筆電安培數的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

氧化鋁/二氧化鈦 電阻式記憶體元件的低功率開關特性探討

為了解決筆電安培數的問題，作者李尚融 這樣論述：

隨著科技的日益進步，非揮發性記憶體在我們生活中扮演著重要的角色，像是手機、數位相機和筆電，非揮發記憶體在這幾年半導體工業有更多的需求。在現今快閃記憶體為其主流，但是快閃記憶體有其微縮極限，面臨極大的挑戰。非揮發記憶體科技已經擴大發展來達到低功率損耗、高速開關轉換和好的耐受度。電阻式記憶體在下個世代的非揮發記憶體應用擁有好的潛力，因為電阻式記憶體的低開關電壓、高速開關轉換、低功率、高密度的整合和簡單的結構…等等，被認為是在下個世代的非揮發記憶體應用上擁有好的潛力。 此篇論文的研究，我們報告指出不同上電極(鎳，氮化鉭)的影響和以鎳/氧化鋁/二氧化鈦/氮化鉭的電阻式記憶體結構的低功率電阻式開

關為0.752毫瓦 (188微安培，4伏特; 2.6微安培 在-5伏特)。電阻式記憶體元件的特性，例如 開/關 電阻比(大於100)， 資料的保存時間(104秒 溫度60度)，合適的脈波的耐受力(50個週期)，電流的分布，和導電物理機制等，在此研究報告上，上電極隨著不同的功函數可能會影響電性。此電阻式記憶體元件指出載子的傳導主要是由載子透過材料的缺陷，像是在電阻式記憶體絕緣層裡的氧空缺，為載子跳躍導電機制。像這樣的低功率開關在未來的微縮記憶體應用上是非常有前景的，是此電阻式記憶體元件的優點。