液態 合金 膜的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

液態 合金 膜的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦賈忠中寫的 SMT工藝不良與組裝可靠性 和高鵬的 電化學基礎教程(第二版)都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自電子工業 和化學工業所出版 。

國立高雄大學 應用化學系碩士班 蔡振章所指導 施懿展的 短暫抗腐蝕型矽酸鹽複合薄膜研究 (2021),提出液態 合金 膜關鍵因素是什麼,來自於抗腐蝕塗料、矽酸鹽薄膜、AA2024鋁合金、複合材料、塔菲爾圖、鹽霧試驗。

而第二篇論文國立臺南大學 綠色能源科技學系碩士班 卜一宇所指導 吳宗翰的 利用反應性直流濺鍍系統製備Cr-CrN薄膜 應用於超級電容之吸附層 (2021),提出因為有 超級電容、氮化物、Cr-CrN薄膜、電雙層電容器的重點而找出了 液態 合金 膜的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了液態 合金 膜,大家也想知道這些:

SMT工藝不良與組裝可靠性

為了解決液態 合金 膜的問題,作者賈忠中 這樣論述:

本書是寫給那些在生產一線忙碌的工程師的。全書以工程應用為目標,聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及應用問題,以圖文並茂的形式,介紹了焊接的基礎原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現象,以及組裝工藝帶來的可靠性問題。 本書適合於從事電子產品製造的工藝與品質工程師學習與參考。 賈忠中,高級工程師,先後供職於中國電子集團工藝研究所、中興通訊股份有限公司,從事電子製造工藝研究與管理工作近30年。在中興通訊股份有限公司工作也超過20年,見證並參與了中興工藝的發展歷程,歷任工藝研究部部長、副總工藝師、總工藝師、首席工藝專家。擔任廣東電子學會SMT專委會副主任委員

、中國電子學會委員。對SMT、可製造性設計、失效分析、焊接可靠性有深入、系統的研究,擅長組裝不良分析、焊點失效分析。出版了《SMT工藝品質控制》《SMT核心工藝解析與案例分析》《SMT可製造性設計》等專著。 第一部分  工藝基礎 1 第1章  概述 3 1.1  電子組裝技術的發展 3 1.2  表面組裝技術 4 1.2.1  元器件封裝形式的發展 4 1.2.2  印製電路板技術的發展 5 1.2.3  表面組裝技術的發展 6 1.3  表面組裝基本工藝流程 7 1.3.1  再流焊接工藝流程 7 1.3.2  波峰焊接工藝流程 7 1.4  表面組裝方式與工藝路徑 8

1.5  表面組裝技術的核心與關鍵點 9 1.6  表面組裝元器件的焊接 10 案例1 QFN的橋連 11 案例2 BGA的球窩與開焊 11 1.7  表面組裝技術知識體系 12 第2章  焊接基礎 14 2.1  軟釺焊工藝 14 2.2  焊點與焊錫材料 14 2.3  焊點形成過程及影響因素 15 2.4  潤濕 16 2.4.1  焊料的表面張力 17 2.4.2  焊接溫度 18 2.4.3  焊料合金元素與添加量 18 2.4.4  金屬在熔融Sn合金中的溶解率 19 2.4.5  金屬間化合物 20 2.5  相點陣圖和焊接 23 2.6  表面張力 24 2.6.1  表面張力

概述 24 2.6.2  表面張力起因 26 2.6.3  表面張力對液態焊料表面外形的影響 26 2.6.4  表面張力對焊點形成過程的影響 26 案例3  片式元件再流焊接時焊點的形成過程 26 案例4  BGA再流焊接時焊點的形成過程 27 2.7  助焊劑在焊接過程中的作用行為 28 2.7.1  再流焊接工藝中助焊劑的作用行為 28 2.7.2  波峰焊接工藝中助焊劑的作用行為 29 案例5  OSP板採用水基助焊劑波峰焊時漏焊 29 2.8  可焊性 30 2.8.1  可焊性概述 30 2.8.2  影響可焊性的因素 30 2.8.3  可焊性測試方法 32 2.8.4  潤濕稱

