 習題311 參考文獻312  

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🌸食譜:
色香味俱全的「蒼蠅頭」可說是一道超級下飯料理,不小心一鍋飯就瞬間秒殺啦!
蒼蠅頭這道又鹹又辣的料理,卻是由台灣師傅研發的台菜料理,只是因為在川菜館中販賣,就被誤會為川菜!炒過的豆豉一顆顆黑的就像蒼蠅的頭一樣,因此這道菜取名為「蒼蠅頭」。
韭菜花的花蕊本身的味道很淡,而且水份比較高,很多餐廳在做蒼蠅頭時,會去除花蕊的部份,因為如果留著花蕊一起炒,很怕會水水爛爛的,通常會直接把花蕊給去除掉。但其實韭菜花連花吃是沒問題的,韭菜花花蕊本身無毒,可以安心吃。某些強調全食物全營養概念的專家,會特別提倡食物的每個部份都能食用。只要注意花蕊的部份易出水軟爛,最後起鍋前再下就可以解決出水軟爛的問題囉!
所以到底要不要去除花蕊就看個人,料理很自由的,開心就好!
快來試試這一道超級下飯的「蒼蠅頭」,白飯記得多準備一點嘿~

📌詳細文字食譜🔗
https://reurl.cc/ARKYRe

👩🏻‍🍳 食材 Recipes
韭菜花1大把(約300克)
梅花豬絞肉300克
皮蛋1顆
蒜頭2顆
青蔥1大匙
紅辣椒1支

《調味料》
黑豆鼓25克
甘甜醬油1大匙
糖5g
自製雞粉適量(市售也可)
米酒1大匙

☘️料理名稱&做法不一定正統,食譜純粹以個人經驗改良分享 ,請多包涵指教。

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#夢幻廚房在我家 #蒼蠅頭 #豆豉 #韭菜花

添加木質素對隔離粉底液安定性探討

為了解決自由能變化的問題,作者翁美香 這樣論述:

皮膚長期暴露在外面,每天要面對紫外線、空氣污染、粉塵顆粒、霧霾…等,這些環境因素均會造成皮膚的老化和病變,加上現代人忙碌的生活,一種能結合隔離與修飾膚色功能的隔離粉底液就誕生了。市面上隔離粉底液使用時,常因為放置一段時間,容易沉降,造成油水分離,使用前必須適當的搖晃均勻才能使用,造成使用上的不方便,甚至使用一段時間就開始造成臉上的脫妝,隔離保護的效果就消失了。 本實驗使用木質素為原料來製作木質素型的隔離粉底液。隔離粉底液的主要材料:滑石粉、二氧化鈦、聚甲基丙烯酸甲酯、硬脂酸、鯨蠟硬脂醇、異十六烷、Velvesil 125(環五聚二甲基矽氧烷 & C30-45 烷基鯨蠟硬脂基聚二甲基矽氧

烷交聯聚合物)、C12-15烷基苯甲酸酯、KF995(環戊矽氧烷)、三乙醇胺、丙二醇、甘油。使用表面張力測定儀、接觸角測定儀、顯微鏡、黏度計、離心機去分析隔離粉底液的各項性質。由實驗結果得知使用木質素/葡萄糖LG10000其製造出的隔離粉底液安定性是最佳的。

金屬腐蝕與防護簡明讀本

為了解決自由能變化的問題,作者林玉珍 這樣論述:

《金屬腐蝕與防護簡明讀本》採用深入淺出、通俗易懂的語言,結合圖解說明的形式,闡明了金屬腐蝕的基本理論和應用。 全書包括基礎知識、腐蝕問題解析和腐蝕控制三篇,闡述了為什麼會發生腐蝕、金屬電化學腐蝕傾向的判斷、電極電位的測量、常見的局部腐蝕形態、金屬在自然條件下的腐蝕、合理的防腐蝕設計等知識。 本書可作為腐蝕與防護領域的工程技術人員、相關專業高校師生的參考書。 基礎知識篇 1 腐蝕的代價 002 1.1 幾件最慘重的事故 002 1.2 腐蝕造成的經濟損失 005 2 為什麼會發生腐蝕 007 2.1 什麼是腐蝕 007 2.2 腐蝕發生的原因 007 2.3 腐蝕控制的

