石墨 硒的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

石墨 硒的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦琚偉偉寫的 二維化合物的吸附特性 和盧亞玲的 儀器分析實驗都 可以從中找到所需的評價。

另外網站二硒化铁/还原氧化石墨烯的制备及其在染料敏化 ... - 物理学报也說明:通过水热反应合成出二硒化铁/还原氧化石墨烯(FeSe2/rGO) 复合材料, 并将其作为对电极材料应用. 于染料敏化太阳能电池(DSSC). 利用X 射线衍射、拉曼光谱、场发射扫描 ...

這兩本書分別來自化學工業 和化學工業所出版 。

中原大學 電子工程學系 莊家翔所指導 賴鵬宇的 厚度相依性硒化錫在石墨烯上的拉曼與光致發光之光譜與電性傳輸研究 (2021),提出石墨 硒關鍵因素是什麼,來自於硒化錫、拉曼光譜。

而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源所指導 陳亭羽的 以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硒處理之二硒化鎢與二硒化鉬兩種電晶體 (2021),提出因為有 二維材料、過渡金屬二硫族化物、二硒化鎢、二硒化鉬、第一原理與量子傳輸計算、非平衡格林函數、接觸電阻的重點而找出了 石墨 硒的解答。

最後網站天然药物中硒的正交设计石墨炉原子吸收测定-Determination of ...則補充:引用本文: 顾萱.天然药物中硒的正交设计石墨炉原子吸收测定[J].中国现代应用药学,1998,(6):51-54. Gu Xuan(Gu X).Determination of selenium in natural medicine by ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了石墨 硒,大家也想知道這些:

二維化合物的吸附特性

為了解決石墨 硒的問題,作者琚偉偉 這樣論述:

本書是作者近年來在對二維化合物材料的電子結構、磁特性以及相變的研究基礎上撰寫而成的,系統地介紹了吸附、摻雜、缺陷等調控方法對二維MoS2和InSe材料的電子性質及磁特性的影響。   全書共分七章,前兩章介紹了相關材料的研究背景及理論方法。第3章介紹了Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構、電子性質的影響,第4章介紹了反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響,第5章介紹了非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響,第6章介紹了3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響,第7章介紹了小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響。   本書可供相關低維材料領域的科技工作者參考,

也可作為高等院校相關專業的本科生和研究生的參考書。 第1章緒論/ 001 1.1單層二硫化鉬(MoS2) 研究進展/ 001 1.1.1石墨烯/ 001 1.1.2二硫化鉬(MoS2)/ 002 1.1.3單層MoS2缺陷吸附摻雜研究/ 005 1.2單層硒化銦(InSe) 研究進展/ 007 1.2.1InSe簡介/ 007 1.2.2InSe電子結構及性質/ 008 參考文獻/ 009 第2章理論方法/ 015 2.1能帶理論的三大近似/ 015 2.1.1絕熱近似/ 016 2.1.2單電子近似(密度泛函理論)/ 017 2.1.3週期性

勢場近似(布洛赫定理)/ 020 2.2勢與波函數的處理/ 021 2.2.1平面波方法/ 022 2.2.2原子軌道線性組合法/ 023 2.2.3贗勢方法/ 024 2.2.4投影綴加波法/ 025 2.3Kohn-Sham方程的自洽求解/ 026 參考文獻/ 027 第3章Au團簇吸附對非缺陷和缺陷單層MoS2結構和電子性質的影響/ 029 3.1概述/ 030 3.2計算模型和方法/ 031 3.3結構及電子性質/ 033 3.3.1Aun團簇吸附于非缺陷單層MoS2/ 033 3.3.2Au團簇在單S空位MoS2上的吸附/ 038 3.3.3Au團簇在

反位缺陷MoS2上的吸附/ 043 參考文獻/ 047 第4章反位缺陷對單層MoS2電子和磁學性質的影響/ 051 4.1概述/ 051 4.2計算方法和模型/ 052 4.3電子及磁學性質/ 054 4.3.1反位元缺陷MoS2的電子性質/ 054 4.3.23d過渡金屬原子吸附對反位元缺陷MoS2的電子及磁學性質的影響/ 056 參考文獻/ 060 第5章非金屬原子吸附對缺陷單層MoS2磁學性質的影響/ 063 5.1概述/ 063 5.2計算模型和方法/ 064 5.3吸附位置及磁學性質/ 065 5.3.1非金屬原子的吸附位置/ 065 5.3.2非