量法 33 2.8.5  浸漬法 35 2.8.6  鋪展法 35 2.8.7  老化 36 第3章  焊料合金、微觀組織與性能 37 3.1  常用焊料合金 37 3.1.1  Sn-Ag合金 37 3.1.2  Sn-Cu合金 38 3.1.3  Sn-Bi合金 39 3.1.4  Sn-Sb合金 39 3.1.5  提高焊點可靠性的途徑 40 3.1.6  無鉛合金中常用添加合金元素的作用 40 3.2  焊點的微觀結構與影響因素 42 3.2.1  組成元素 42 3.2.2  工藝條件 44 3.3  焊點的微觀結構與機械性能 44 3.3.1  焊點(焊料合金)的金相組織 45 3

.3.2  焊接介面金屬間化合物 46 3.3.3  不良的微觀組織 50 3.4  無鉛焊料合金的表面形貌 61 第二部分  工藝原理與不良 63 第4章  助焊劑 65 4.1  助焊劑的發展歷程 65 4.2  液態助焊劑的分類標準與代碼 66 4.3  液態助焊劑的組成、功能與常用類別 68 4.3.1  組成 68 4.3.2  功能 69 4.3.3  常用類別 70 4.4  液態助焊劑的技術指標與檢測 71 4.5  助焊劑的選型評估 75 4.5.1  橋連缺陷率 75 4.5.2  通孔透錫率 76 4.5.3  焊盤上錫飽滿度 76 4.5.4  焊後PCB表面潔淨度 

77 4.5.5  ICT測試直通率 78 4.5.6  助焊劑的多元化 78 4.6  白色殘留物 79 4.6.1  焊劑中的松香 80 4.6.2  松香變形物 81 4.6.3  有機金屬鹽 81 4.6.4  無機金屬鹽 81 第5章  焊膏 83 5.1  焊膏及組成 83 5.2  助焊劑的組成與功能 84 5.2.1  樹脂 84 5.2.2  活化劑 85 5.2.3  溶劑 87 5.2.4  流變添加劑 88 5.2.5  焊膏配方設計的工藝性考慮 89 5.3  焊粉 89 5.4  助焊反應 90 5.4.1  酸基反應 90 5.4.2  氧化-還原反應 91 5.

5  焊膏流變性要求 91 5.5.1  黏度及測量 91 5.5.2  流體的流變特性 92 5.5.3  影響焊膏流變性的因素 94 5.6  焊膏的性能評估與選型 96 5.7  焊膏的儲存與應用 100 5.7.1  儲存、解凍與攪拌 100 5.7.2  使用時間與再使用注意事項 101 5.7.3  常見不良 101 第6章 PCB表面鍍層及工藝特性 106 6.1  ENIG鍍層 106 6.1.1 工藝特性 106 6.1.2 應用問題 107 6.2  Im-Sn鍍層 108 6.2.1 工藝特性 109 6.2.2 應用問題 109 案例6 鍍Sn層薄導致虛焊 109 6.

3  Im-Ag鍍層 112 6.3.1 工藝特性 112 6.3.2  應用問題 113 6.4 OSP膜 114 6.4.1 OSP膜及其發展歷程 114 6.4.2 OSP工藝 115 6.4.3 銅面氧化來源與影響 115 6.4.4 氧化層的形成程度與通孔爬錫能力 117 6.4.5 OSP膜的優勢與劣勢 119 6.4.6 應用問題 119 6.5 無鉛噴錫 119 6.5.1 工藝特性 120 6.5.2 應用問題 122 6.6 無鉛表面耐焊接性對比 122 第7章 元器件引腳/焊端鍍層及工藝性 124 7.1 表面組裝元器件封裝類別 124 7.2 電極鍍層結構 125 7.

3 Chip類封裝 126 7.4 SOP/QFP類封裝 127 7.5 BGA類封裝 127 7.6 QFN類封裝 127 7.7 外掛程式類封裝 128 第8章  焊膏印刷與常見不良 129 8.1  焊膏印刷 129 8.2  印刷原理 129 8.3  影響焊膏印刷的因素 130 8.3.1  焊膏性能 130 8.3.2  範本因素 133 8.3.3  印刷參數 134 8.3.4  擦網/底部擦洗 137 8.3.5  PCB支撐 140 8.3.6  實際生產中影響焊膏填充與轉移的其他因素 141 8.4  常見印刷不良現象及原因 143 8.4.1  印刷不良現象 143 8