途徑 008 3 金屬在電解質溶液中的狀態 010 3.1 電極電位——金屬在電解質溶液中狀態的表徵 010 3.2 平衡電極電位E e 012 3.3 非平衡電極電位 015 4 金屬電化學腐蝕傾向的判斷 017 4.1 金屬的電化學腐蝕過程 017 4.2 腐蝕反應的自由能變化與腐蝕傾向 017 4.3 可逆電池電動勢和腐蝕傾向 018 5 電位-pH 圖 020 5.1 圖的構成 020 5.2 電位-pH圖的應用 021 5.3 實驗電位-pH圖 023 6 腐蝕電池 024 6.1 腐蝕電池的形成 024 6.2 腐蝕電池的工作歷程 025 6.3 腐蝕電池的類型 026 6

.4 腐蝕電池的特點和作用 029 7 金屬的腐蝕速度與極化作用 030 7.1 極化作用 030 7.2 腐蝕金屬電極及其極化行為 034 7.3 極化圖的應用 036 8 金屬電化學腐蝕的陰極過程 039 8.1 電化學腐蝕的陰極過程 039 8.2 氫去極化腐蝕 040 8.3 氧去極化腐蝕 046 9 金屬的鈍化 051 9.1 金屬的鈍化現象 051 9.2 金屬鈍化的特性曲線 052 9.3 鈍化理論 053 9.4 鈍態破壞引起的腐蝕 054 9.5 鈍性的利用 056 10 電極電位的測量 058 10.1 電極電位測量的意義 058 10.2 電極電位的測試系統 05

9 10.3 電極電位測量中的幾個問題 059 10.4 穩態極化的實現和測量 062 腐蝕問題解析篇 11 金屬的局部腐蝕電化學 066 11.1 局部腐蝕的兩種情況 066 11.2 導致局部腐蝕的電化學條件 067 11.3 局部腐蝕中腐蝕電池的特點 068 11.4 供氧差異腐蝕電池 069 11.5 自催化效應 071 12 常見的局部腐蝕形態 073 12.1 電偶腐蝕 073 12.2 孔蝕 076 12.3 縫隙腐蝕 078 12.4 晶間腐蝕 080 12.5 選擇性腐蝕 082 12.6 應力腐蝕破裂 083 12.7 腐蝕疲勞 087 12.8 氫損傷 087 12.

9 磨損腐蝕 089 13 金屬在自然條件下的腐蝕 097 13.1 大氣腐蝕 097 13.2 海水中的腐蝕 102 13.3 金屬在土壤中的腐蝕 106 13.4 微生物腐蝕及生物汙損 110 14 金屬在常用介質中的腐蝕 116 14.1 金屬在酸中的腐蝕 116 14.2 金屬在堿中的腐蝕 121 14.3 金屬在鹽類溶液中的腐蝕 123 14.4 金屬在鹵素中的腐蝕 125 14.5 金屬在工業冷卻水中的腐蝕 125 腐蝕控制篇 15 電化學保護 132 15.1 陰極保護原理及實施條件 132 15.2 實施外加電流陰極保護的幾個要點 136 15.3 實施犧牲陽極的陰極保護

中的幾個問題 142 15.4 陰極保護法的應用實例 144 15.5 陽極保護法及其應用 147 15.6 陽極保護與陰極保護的比較 150 16 介質處理 153 16.1 鍋爐給水的除氧 153 16.2 海砂除鹽處理 154 16.3 降低氣體介質中的水含量 156 16.4 調節介質的pH值 156 17 緩蝕劑保護 158 17.1 緩蝕劑保護的特點 158 17.2 緩蝕劑的作用機制和分類 159 17.3 緩蝕劑的應用 161 18 合理的防腐蝕設計 166 18.1 工藝流程中的防腐蝕考慮 166 18.2 設備結構設計中防腐蝕的考慮 170 18.3 加工、製造工藝中

