矽晶圓晶格方向的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

矽晶圓晶格方向的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦李克駿,李克慧,李明逵寫的 半導體製程概論(第四版) 和林明獻 的 矽晶圓半導體材料技術(第六版)(精裝本)都 可以從中找到所需的評價。

另外網站半導體是什麼?很重要嗎?矽晶圓如何運輸? | 萬又企業也說明:其他的,例如華夫格包裝或組件交付等也很常見。 How are silicon wafers shipped? 出貨時如何減輕矽晶片損壞? 沒有一種萬能的 ...

這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。

國立陽明交通大學 工學院工程技術與管理學程 王維志所指導 伍峻毅的 類比電路佈局人員任務指派系統之建置-以M公司為例 (2021),提出矽晶圓晶格方向關鍵因素是什麼,來自於電晶體、光罩、類比電路佈局、任務指派、分析層級程序法。

而第二篇論文國立高雄科技大學 電機工程系 李孝貽所指導 詹竣貿的 雷射退火應用於場終止型絕緣閘雙極電晶體之矽晶圓背部退火製程研究 (2021),提出因為有 雷射退火、絕緣閘雙極電晶體、擴散製程、離子佈植的重點而找出了 矽晶圓晶格方向的解答。

最後網站晶圓級薄膜材料性質演算法之穩健性探討 - ResearchGate則補充:差(∆L)、材料晶格方向及結構長度對於待測薄膜之萃. 取的楊氏係數(E)與平均應力(σ0)的變異性分析,由實. 驗結果得知結構長度差為最重要之顯要因子,其因子.

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了矽晶圓晶格方向,大家也想知道這些:

半導體製程概論(第四版)

為了解決矽晶圓晶格方向的問題,作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述:

  全書分為五篇,第一篇(1~3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4~9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10~24章)說明積體電路的製程。第四篇(25~26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27~28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色   1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。   2.從矽導體之物理概念開始,一直到半導體結構、能帶作完整的解說,使讀者學習到全盤知識

。   3.圖片清晰,使讀者一目瞭然更容易理解。   4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。

類比電路佈局人員任務指派系統之建置-以M公司為例

為了解決矽晶圓晶格方向的問題,作者伍峻毅 這樣論述:

隨著半導體製程的演進,電晶體通道長度已從早期微米等級進步到奈米等級,每顆IC所需光罩數量已從幾十道進展到上百道,每次的生產成本更由百萬上升至數億新台幣的規模,也因此,近代電路設計流程上的準確性,便顯得相當重要及謹慎。就類比電路佈局而言,傳統任務指派方式乃由類比電路設計工程師提出佈局需求後,類比電路佈局主管大都採直接指定類比電路佈局人員,或者安排閒置類比電路佈局人員參與計畫。此傳統指派方式對於特殊性較高之佈局需求(例如在時限內需快速完成佈局、電路對稱性講究之佈局,電路速度快以致佈局難度較高之需求),在實務上較不能讓具有相關佈局經驗的人員適才適所。本研究提出一種任務指派系統,此系統可透過評估類比

電路佈局人員的經驗及其所長,利用重新規劃之類比電路佈局人員作業資訊,並以Excel VBA程式撰寫任務指派程式。在類比電路佈局工程進行前,透過此系統輸入佈局人員需求條件,系統可篩選出適合佈局需求的類比電路佈局人員,進行類比電路佈局工程。本研究從常見的類比電路佈局類型,挑選出六件案例作為測試。透過分析層級程序法給予不同重要性尺度,並計算出所個別的權重比例與通過一致性檢驗後,輸入相對應條件至系統內並判讀其輸出結果。測試結果顯示共有五件測試案例輸出符合條件需求,一件不符合,系統建置與判斷上已具備正確性,但仍有進一步的改善空間。

矽晶圓半導體材料技術(第六版)(精裝本)

為了解決矽晶圓晶格方向的問題,作者林明獻  這樣論述:

  由於矽晶圓材料是半導體工業的基礎,因此從事半導體領域之學術研究與工程人員,都必須深入的瞭解矽晶圓的基本性質與製造過程。     因此本書內容上採深入淺出的方式敘述,除了介紹矽晶圓工業的歷史演進與產業現況之外,尚包含了以下單元:矽晶的基本性質、多晶矽的製造技術、單晶生長、矽晶缺陷、矽晶之加工成型、性質檢測等單元。     作者將本書的重點放在矽晶圓製造流程的介紹上。適用於晶圓半導體材料技術有興趣之讀者及相關從業人員。   本書特色     1.本書為國內第一本介紹矽晶圓材料的專業參考書籍。     2.本書詳細介紹矽晶的基本性質,矽晶圓材料的製造流程、矽晶圓缺陷控制以及矽晶圓性質檢測等單

元,是一本從事半導體領域之學術研究與工程人員必備的專業書籍。

雷射退火應用於場終止型絕緣閘雙極電晶體之矽晶圓背部退火製程研究

為了解決矽晶圓晶格方向的問題,作者詹竣貿 這樣論述:

隨著科技的發展趨勢,器件產品多朝向輕薄短小的方向發展,這使得產品的製程同樣必須朝向更精密、更嚴格的條件限制,尤其在半導體領域更是如此,因此在這樣的趨勢環境下,雷射退火的優勢便非常適合運用於這種類型的製程當中。本論文將以雷射退火(Laser Annealing)為研究主軸,並應用於絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)的晶背製程中。研究目標為設計模擬IGBT晶背製程中的雷射退火實驗,量測退火前後晶圓的電性以及觀察不同參數條件的變化趨勢,並且應用於未來設計製作IGBT晶背製程時之數據參考。除了探討調變雷射光束能量對於晶圓的電特性影

響,也以實驗的方式證明在相同雷射能量以及相同佈植濃度的條件下,重複對晶圓進行雷射再退火並不會影響原始晶圓的電性結果,反之若以更高的雷射能量進行退火,則會使晶圓的電阻係數降低。最後,以提高離子佈植的摻雜濃度進行雷射退火實驗,當在相同雷射退火能量時,證明當摻雜濃度的提升,能夠大幅地降低退火後的電阻係數。