.4.2  印刷厚度不良 143 8.4.3  汙斑/邊緣擠出 145 8.4.4  少錫與漏印 146 8.4.5  拉尖/狗耳朵 148 8.4.6  塌陷 148 8.5  SPI應用探討 151 8.5.1  焊膏印刷不良對焊接品質的影響 151 8.5.2  焊膏印刷圖形可接受條件 152 8.5.3  0.4mm間距CSP 153 8.5.4  0.4mm間距QFP 154 8.5.5  0.4~0.5mm間距QFN 155 8.5.6  0201 155 第9章  鋼網設計與常見不良 157 9.1  鋼網 157 9.2  鋼網製造要求 160 9.3  範本開口設計基本要求 

161 9.3.1  面積比 161 9.3.2  階梯範本 162 9.4  範本開口設計 163 9.4.1  通用原則 163 9.4.2  片式元件 165 9.4.3  QFP 165 9.4.4  BGA 166 9.4.5  QFN 166 9.5  常見的不良開口設計 168 9.5.1  範本設計的主要問題 168 案例7  範本避孔距離不夠導致散熱焊盤少錫 169 案例8  焊盤寬、引腳窄導致SIM卡移位 170 案例9  熔融焊錫漂浮導致變壓器移位 170 案例10  防錫珠開孔導致圓柱形二極體爐後飛料問題 171 9.5.2  範本開窗在改善焊接良率方面的應用 171

案例11  兼顧開焊與橋連的葫蘆形開窗設計 171 案例12  電解電容底座鼓包導致移位 173 案例13  BGA變形導致橋連與球窩 174 第10章  再流焊接與常見不良 175 10.1  再流焊接 175 10.2  再流焊接工藝的發展歷程 175 10.3  熱風再流焊接技術 176 10.4  熱風再流焊接加熱特性 177 10.5  溫度曲線 178 10.5.1  溫度曲線的形狀 179 10.5.2  溫度曲線主要參數與設置要求 180 10.5.3  爐溫設置與溫度曲線測試 186 10.5.4  再流焊接曲線優化 189 10.6  低溫焊料焊接SAC錫球的BGA混裝再流

焊接工藝 191 10.6.1  有鉛焊料焊接無鉛BGA的混裝工藝 192 10.6.2  低溫焊料焊接SAC錫球的混裝再流焊接工藝 196 10.7  常見焊接不良 197 10.7.1  冷焊 197 10.7.2  不潤濕 199 案例14  連接器引腳潤濕不良現象 200 案例15  沉錫板焊盤不上錫現象 201 10.7.3  半潤濕 202 10.7.4  滲析 203 10.7.5  立碑 204 10.7.6  偏移 207 案例16  限位導致手機電池連接器偏移 207 案例17  元器件安裝底部噴出的熱氣流導致元器件偏移 208 案例18  元器件焊盤比引腳寬導致元器件偏移

 208 案例19  片式元件底部有半塞導通孔導致偏移 209 案例20  不對稱焊端容易導致偏移 209 10.7.7  芯吸 210 10.7.8  橋連 212 案例21  0.4mm QFP橋連 212 案例22  0.4mm間距CSP(也稱?BGA)橋連 213 案例23  鉚接錫塊表貼連接器橋連 214 10.7.9  空洞 216 案例24  BGA焊球表面氧化等導致空洞形成 218 案例25  焊盤上的樹脂填孔吸潮導致空洞形成 219 案例26  HDI微盲孔導致BGA焊點空洞形成 219 案例27  焊膏不足導致空洞產生 220 案例28  排氣通道不暢導致空洞產生 220

案例29  噴印焊膏導致空洞產生 221 案例30  QFP引腳表面污染導致空洞產生 221 10.7.10  開路 222 10.7.11  錫球 223 10.7.12  錫珠 226 10.7.13  飛濺物 229 10.8  不同工藝條件下用63Sn/37Pb焊接SAC305 BGA的切片圖 230 第11章  特定封裝的焊接與常見不良 232 11.1  封裝焊接 232 11.2  SOP/QFP 232 11.2.1  橋連 232 案例31  某板上一個0.4mm間距QFP橋連率達到75% 234 案例32  QFP焊盤加工尺寸偏窄導致橋連率增加 235 11.2.2  虛焊