金屬原子吸附對MoS2磁學及電子性質的影響/ 066 參考文獻/ 071 第6章3d過渡金屬原子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響/ 074 6.1概述/ 074 6.2計算模型和方法/ 076 6.3穩定性、電學及磁學性質/ 077 6.3.1幾何結構和穩定性/ 077 6.3.2電子結構/ 079 6.3.3磁性/ 079 6.3.4能帶結構/ 084 參考文獻/ 087 第7章小分子吸附對單層InSe電學和磁學性質的影響/ 091 7.1概述/ 091 7.2計算模型和方法/ 093 7.3吸附對電學及磁學性質的影響/ 094 7.3.1CO吸附

/ 094 7.3.2H2O吸附/ 096 7.3.3NH3吸附/ 097 7.3.4N2吸附/ 098 7.3.5NO2吸附/ 099 7.3.6NO吸附/ 101 7.3.7O2吸附/ 102 參考文獻/ 103 作為二維材料的典型代表,石墨烯已被廣泛研究。然而,由於石墨烯的零帶隙特征,難以應用於半導體電子器件,人們開始把目光轉向其他具有帶隙的二維材料。過渡金屬硫化物,以MoS2為代表,體材料為間接帶隙,而單層結構則為直接帶隙。大多數二維過渡金屬硫化物的帶隙在1~2eV之間,在光電子器件、太陽能器件的製備中具有廣闊的應用前景,因此對二維過渡金屬硫化物的電子

及磁性質進行調控成為研究熱點。 最近,Ⅲ-Ⅵ族化合物因其優異的性能吸引了眾多研究者的注意。除了擁有二維過渡金屬硫化物的優越性能,例如超高表面體積比、與柔性器件的高度相容性等,二維Ⅲ-Ⅵ族化合物還有優於二維過渡金屬硫化物的性能,比如高載流子遷移率、p型電子行為、高電荷密度等,這些卓越的性能使二維Ⅲ-Ⅵ族化合物也成為納米電子學領域的熱點材料。 本書首先介紹了二維過渡金屬硫化物和Ⅲ-Ⅵ族化合物的研究背景,然後對計算中用到的相關理論基礎做了介紹。後面的章節主要介紹了筆者近年來的研究結果,主要包括不同種類的缺陷對單層MoS2性質的影響,小團簇以及各種雜質原子在單層MoS2表面的吸附;過渡金屬原子以及

各種小分子的吸附對二維Ⅲ-Ⅵ族化合物InSe結構、電學和磁學性質的影響等。 本書是筆者近年來對二維MoS2和InSe材料體系的電子結構和磁性質的研究基礎上撰寫而成的。 本書的相關研究和分析工作得到了河南科技大學的大力支持。本書的出版得到了國家自然科學基金(61874160,11404096)、河南省高等學校青年骨幹教師培養計畫(2017GGJS067)、河南科技大學博士科研啟動基金的資助。在此表示深深的感謝。 本書在撰寫過程中參考的相關文獻,已在每章後列出,在此,對相關學者表示衷心的感謝。由於筆者水準有限,書中難免存在不當之處,敬請專家學者和讀者批評指正。 琚偉偉 2019年6月

厚度相依性硒化錫在石墨烯上的拉曼與光致發光之光譜與電性傳輸研究

為了解決石墨 硒的問題,作者賴鵬宇 這樣論述:

近年來二維材料的奈米結構化不斷的在進步,對於二維材料的應用也更加的廣泛,其中最令研究人員最感興趣的便是二維材料在低溫下的電性表現,為了能夠將二維材料應用至元件當中,硒化錫原子層級薄膜最近發現是熱電優異的特性,易製作成大面積且奈米等級的薄膜。在實驗中我們證明了硒化錫在石墨烯/二氧化矽/矽利用化學氣相沉積法可以沉積出大面積且均勻的薄膜。利用光學顯微鏡以及原子力顯微鏡分析材料表面特徵,透過拉曼光譜分析儀可以判斷所生長的硒化錫之膜厚。利用光致發光系統成功量測出多層硒化錫之PL值能隙為3.1 eV左右。最後透過從5K~350K的電性量測分析發現硒化錫有著跟其他二維材料類似的半導體特性傳輸的表現,這說明

了硒化錫在未來有機會成為低溫量子感測材料元件。

儀器分析實驗

為了解決石墨 硒的問題,作者盧亞玲 這樣論述:

《儀器分析實驗》是在總結長期儀器分析實驗教學的基礎上,參考近年來國內外的儀器分析實驗教材,根據高等院校化學相關專業的教學要求,以及儀器分析的新發展和本校儀器利用的現狀編寫而成。共選取50個實驗,分佈在16章中,包括儀器分析實驗的基本知識、紫外-可見吸收光譜法、紅外吸收光譜法、螢光分光光度法、原子發射光譜分析法、原子吸收光譜分析法、原子螢光光譜分析法、電位分析法與離子選擇性電極、伏安分析法、庫侖分析法、氣相色譜法、高效液相色譜法、色譜-質譜聯用法、其他分析法、儀器分析的品質保證和品質控制、實驗資料的統計分析和類比,涵蓋儀器分析實驗核心內容。 《儀器分析實驗》適合於化學、化工、生物、食品、製藥、