的防腐蝕考慮 178 18.4 安裝、運行及維護中防腐蝕的考慮 181 18.5 設備腐蝕控制的科學管理 183 主要參考文獻 185 腐蝕是材料受環境作用而發生的破壞或變質。工程上,腐蝕的直接結果是影響安全生產,大大縮短材料的服役壽命。設備一旦腐蝕,輕者跑冒滴漏,重者引發爆炸、火災,嚴重威脅人身安全,導致災難性事故。因此,腐蝕不但造成原材料的大量消耗、資源的浪費,而且使環境污染,會直接導致水土資源緊缺;更重要的是,腐蝕將大大限制新技術、新工程的實現。 雖然我國的腐蝕科學與技術已經取得了長足的進步,改革開放以來,市場經濟又為與腐蝕相關的產業發展注入了更強的活力,但由於腐

蝕涉及國民經濟的各個方面,從日常生活到工農業生產,從國防工業到尖端科學,它無所不及,無孔不入。而腐蝕及其控制又跨行業、跨部門,既帶有共性又是多學科交叉的新領域。只因腐蝕是靜悄悄地在進行破壞,常不被人們注意,至今,並未得到應有的重視和發展。 腐蝕好比是材料和設備在“患病”,嚴重的局部腐蝕猶如“癌症”;腐蝕與防護工作者就是設備的“大夫”,為建設資源節約型、與環境友好型的社會,為實施可持續發展的戰略保駕護航。我們要像關注醫學、環境保護和減災一樣關注腐蝕問題。 本書從專業的角度,採用深入淺出通俗易懂的語言,結合圖示和曲線,闡明金屬腐蝕的基本理論和應用。希望關心、支持、從事腐蝕與防護工作的人們,通過

此書真真切切意識到腐蝕的存在,進而能正確認識腐蝕問題,從而激發學習的熱情,努力提高腐蝕與防護的知識水準,勇於開拓創新,為實現偉大的中國夢而努力奮鬥。 由於作者水準所限,書中疏漏和不妥之處在所難免,敬請批評指正。 編著者

利用自我封蓋固液氣化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬

為了解決自由能變化的問題,作者陳緯在 這樣論述:

擁有些許能帶差的半導體二維材料過渡金屬二硫屬化合物系列 (transition metaldichalcogenides,TMD) 為近年來相當熱門的研究主題,其中具有1.8eV直接 能帶的單層二硫化鉬具有許多特別的物理、化學性質,為一相當知名且相當具有發 展性的二維奈米材料。在二硫化鉬的製作中,化學氣相沈積法能在合理的成本下產 出高品質、大面積且層數均勻的二維二硫化鉬,是近年來最被普遍使用的一種生長 方式。在一般使用粉末作為前驅物的固氣氣成長機制 (Vapor-Solid-Solid,VSS) 中, 通常會選擇降低粉末的使用量來降低成長時的核點密度並成長出較大晶粒的二硫 化鉬,與此同時,二

硫化鉬的覆蓋率也會大幅下降,而降低其實用性。我們選擇用 相當新穎的自我封蓋固液氣成長機制 (Self-Capping Vapor-Liquid-Solid, SCVLS) , 透過共晶反應提供均勻的液態前驅物並擁有快速的成長速率,其能成長出比固氣 氣成長機制更大晶粒、更大覆蓋範圍、且層數均勻度、結晶、電子性質都更好的二 硫化鉬奈米片或薄膜。在本篇論文中,我們能透過 SCVLS 成長機製能成長出晶粒 約為 200μm 的單層二硫化鉬奈米片或是 1×1 cm2 覆蓋的單層二硫化鉬薄膜。