 235 11.3  QFN 236 11.3.1  QFN封裝與工藝特點 236 11.3.2  虛焊 238 11.3.3  橋連 240 11.3.4  空洞 241 11.4  BGA 244 11.4.1  BGA封裝類別與工藝特點 244 11.4.2  無潤濕開焊 245 11.4.3  球窩焊點 246 11.4.4  縮錫斷裂 248 11.4.5  二次焊開裂 249 11.4.6  應力斷裂 250 11.4.7  坑裂 251 11.4.8  塊狀IMC斷裂 252 11.4.9  熱迴圈疲勞斷裂 253 第12章 波峰焊接與常見不良 256 12.1 波峰焊接 256

12.2 波峰焊接設備的組成及功能 256 12.3 波峰焊接設備的選擇 257 12.4 波峰焊接工藝參數設置與溫度曲線的測量 257 12.4.1 工藝參數 258 12.4.2 工藝參數設置要求 258 12.4.3 波峰焊接溫度曲線測量 258 12.5 助焊劑在波峰焊接工藝過程中的行為 259 12.6 波峰焊接焊點的要求 260 12.7 波峰焊接常見不良 262 12.7.1 橋連 262 12.7.2 透錫不足 265 12.7.3 錫珠 266 12.7.4 漏焊 268 12.7.5 尖狀物 269 12.7.6 氣孔—吹氣孔/ 269 12.7.7  孔填充不良 270

12.7.8 板面髒 271 12.7.9 元器件浮起 271 案例33 連接器浮起 272 12.7.10 焊點剝離 272 12.7.11 焊盤剝離 273 12.7.12 凝固開裂 274 12.7.13 引線潤濕不良 275 12.7.14 焊盤潤濕不良 275 第13章 返工與手工焊接常見不良 276 13.1 返工工藝目標 276 13.2 返工程式 276 13.2.1  元器件拆除 276 13.2.2 焊盤整理 277 13.2.3 元器件安裝 277 13.2.4 工藝的選擇 277 13.3 常用返工設備/工具與工藝特點 278 13.3.1 烙鐵 278 13.3.2

 熱風返修工作站 279 13.3.3 吸錫器 281 13.4 常見返修失效案例 282 案例34 採用加焊劑方式對虛焊的QFN進行重焊導致返工失敗 282 案例35 採用加焊劑方式對虛焊的BGA進行重焊導致BGA中心焊點斷裂 282 案例36 風槍返修導致周邊鄰近帶散熱器的BGA焊點開裂 283 案例37 返修時加熱速率太大導致BGA角部焊點橋連 284 案例38 手工焊接大尺寸片式電容導致開裂 284 案例39 手工焊接外掛程式導致相連片式電容失效 285 案例40 手工焊接大熱容量外掛程式時長時間加熱導致PCB分層 285 案例41 採用銅辮子返修細間距元器件容易發生微橋連現象 286

第三部分 組裝可靠性 289 第14章 可靠性概念 291 14.1 可靠性定義 291 14.1.1 可靠度 291 14.1.2 MTBF與MTTF 291 14.1.3 故障率 292 14.2 影響電子產品可靠性的因素 293 14.2.1 常見設計不良 293 14.2.2 製造影響因素 294 14.2.3 使用時的劣化因素 295 14.3 常用的可靠性試驗評估方法—溫度迴圈試驗 296 第15章 完整焊點要求 298 15.1 組裝可靠性 298 15.2 完整焊點 298 15.3 常見不完整焊點 298 第16章 組裝應力失效 304 16.1 應力敏感封裝 304 1

6.2 片式電容 304 16.2.1 分板作業 304 16.2.2 烙鐵焊接 306 16.3 BGA 307 第17章 使用中溫度迴圈疲勞失效 308 17.1 高溫環境下的劣化 308 17.1.1 高溫下金屬的擴散 308 17.1.2 介面劣化 309 17.2 蠕變 309 17.3 機械疲勞與溫度迴圈 310 案例42 拉應力疊加時的熱疲勞斷裂 310 案例43 某模組灌封工藝失控導致焊點受到拉應力作用 310 案例44 灌封膠與PCB的CTE不匹配導致焊點早期疲勞失效(開裂) 312 第18章 環境因素引起的失效 313 18.1  環境引起的失效 313 18.1.1 電化