資環等相關專業本專科學生使用,也可供高等學校相關專業師生和其他科技工作者參考。 盧亞玲,塔里木大學生命科學學院,副教授,主講課程:儀器分析、分離技術、分析化學等,校儀器分析重點課程負責人,主要從事分離分析研究。 第1章儀器分析實驗的基本知識1 1.1儀器分析的地位與作用1 1.2儀器分析實驗的基本要求2 1.3儀器分析實驗室安全規則2 1.4儀器分析實驗用水3 1.5玻璃器皿的洗滌4 第2章紫外-可見吸收光譜法7 2.1基本原理7 2.2儀器結構7 2.3分光光度計的類型9 2.4實驗內容10 實驗一紫外-可見吸收光譜法測定苯甲酸的含量10 實驗二雙波長法

同時測定維生素C和維生素E的含量12 實驗三紫外-可見吸收光譜法鑒定苯酚及其含量的測定13 實驗四高錳酸鉀和重鉻酸鉀混合物各組分含量的測定15 第3章紅外吸收光譜法17 3.1基本原理17 3.2儀器基本結構18 3.3實驗內容19 實驗五苯甲酸的紅外光譜測定19 實驗六有機化合物的紅外光譜分析21 實驗七紅外光譜法分析奶粉的品質22 第4章螢光分光光度法24 4.1基本原理24 4.2螢光分析儀器26 4.3實驗內容27 實驗八螢光分光光度法測定維生素B2的含量27 實驗九以8-羥基喹啉為絡合劑螢光法測定鋁的含量30 實驗十螢光法測定乙醯水楊酸和水楊酸含量31 第5章原子發射光譜分析法

33 5.1基本原理33 5.2儀器基本結構33 5.3實驗內容34 實驗十一火焰光度法測定自來水中的鉀、鈉34 實驗十二原子發射光譜分析測定礦泉水樣中的微量金屬元素36 第6章原子吸收光譜分析法39 6.1基本原理39 6.2原子吸收分光光度計40 6.3實驗內容42 實驗十三火焰原子吸收光譜法測定自來水中的鎂42 實驗十四火焰原子吸收光譜法測定鋅43 實驗十五石墨爐原子吸收光譜法測定自來水中的銅46 實驗十六石墨爐原子吸收光譜法測定食品中的微量鉛48 第7章原子螢光光譜分析法51 7.1基本原理51 7.2原子螢光光度計52 7.3實驗內容53 實驗十七氫化物原子螢光光譜法測定大豆中的

總砷53 實驗十八原子螢光光譜法測定食品中的硒55 第8章電位分析法與離子選擇性電極58 8.1基本原理58 8.2儀器結構58 8.3實驗內容61 實驗十九回應斜率及碳酸飲料pH值的測定61 實驗二十氯離子的自動電位滴定63 實驗二十一自動電位滴定法測定果汁中的可滴定酸64 實驗二十二電位滴定法測定醬油中的氨基酸總量65 第9章伏安分析法67 9.1基本原理67 9.2儀器結構67 9.3實驗內容70 實驗二十三微分脈衝伏安法測定水樣中的微量銅70 實驗二十四迴圈伏安法測定鐵氰化鉀的電極反應過程71 實驗二十五維生素B12在玻碳電極上的伏安行為及測定73 實驗二十六單掃描極譜法同時測定水

中的鉛和鎘74 第10章庫侖分析法76 10.1基本原理76 10.2儀器結構76 10.3實驗內容77 實驗二十七庫侖滴定法測定蔬菜和水果中的維生素C含量77 實驗二十八庫侖滴定法標定Na2S2O3溶液的濃度78 實驗二十九恒電流庫侖滴定法測定砷80 第11章氣相色譜法82 11.1基本原理82 11.2儀器結構82 11.3實驗技術83 11.4實驗內容85 實驗三十氣相色譜法測定酒中乙醇的含量85 實驗三十一毛細管氣相色譜法測定水中的揮發性苯系物87 實驗三十二氣相色譜法測定白酒中的微量香味成分89 實驗三十三氣相色譜法快速測定各種常規氣體90 實驗三十四氣相色譜法測定蔬菜中有機磷農

藥殘留量91 第12章高效液相色譜法94 12.1基本原理94 12.2儀器結構95 12.3實驗內容96 實驗三十五高效液相色譜法測定咖啡因含量96 實驗三十六高效液相色譜法測定飲料中的防腐劑97 實驗三十七高效液相色譜法測定對羥基苯甲酸酯類化合物99 實驗三十八高效液相色譜法測定食品中蘇丹紅染料101 實驗三十九離子色譜法測定水中常見陰離子103 實驗四十凝膠滲透色譜法測定聚合物分子量分佈105 實驗四十一凝膠色譜法測定聚乙二醇108 第13章色譜-質譜聯用法110 13.1基本原理110 13.2質譜儀結構110 13.3液相色譜-質譜法111 13.4氣相色譜-質譜法112 13.

