絕緣體自由電子的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

擁抱脆弱，你會更堅強〔療癒暢銷升級版〕

為了解決絕緣體自由電子的問題，作者石原加受子 這樣論述：

　　日本暢銷10萬本的心靈療癒書 　　允許自己脆弱，就是最大的勇敢！      　　被工作與生活推著走的你，每天面對大大小小的挑戰，長期處於壓力與忍氣吞聲中。即使身心俱疲，做什麼事都已提不勁來，卻還是逼自己要打起精神。 　　其實，這樣的你，已經得了「不能偷懶病」、「不能打混病」。 　　你不但運用理智的「思考」，否決自己想要休息的真實「感受」；同時為了拒絕恐懼，逃避傷害，還利用冷漠或無感的方式來麻痺自己，自我保護。 　　但處於這種狀態下，你還是會覺得很痛苦，這是因為在避開負面情緒的同時，正面情緒也會隨之麻痺。如果失去了「自在、快樂、幸福、滿足」等各種正能量，我們就不知道「感覺」究竟要告

訴自己什麼。 　　這本書，是送給對工作或生活已經失去活力和幹勁的你。 　　日本療癒系諮商心理師、超人氣暢銷作家石原加受子認為：人生應該為了做自己喜歡的事而活。如果不喜歡，就不要投入；如果討厭，就別做。如果你有這種出於自由意志進行抉擇的心態，那麼不管結果如何，你都會產生「因為我滿足了自己的真正渴求，所以我很慶幸能做出這個決定」的無悔心情。 　　擁抱在工作裡的脆弱 　　●戒掉「不能偷懶病」，將「偷懶」這兩個字轉換為「休息」，允許自己喊「暫停」。 　　●不要每天都發出「我好想辭職」的牢騷。活在抱怨的世界裡，不只會影響工作的狀態，也會對生活其他層面產生極大的負面效應。 　　擁抱在人際關係裡的脆

弱 　　●當你「以他人快樂為己任」時，可能是因為你無法肯定自己的價值，希望藉由不斷的付出，換取對方的依賴，進而讓你擁有存在感與安全感。 　　●會讓你害怕，讓你失去自信，或讓你缺乏安全感的，都不是真愛。 　　擁抱在生活裡的脆弱 　　●情緒不會自動走開，除非我們重視它的存在。如果你能察覺內心的情緒，也能明白自己究竟為何受到傷害。 　　●不論是面對多麼惡劣的狀況，也不要完全絕望。說不定這是因為你自己的看法有些狹隘，或是已經產生偏見所致。你看到別人的缺點，其實都是源自內心負面情緒的執著。 　　【這些話，能幫助你從脆弱裡長出力量】 　　●與其強迫自己思考「到底該怎麼辦」，不如告訴自己「別老是充滿負

面想法」。 　　●情緒是「想」出來的。我們以為是某人或某事讓自己不快樂，事實上，是因為我們對某人或某事的想法，才讓自己不快樂。 　　●煩惱的來源，經常是「感覺」而不是「事實」。你如何詮釋煩惱，會決定你有怎樣的感受。 　　●你會那麼在意別人，就是因為太少關心自己。 　　●人生的最佳選擇，就是「你滿意自己的選擇」。 名人推薦 　　洪培芸  《人際剝削》作者、臨床心理師 　　史庭瑋  心理諮詢師、關係療癒師 　　周慕姿  心曦心理諮商所所長、諮商心理師 　　張  璇  諮商心理師、專欄作家、企業講師 　　黃之盈  諮商心理師、作家  

絕緣體自由電子進入發燒排行的影片

藍寶石基板上閘控鋁通道元件之製作與量測

為了解決絕緣體自由電子的問題，作者劉鉦乾 這樣論述：

本篇碩士論文主要探討使用閘控鋁通道元件製作及量測。我們使用分子束磊晶技術在藍寶石基板上成長約莫3 – 3.5 nm厚度的鋁薄膜，並使用電子束微影以及半導體製程製作有著一維奈米線和二維通道串連的Hall Bar元件，接著利用原子層沉積成長約莫8 nm的氧化鋁介電層以及利用電子槍蒸鍍系統成長大約200 nm的閘極金屬，以此來建立金屬-絕緣體-金屬(MIM)結構。利用四點量測方法量測出通道電阻，我們發現元件電阻值會隨著閘極偏壓增加而下降，二維結構和一維奈米線都會產生，雖然他的電阻調變量很小，但是近乎全部製作出來的元件都可以發現到此一情形，只要元件沒有發生大量規模漏電，另外，我們還發現了金屬薄膜厚度

越薄此一情形會越加明顯；溫度越低此一情形會稍微減少。據我們所知，這是第一次發現鋁通道電阻可以使用閘極偏壓調變，因此對於金屬通道場效電晶體的製作，此篇論文開創了新的可能性。