學腐蝕 313 18.1.2 化學腐蝕 315 18.2 CAF 316 18.3 銀遷移 317 18.4 硫化腐蝕 318 18.5 爬行腐蝕 318 第19章 錫須 321 19.1 錫須概述 321 19.2 錫須產生的原因 322 19.3 錫須產生的五種基本場景 323 19.4 室溫下錫須的生長 324 19.5 溫度迴圈(熱衝擊)作用下錫須的生長 325 19.6 氧化腐蝕引起的錫鬚生長 326 案例45 某產品單板上的輕觸開關因錫須短路 327 19.7 外界壓力作用下的錫鬚生長 327 19.8 控制錫鬚生長的建議 328 後記 330 參考文獻 331  

短暫抗腐蝕型矽酸鹽複合薄膜研究

為了解決液態 合金 膜的問題,作者施懿展 這樣論述:

本研究之目的在於發展一種簡易的薄膜製備方法,用以改良金屬基材表面性質,製備短暫抗腐蝕膜,當金屬基材需要進行後續加工時,可以使用簡便的方法進行脫模。吾人利用浸鍍法,在鋁合金上塗佈矽酸鹽複合塗層,利用矽酸鹽在矽/鉀比值高的條件下,塗層中水分蒸發,鹼性條件下並提高催化效能,使塗層中分子間Si-OH脫水而縮合形成-Si-O-Si-。此外,因塗層具有自固化能力,不需經過額外加熱步驟,在常溫即可乾燥並進行固化,可直接與鋁材形成矽酸鹽轉化膜。由於鉀離子具游離特性,在含水條件下,塗層會溶解,此一物性利於矽酸鹽進行脫模。吾人利用Tafel plot和鹽霧試驗判定其抗腐蝕的能力,由實驗結果得知,在不同矽酸鉀濃度

下,皆可製備矽酸鹽轉化膜,增加濃度有利形成較厚的鍍膜,但矽酸鉀濃度過高時,會腐蝕鋁材,進而降低抗腐蝕能力。不同抬升速率亦對薄膜有明顯影響,抬升速率越快,薄膜的厚度愈增加,導致自固化的時間拉長。無論是氣相(固態)還是膠體(液態),額外添加的二氧化矽會提升抗腐蝕能力,但過量的二氧化矽增加塗層內部應力,降低其韌性,進一步導致裂紋增加,因而降低整體抗腐蝕性能。在塗覆1SF-0.1GM22P-1.0 KSi塗層後,基材表面完整覆蓋上MCM-22P,觀測基材表面的劃痕,GM22P除增加薄膜的厚度,也填補了KSi塗層的孔隙,利用Tafel plot和鹽霧試驗判定其確實具有抗腐蝕效果的阻隔層,且浸泡在1% A

lconox脫膜劑及超音波震盪下,可脫除約83.3%的薄膜。

電化學基礎教程(第二版)

為了解決液態 合金 膜的問題,作者高鵬 這樣論述:

“互聯網+”與移動學習相結合的立體化教材,十個電化學演示實驗視頻掃描二維碼即可觀看。 《電化學基礎教程》(第二版)系統介紹了電化學的基本原理、方法及應用,注重物理化學與電化學的知識體系銜接,重視基本概念的闡述,內容新穎、難易適中。全書分為四個部分,第一部分介紹電化學體系的組成以及導體和液、固態電解質的性質(第1~3章);第二部分介紹電化學熱力學原理以及電極/溶液介面雙電層的結構、性質和研究方法(第4、5章);第三部分介紹電極過程動力學基本原理及研究方法(第6~9章);第四部分介紹化學電源、電鍍、電解、腐蝕防護等領域一些實際電極過程的基本原理(第10章)。 《電化學基礎教程》(第二版)主要供

高等院校應用化學、物理化學及相關專業作為電化學原理教材使用,也可供化學電源、表面處理、工業電解、腐蝕防護、電分析化學、材料電化學等領域的教學、科研、技術人員參考。 高鵬,男,本科、碩士畢業于哈爾濱工業大學電化學專業,博士畢業于哈工大材料學專業,現在哈工大(威海)電化學專業任教,主講電化學原理、結構化學、化學電源工藝學等課程。主要研究方向為鋰離子電池材料,發表科研論文20餘篇,包括《Journal of Power Sources》等SCI-Top期刊。出版《從量子到宇宙》科普圖書一部,獲評2017年3月“中國好書”。 第1章 緒論1 1.1電化學簡介1