5實驗內容112 實驗四十二高效液相色譜-串聯三重四極杆質譜聯用法測定牛奶中的氯黴素殘留量112 實驗四十三高效液相色譜-三重四極杆質譜法測定化妝品中禁用物質甲硝唑114 實驗四十四氣質聯用(GC-MS)法分析葡萄酒中揮發性物質116 實驗四十五氣質聯用(GC-MS)法分析食用油中的脂肪酸117 第14章其他分析法119 實驗四十六核磁共振波譜儀的工作原理及結構簡介119 實驗四十七1H NMR測定蘆丁123 實驗四十八利用13C NMR鑒定乙苯125 實驗四十九X射線衍射物相分析126 實驗五十毛細管電泳法測定阿司匹林中的水楊酸130 第15章儀器分析的品質保證和品質控制133 15.1

品質保證與品質控制概述133 15.2分析全過程的品質保證與品質控制137 15.3標準方法與標準物質143 15.4不確定度和溯源性144 15.5實驗室認可、計量認證及審查認可145 第16章實驗資料的統計分析和類比147 16.1相關概念147 16.2誤差的來源與消除方法150 16.3分析結果的表示方法152 16.4實驗資料的統計分析153 16.5實驗的電腦類比159 參考文獻160

以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硒處理之二硒化鎢與二硒化鉬兩種電晶體

為了解決石墨 硒的問題,作者陳亭羽 這樣論述:

摘要 iAbstract ii目錄 v圖目錄 vii表目錄 xv中英對照表 xvi第一章 緒論 11.1 回顧矽基金氧半場效電晶體背景以及瓶頸 11.2 回顧二維材料發展潛力以及應用 61.2.1 石墨烯材料回顧 61.2.2黑磷、鍺烯、矽烯和矽鍺材料二維材料回顧 131.3過渡金屬二硫族化物 TMD (Transition metal dichalcogenides) 二維材料回顧 171.3.1介面蕭特基能障(Interface Schottky Barrier)與費米能級的釘扎效應(Fermi level p

inning)關係 191.3.2凡德瓦與非凡德瓦介面(Van der Waals vs non-Van der Waals interface) 201.3.3 Transfer Length Method (TLM) 方式計算接觸電阻 361.4 研究動機 38第二章 計算理論方法 402.1 單電子近似理論 402.1.1 Born-Oppenheimer approximation 402.1.2 Hartree近似 412.1.3 Hartree-Fock近似 432.2 密度泛函理論 442.2.1 Thomas-F

ermi 442.2.2 Hohenberg-Kohn定理 452.2.3 Kohn-Sham Equation 482.2.4局域密度梯度法 512.2.5廣義梯度近似法 532.3 非平衡格林函數理論 542.3.1格林函數與薛丁格方程式 552.3.2多體格林函數與Langreth定理 562.3.3格林函數矩陣形式 612.3.4雙電極量子傳輸格林函數與自能 622.3.5密度矩陣計算 652.3.6非平衡格林函數自洽場 682.3.7傳輸係數與Landauer-Büttiker公式 692.4 電子結構計算

的結構後分析 722.4.1鍵結 732.4.2電荷轉移 742.4.3 態密度 742.5 古典傳輸波茲曼理論(Boltzmann theory) 75第三章 電子結構與量子傳輸計算 773.1 MSe2/Metal側接觸結構 (M = Mo ,W) 813.1.1 MSe2/Metal電子結構與傳輸特性分析 813.1.2 MSe2/Metal接觸電阻 883.2 Buffer-metal接觸結構 963.3 MSe2/MSeX/ Metal側接觸結構 (M = Mo ,W ; X= As, Br) 983.3.1 W

Se2/WSeX/Metal電子結構與傳輸特性分析 993.3.2 WSe2/WSeX/Metal鍵結分析 1053.3.3 MoSe2/MoSeX/Metal電子結構與傳輸特性分析 1103.3.4 MoSe2/MoSeX/Metal鍵結分析 1163.3.5 MSe2/Metal與MSe2/MSeX/Metal接觸電阻比較 121第四章 結論 122參考文獻(Reference) 123附錄 130I. Nanodcal軟體參雜能帶平移計算 130II. 金屬功函數(Work function) 131III.

Nanodcal軟體閘極Vg電壓設定 133