微電子器件物理

為了解決絕緣體自由電子的問題，作者劉艷紅 這樣論述：

本書涉及的微電子器件包括二極體、雙極電晶體、GaAs場效應電晶體、MOS場效應電晶體等微電子器件，從其靜態特性、直接特性、小信號交流特性、開關特性、擊穿特性等方面對其性能及機理進入了深入的分析與討論，揭示了器件性能與器件結構參數、工藝參數及物理參數間的關係。還介紹了納米CMOS器件所要解決的主要問題，有助於讀者瞭解小尺寸器件進一步發展所需要解決的主要問題。 《資訊科學技術學術著作叢書》序 前言 主要符號表 第1章 半導體物理基礎知識介紹 1 1.1 半導體材料及晶體結構的基本知識 1 1.1.1 半導體材料 1 1.1.2 晶體結構 3 1.1.3 Si的晶體結構 8 1

.2 能帶及能帶理論 14 1.2.1 原子模型和薛定諤方程 14 1.2.2 自由空間、氫原子及有限空間中薛定諤方程的解 15 1.2.3 能帶和布洛赫波 19 1.2.4 k空間與第一布裡淵區 22 1.3 固體的電傳導機理 24 1.3.1 導體、半導體和絕緣體的能帶 24 1.3.2 有效品質 26 1.3.3 能帶結構 28 1.3.4 摻雜 30 1.4 載流子的統計分佈 33 1.4.1 狀態密度 33 1.4.2 費米分佈、費米能級及玻爾茲曼分佈 35 1.4.3 半導體中的電子濃度和空穴濃度 37 1.4.4 熱平衡條件下半導體中的載流子濃度、費米能級位置 39 1.5 非平

衡載流子 43 1.5.1 准費米能級 44 1.5.2 多子與少子 45 1.5.3 複合理論 46 1.6 載流子輸運理論 53 1.6.1 漂移 54 1.6.2 擴散 60 1.6.3 強場效應 63 1.7 半導體工作方程——電流密度方程與電流連續性方程 66 1.7.1 泊松方程 67 1.7.2 電流密度方程 67 1.7.3 電流連續性方程 67 1.7.4 半導體方程的應用舉例 69 習題 71 第2章 PN結及二極體 73 2.1 概述 73 2.2 平衡PN結 74 2.2.1 平衡PN結、能帶圖與內建電勢 75 2.2.2 空間電荷區的分析與耗盡層近似理論 78 2.

2.3 開路時正、反向偏置PN結 81 2.2.4 結電容 83 2.2.5 線性緩變結及其性質 84 2.3 PN結的直流特性 85 2.3.1 理想PN結的直流I-V特性——Shockley方程 85 2.3.2 實際PN結的直流特性 93 2.4 小信號特性——擴散電導與擴散電容 99 2.4.1 小信號電流的連續性方程 100 2.4.2 小信號電流與電壓關係 101 2.4.3 擴散電導和擴散電容 102 2.4.4 小信號等效電路 103 2.5 電荷存儲效應及開關特性 103 2.5.1 正向偏置時准中性區的存儲電荷 104 2.5.2 開關的瞬態過程 104 2.5.3 電荷控

制方程 106 2.5.4 開關時間 106 2.6 PN結的擊穿特性 109 2.6.1 擊穿及擊穿的分類 109 2.6.2 雪崩擊穿的條件 110 2.6.3 實際PN結的擊穿 114 2.6.4 穿通擊穿 115 2.7 溫敏特性 116 2.7.1 反向偏置時的溫敏特性 116 2.7.2 正向偏置時的溫敏特性 117 2.8 異質PN結 118 2.8.1 異質結的分類 119 2.8.2 平衡異質結能帶圖及內建電勢 120 2.8.3 平衡異質結空間電荷區相關的計算公式 121 習題 122 參考文獻 123 第3章 雙極型電晶體 124 3.1 基本結構及工作原理簡述 124

3.1.1 基本結構 124 3.1.2 正向有源放大模式的工作條件 125 3.1.3 正向有源放大模式下的端電流分析 126 3.1.4 直流電流增益 127 3.2 理想電晶體的直流電流-電壓關係 129 3.2.1 正向有源放大模式下少子分佈 129 3.2.2 理想電晶體的電流 133 3.2.3 正向有源放大模式下電流增益 134 3.3 非理想特性分析 136 3.3.1 緩變基區電晶體 137 3.3.2 基區擴展電阻和發射極電流集邊效應 139 3.3.3 發射區重摻雜效應 140 3.3.4 基區寬度調製效應 142 3.3.5 薩哈效應和韋氏效應 144 3.3.6 基

區展寬效應 146 3.4 工作曲線及擊穿特性 149 3.4.1 共基極接法 149 3.4.2 共發射極接法 150 3.4.3 反向飽和電流 151 3.4.4 擊穿電壓 152 3.4.5 穿通擊穿 153 3.5 器件模型 155 3.5.1 E-M模型 155 3.5.2 G-P模型 156 3.6 小信號回應——頻率特性 159 3.6.1 小信號等效電路 159 3.6.2 頻率特性分析 161 3.6.3 特徵頻率及渡越時間 164 3.6.4 增益頻寬乘積 166 3.6.5 最高工作頻率 166 3.7 開關特性 167 3.7.1 開關電路、開態與關態 167 3.7.