1.2電化學的歷史2 1.3電化學研究領域的發展4 1.4本書結構與學習方法6 複習題6 第2章 導體和電化學體系7 2.1電學基礎知識7 2.1.1電場與電勢7 2.1.2導體及其在電場中的性質8 2.2兩類導體的導電機理9 2.2.1電子導體的導電機理9 2.2.2離子導體的導電機理10 2.3電化學體系11 2.3.1兩類電化學裝置11 2.3.2從電子導電到離子導電的轉換12 2.4法拉第定律13 2.5實際電化學裝置的設計14 2.5.1實際電化學裝置的組成14 2.5.2實際電化學裝置設計示例15 複習題17 第3章 液態電解質與固態電解質18 3.1電解質溶液與離子水化18

3.1.1溶液中電解質的分類18 3.1.2水的結構與水化焓18 3.1.3離子的水化膜20 3.1.4固/液介面的水化膜21 3.2電解質溶液的活度22 3.2.1活度的概念22 3.2.2離子的平均活度23 3.2.3離子強度定律24 3.3電解質溶液的電遷移25 3.3.1電解質溶液的電導率25 3.3.2離子的淌度27 3.3.3離子遷移數29 3.3.4水溶液中質子的導電機制30 3.4電解質溶液的擴散31 3.4.1Fick第一定律31 3.4.2Fick第二定律33 3.4.3擴散係數34 3.5電解質溶液的離子氛理論35 3.5.1離子氛的概念35 3.5.2鬆弛效應與電泳效應

36 3.5.3盎薩格(Onsager)極限公式37 3.5.4交流電場和強電場對電解質電導的影響37 3.6無機固體電解質38 3.7聚合物電解質39 3.8熔鹽電解質41 3.8.1熔融電解質41 3.8.2室溫離子液體42 複習題43 第4章 電化學熱力學45 4.1相間電勢與可逆電池45 4.1.1內電勢與外電勢45 4.1.2介面電勢差47 4.1.3電化學勢與費米能級47 4.1.4可逆電池48 4.2電極電勢49 4.2.1氫標電極電勢與Nernst方程50 4.2.2氫標電極電勢在計算中的應用51 4.2.3可逆電極52 4.3液體接界電勢53 4.4離子選擇性電極55 4.

4.1膜電勢55 4.4.2玻璃電極56 4.4.3其他類型的離子選擇性電極57 複習題59 第5章 雙電層60 5.1雙電層簡介60 5.1.1雙電層的形成60 5.1.2離子雙層的形成條件61 5.1.3理想極化電極與理想不極化電極62 5.2雙電層結構的研究方法63 5.2.1電毛細曲線63 5.2.2微分電容曲線65 5.2.3零電荷電勢67 5.2.4離子表面剩餘量68 5.3雙電層結構模型的發展69 5.3.1Helmholtz模型與Gouy-Chapman模型69 5.3.2Gouy-Chapman-Stern模型70 5.3.3Grahame模型與特性吸附76 5.3.4Bo

ckris模型與溶劑層的影響79 5.4有機活性物質在電極表面的吸附80 5.4.1有機物的可逆吸附81 5.4.2有機物的不可逆吸附84 複習題84 第6章 電化學動力學概論86 6.1電極的極化86 6.1.1極化與過電勢86 6.1.2極化曲線與三電極體系86 6.1.3穩態極化曲線的測量89 6.1.4電化學工作站90 6.2不可逆電化學裝置90 6.3電極過程與電極反應92 6.3.1電極過程歷程分析92 6.3.2電極反應的特點與種類93 6.4電極過程的速率控制步驟94 6.4.1速率控制步驟94 6.4.2常見極化類型96 6.4.3電極過程的特徵及研究方法96 複習題97

第7章 電化學極化99 7.1電化學動力學理論基礎99 7.1.1化學動力學回顧99 7.1.2電子轉移的動態平衡與極化本質101 7.1.3電子轉移動力學理論發展簡介103 7.2電極動力學的Butler-Volmer模型104 7.2.1單電子反應的Butler-Volmer公式104 7.2.2傳遞係數108 7.2.3標準速率常數108 7.2.4交換電流密度109 7.3單電子反應的電化學極化111 7.3.1電化學極化下的Butler-Volmer公式111 7.3.2Tafel公式111 7.3.3線性極化公式113 7.4多電子反應的電極動力學114 7.4.1多電子反應的B

utler-Volmer公式114 7.4.2多電子反應的電化學極化117 7.4.3多電子反應中控制步驟的計算數118 7.5電極反應機理的研究118 7.5.1利用電化學極化曲線測量動力學參數119 7.5.2電極反應的級數120 7.5.3平衡態近似與電極反應歷程分析120 7.6分散層對電極反應速率的影響——ψ1效應122 7.6.1分散層電勢差對電極動力學的影響122 7.6.2考慮了ψ1電勢的動力學公式123 7.6.3過硫酸根離子還原極化曲線分析124 7.7平衡電勢與穩定電勢125 7.7.1穩定電勢125 7.7.2如何建立平衡電勢126 複習題127 第8章 濃度極化13

0 8.1液相傳質130 8.1.1液相傳質方式130 8.1.2液相傳質流量131 8.1.3支持電解質132 8.2擴散與擴散層133 8.2.1穩態擴散與非穩態擴散133 8.2.2擴散層134 8.3穩態擴散傳質規律135 8.3.1理想穩態擴散135 8.3.2穩態對流擴散136 8.4可逆電極反應的穩態濃度極化140 8.4.1產物不溶141 8.4.2產物可溶,且產物初始濃度為零142 8.4.3產物可溶,且產物初始濃度不為零144 8.5電化學極化與濃度極化共存時的穩態動力學規律145 8.5.1混合控制的穩態動力學公式146 8.5.2電化學極化和濃度極化特點比較148 8.

6流體動力學方法簡介149 8.6.1旋轉圓盤電極149 8.6.2旋轉環盤電極152 8.7電遷移對擴散層中液相傳質的影響153 8.8表面轉化步驟對電極過程的影響155 8.8.1表面轉化步驟控制時的動力學公式156 8.8.2均相表面轉化與液相傳質共同控制時的動力學公式157 複習題159 第9章 基本暫態測量方法與極譜法161 9.1電勢階躍法161 9.1.1平面電極的大幅度電勢階躍163 9.1.2時間常數166 9.1.3微觀面積與表觀面積169 9.1.4球形電極的大幅度電勢階躍170 9.1.5微電極172 9.1.6准可逆和不可逆電極反應的電勢階躍174 9.2電流階躍法

176 9.2.1電流階躍下的粒子濃度分佈函數177 9.2.2可逆電極反應的電勢-時間曲線179 9.2.3不可逆電極反應的電勢-時間曲線181 9.2.4電極反應動力學參數測量方法小結182 9.3迴圈伏安法183 9.3.1掃描過程中的濃度分佈曲線變化183 9.3.2可逆體系的迴圈伏安曲線185 9.3.3准可逆和不可逆體系的迴圈伏安曲線187 9.3.4吸脫附體系的迴圈伏安曲線188 9.3.5雙層電容與溶液電阻對CV曲線的影響189 9.4電化學阻抗譜189 9.4.1電工學基礎知識190 9.4.2阻抗複平面圖191 9.4.3電化學體系的等效電路與阻抗譜192 9.4.4阻抗譜

的半圓旋轉現象與常相位元件195 9.4.5阻抗譜的資料處理與解析196 9.5滴汞電極與極譜法196 9.5.1滴汞電極197 9.5.2擴散極譜電流198 9.5.3極譜波200 複習題202 第10章 實際電極過程204 10.1電催化概述204 10.2氫電極過程206 10.2.1氫在電極上的吸附206 10.2.2氫的陰極還原208 10.2.3氫的陽極氧化211 10.3氧電極過程213 10.3.1氧的陰極還原機理214 10.3.2氧在電極上的吸附216 10.3.3氧陰極還原的電催化劑216 10.3.4氧的陽極氧化機理218 10.4金屬陰極過程218 10.4.1金屬

陰極過程基本特點219 10.4.2簡單金屬離子的陰極還原220 10.4.3金屬配離子的陰極還原221 10.4.4電結晶222 10.4.5電解法製備金屬粉末224 10.4.6電鑄225 10.5金屬陽極過程225 10.5.1正常的金屬陽極溶解過程225 10.5.2金屬的鈍化226 10.5.3金屬的自溶解228 10.5.4金屬腐蝕與防護230 10.5.5金屬電解加工與拋光233 10.5.6電池中鋅電極的陽極過程234 10.5.7鋁合金的陽極氧化235 複習題237 附錄 標準電極電勢表(298.15K,101.325kPa)239 習題答案241 參考文獻242 符