2 開關過程 169 3.7.3 開關模式及飽和深度 171 3.7.4 提高開關速度的途徑及鉗位元二極體 172 3.8 新型電晶體 172 3.8.1 AlxGa1-xAs寬頻隙發射極電晶體 173 3.8.2 鍺矽基區電晶體 175 習題 176 第4章 MOS電容 178 4.1 理想MOS結構及性質 178 4.1.1 理想MOS結構的定義 178 4.1.2 半導體表面狀態 179 4.1.3 理想MOS結構的閾值電壓及強反型以後的最大耗盡層寬度 183 4.1.4 半導體表面電荷與表面勢 185 4.2 實際MOS電容的平帶電壓及閾值電壓 187 4.2.1 金屬-半導體功函數

差 188 4.2.2 氧化物電荷及其影響 190 4.3 MOS結構的電容-電壓特性 193 4.3.1 理想MOS電容的C-V特性 193 4.3.2 實際MOS電容的C-V曲線 198 習題 200 第5章 MOSFET 202 5.1 理想MOSFET基本原理及特性 203 5.1.1 基本結構及參數 203 5.1.2 MOSFET原理及特性的一般描述 203 5.1.3 MOSFET I-V特性的理論推導 206 5.1.4 跨導和漏導 209 5.2 MOSFET的非理想效應 210 5.2.1 溝道長度調製效應 210 5.2.2 有效遷移率 212 5.2.3 亞閾電流及亞

閾擺幅 213 5.3 閾值電壓的調整 217 5.3.1 多晶矽柵 218 5.3.2 襯底摻雜濃度 218 5.3.3 氧化層厚度 218 5.3.4 襯底偏壓——體效應 220 5.4 頻率特性 223 5.4.1 小信號等效電路 223 5.4.2 實際的漏導和跨導 223 5.4.3 頻率特性的限制因素及米勒電容 225 5.4.4 特徵頻率 226 5.5 短溝道效應 227 5.5.1 閾值電壓的短溝、窄溝效應 227 5.5.2 漏感應勢壘降低效應 231 5.5.3 穿通效應 232 5.5.4 速度飽和及其漏電流飽和電壓 233 5.5.5 高場效應 236 5.6 CMO

S技術簡介 239 5.6.1 基本結構及特點 239 5.6.2 閂鎖效應 239 習題 240 第6章 納米CMOS器件 242 6.1 微縮律 243 6.2 納米CMOS器件中的物理問題 244 6.2.1 與薄氧化層相關的物理問題 244 6.2.2 反型層量子效應 250 6.2.3 遷移率退化及速度飽和 252 6.2.4 雜質隨機分佈 254 6.2.5 閾值電壓降低的限制條件 257 6.2.6 源漏電阻 260 6.3 納米CMOS中的新技術 264 6.3.1 柵工程 264 6.3.2 溝道工程 268 6.4 新型結構納米CMOS器件 274 6.4.1 SOI 2

74 6.4.2 UTB-SOI、雙柵和FinFET 278 6.4.3 應變矽技術 285 6.4.4 高K介質與金屬柵 294 參考文獻 295 第7章 金屬-半導體接觸及結型場效應電晶體 298 7.1 金屬-半導體接觸 298 7.1.1 肖特基結 299 7.1.2 肖特基二極體 308 7.1.3 肖特基二極體和PN結二極體的比較 309 7.1.4 肖特基二極體的頻率特性 311 7.1.5 箝位電晶體 312 7.1.6 歐姆接觸 313 7.2 金屬-半導體場效應電晶體 314 7.2.1 器件結構 314 7.2.2 工作原理 315 7.2.3 夾斷電壓、閾值電壓和漏飽

和電壓 316 7.2.4 電流-電壓關係的理論推導 317 7.2.5 靜態特性 319 7.2.6 小信號等效電路和特徵頻率 320 7.2.7 MESFET的分類及JFET 322 7.3 異質結MESFET和HEMT 324 7.3.1 二維電子氣的形成及其性質 324 7.3.2 二維電子氣的性質 325 7.3.3 HEMT的工作原理 327 習題 329 附表 331 附表1 常用物理常數表 331 附表2 Si和GaAs在300K時的重要性質 332 附表3 重要半導體材料的特性 333