號表243 前言 本書第一版問世後,受到了廣大讀者的歡迎,五年多來已經多次重印,很多高校都選用本書作為“電化學原理”和“電化學基礎”課程的教材,使我們深受鼓舞,也倍感責任重大。為了進一步提高教材品質,跟上電化學學科發展與“互聯網+”教學的步伐,我們結合近年來的教學和科研實踐,特別是使用本教材的兄弟院校回饋的資訊,對本書加以全面的修訂,推出了第二版。 在這一版中,我們進行了以下修改。首先,對全書內容進行了全面的查漏補缺,訂正了疏漏和不足之處,調整了部分章節結構,使讀者更易理解與學習;其次,新增了固態電解質、迴圈伏安法、電化學阻抗譜、實際電化學裝置設計等章節,使全書內容更完

整、更實用;最後,新增了二維碼圖文與視頻素材,使教學內容立體化呈現,讀者學起來更生動。 紙質教材與移動學習相結合的二維碼素材可以說是本版的一大特色,我們將演示實驗視頻、輔助圖文素材通過掃描二維碼的方式呈現到讀者手機端。俗話說,百聞不如一見,實驗配合理論,可以使讀者更直觀地瞭解各種測試手段,更有利於教學內容的理解與應用。因此,本書設計了Tafel曲線測量、穩態濃度極化曲線測量、電勢階躍法、迴圈伏安法、電化學阻抗譜、電解水、電鍍、鈍化曲線的測量等演示實驗,分佈在各相關章節。 本次修訂由高鵬、朱永明和於元春共同完成,其中第1~5章由朱永明修訂,第6~10章由高鵬修訂,二維碼演示實驗視頻由於元春設

計並講解,二維碼圖文素材由高鵬編寫,全書由高鵬統稿。屠振密教授和胡會利老師再次審閱了書稿,提出了許多寶貴意見,在此致以誠摯的謝意。 本書在修訂過程中得到了電化學教研室曹立新、滕祥國、劉海萍、畢四富等同事的支持與幫助,得到了總校電化學教研室張翠芬、李甯、張景雙、趙力等師長們的關心與鼓勵,在此一併表示感謝。 希望通過本次修訂,使本書成為一本內容新穎、詳略得當、實用性強、易教易學的電化學教材。由於能力所限,疏漏與不足之處在所難免,敬請廣大讀者朋友們批評指正,可通過電子郵箱[email protected]與作者聯繫。 高鵬 朱永明 哈爾濱工業大學(威海) 2018年10月

利用反應性直流濺鍍系統製備Cr-CrN薄膜 應用於超級電容之吸附層

為了解決液態 合金 膜的問題,作者吳宗翰 這樣論述:

近年來隨著全球能源逐漸短缺的狀況下,有關儲能系統與再生能源的研究開始蓬勃發展。而超級電容系統也是其中之一,超級電容系統不但擁有瞬間輸出大功率的特性,也擁有比起一般傳統電容能夠具有更多的電容量。其中以碳電極作為超級電容更是優異,擁有較高的電容量,但其缺點是其結構無法承受一瞬間大量電流的通過,影響其耐久性與快充性。本研究主要利用Cr-CrN薄膜其多孔性柱狀晶結構,能夠使超級電容充放電過程中增加其電荷吸附,能夠有效增加超級電容的電容量,使用反應性直流濺鍍系統沉積Cr-CrN薄膜,配合膠狀電解液製備出超級電容元件。本實驗以前驅氣體比例Ar:N = 40:10與功率350W下濺鍍Cr-CrN薄膜作為超

級電容吸附層有最佳的效果,雙電層電容器(EDLC)元件電容量可達1.615 mF/cm2,元件結構穩定,可承受100mA的電流充放,循環壽命可達767圈,且充放電過程中並無法拉第效應產生。上述結果證明Cr-CrN薄膜應用於EDLC的吸附層材料的可行性,配合方便、成本低廉且再現性極高的濺鍍製程,使其更具有商業化的潛力。