仿生表面結構及活化生質碳材之導入對聚苯胺應用在硫化氫氣體感測元件之性能提升的探討

為了解決絕緣體自由電子的問題，作者洪羽函 這樣論述：

本論文之研究主軸，是以導電高分子「聚苯胺」為主要基材，透過兩種方式: (1) 改變聚苯胺表面型態及 (2) 添加活化生質碳材於聚苯胺中，來研究此兩種方式對此材料於應用氣體感測元件效能之提升成效。論文的第一部份研究之核心精神以結合「仿生」的概念為主，透過聚二甲基矽氧烷 (PDMS) 之軟模板轉印技術，複製了天然的千年芋葉片的表面微結構，製備出具備葉面微奈米複合「乳凸」結構之聚苯胺薄膜，預期可提升原本聚苯胺塗層之表面積，之後並將其塗覆於「指叉式電極」的表面，來研究「仿生結構的導入」是否能有效改善聚苯胺之氣體感測元件效能。 第二部分研究之核心精神以導入「活化生質碳材」為主，透過使用廢棄之椰子殼材

料進行高溫碳化及活化處理後，製備出高比表面積之活化碳材並適量添加於聚苯胺中，來研究「活化生質碳材的導入」是否能有效改善聚苯胺之氣體感測元件效能。 在材料合成方面，本研究論文以過硫酸銨為氧化劑，對苯胺單體進行「原位氧化聚合法」來合成聚苯胺，並以1H-NMR光譜, FT-IR光譜及GPC進行聚苯胺之結構鑑定，並以循環伏安儀(CV)及紫外可見(UV-VIS)光譜儀進行材料性質之鑑定，確認所合成聚苯胺具有「可逆氧化還原」及「可逆摻雜」的物理性質。 另一方面，選擇利用「轉印千年芋葉片」及「添加活化生質碳材」兩種方式來提升聚苯胺在氣體感測元件上的應用。「千年芋之仿生結構的導入」(第一部分): 透過P

DMS軟模板轉印技術，將「天然」千年芋葉片的表面結構進行轉印，藉此得到「人造」具仿生結構之聚苯胺薄膜，並利用掃描式電子式顯微鏡 (SEM) 及水滴接觸角 (WCA) 進行「表面微結構型態」及「表面親疏水性質」的觀察。 在性質鑑定方面，利用CV及UV-VIS光譜檢測具仿生結構之聚苯胺薄膜，確保「千年芋之仿生結構的導入」可有效提升聚苯胺之「可逆氧化還原」及「可逆摻雜」性質。「活化生質碳材的導入」(第二部分): 首先將廢棄之椰子殼進行高溫碳化得到椰子殼碳粉(CC)，然後透過化學活化法，利用ZnCl2對CC進行活化，得到活化的碳材(AC)。 所製備之CC 及AC利用BET檢測碳材之孔洞大小及表面積，

利用Raman光譜進行碳材之結構鑑定，利用SEM進行碳材之表面型態觀察。 後續將適量的CC及AC添加入聚苯胺，之後利用CV及UV-VIS光譜進行聚苯胺複合塗料之「可逆氧化還原」及「可逆摻雜」性質的檢測。 確保「活化生質碳材的導入」可有效提升聚苯胺之「可逆氧化還原」及「可逆摻雜」性質。第一部分所合成之材料以等面積的方式黏附於鍍有ITO指叉式電極（inter-digitated electrode, IDE）的表面上，膜厚度約為 28 µm, 做為後續氣體感測元件樣品。 第二部分之樣品將其溶於NMP溶劑中，經過旋轉塗佈機將其塗佈於ITO-IDE表面上，膜厚度約為 100 nm, 接著在所建構的

硫化氫氣體感測系統中進行氣體感測元件的量測。 本研究論文中氣體感測的基本測試項目有如下四項：（a）靈敏度（Sensitivity）; （b）氣體選擇性（Selectivity）; （c）穩定性（Stability）及（d）重複性（Repeatability）。 在室溫下，藉由在不同環境相對濕度下(60 %RH 與80 %RH) 之氣體進行量測比較。 由研究的結果明白地顯示: 千年芋仿生結構的導入，可增強聚苯胺之氣體感測靈敏度~ 200%。 此外，3wt-%的AC導入聚苯胺中，可增強聚苯胺之氣體感測靈敏度~ 300%。 綜而言之，本研究所研究的兩種方式: (1) 「千年芋仿生結構的導入」

及 (2)「活化生質碳材的導入」皆能有效大幅改善聚苯胺之氣體感測元件的執行效能。