法拉第电解定律的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

不同實際鉻蝕刻廢液中Ce(IV)電再生之研究

為了解決法拉第电解定律的問題，作者蔡仁瑋 這樣論述：

台灣是全球薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)主要供應國之一。然而，TFT-LCD產業會產生大量屬於有害廢棄物之鉻蝕刻廢液，若能將其再生及利用，可減少污染物之排放與回收有價資源。因此，本研究探討實際鉻蝕刻廢液(硝酸介質)中Ce(IV)之電再生，測試不同參數：電極(BDD、PbO2和Pt)，電流(1.5、1.0和0.5 A/cm2)，溫度(10 ℃、25 ℃和40 ℃)，離子交換膜(NEOSEPTA CMX，AMX，Nafion-324，Nafion-424，Nafion-212和Nafion-117)，電極面積(1 cm2，2 cm2和4 cm2)，陰極(鈦電極和不鏽鋼)，離子交換樹脂(O

H型和Cl型)、實際鉻蝕刻廢液(A廠、B廠、C廠及D廠)及反應器(單槽和雙槽)對Ce(IV)電再生之影響。實驗結果顯示，在BDD和Pt電極上Ce(III)/Ce(IV)之電化學反應特性皆為準可逆(quasi-reversible)。在A廠實際鉻蝕刻廢液中，以循環伏安法(CV)掃描所得片狀Pt和BDD電極Ce(III)之擴散係數分別為4.37×10-6 cm2/s及3.91×10-6 cm2/s。在不同實際鉻蝕刻廢液中，片狀BDD電極CV掃描所得Ce(III)之擴散係數，以C廠鉻蝕刻廢液者最高(4.67×10-5 cm2/s)；而旋轉圓盤Pt電極線性伏安掃描(LSV)所得平均Ce(III)之擴散

係數，以D廠者最大(7.66×10-6~9.42×10-6 cm2/s)。在Ce(IV)電再生反應中，增加電流密度、陽極工作面積或溫度可提高Ce(IV)的產率。BDD及Pt電極Ce(IV)電再生之活化能分別為6.25 kJ/mol及10.81 kJ/mol。使用BDD陽極及不鏽鋼陰極之組合，可得到較佳之Ce(IV)產率及電流效率。使用Nafion-424較其他分隔膜可得到較佳的Ce(IV)產率及電流效率。在測試的實際鉻蝕刻廢液中，以B廠者可得到較高的Ce(IV)濃度(0.79 M)。使用雙槽電再生Ce(IV)之效果比單槽為佳。獲得的參數有助於設計實際鉻蝕刻廢液Ce(IV)電再生之雙槽反應器。

電鍍CoXP (X = Ni, Mn)永磁層之磁性與微結構之研究

為了解決法拉第电解定律的問題，作者曾斌輝 這樣論述：

隨著時代進步，各種尺度的機電系統層出不窮。相較於微機電系統(MEMS)或奈機電系統(NEMS)而言，小型機電系統如次毫米級之感測器、致動器、電鐸等，其需要之磁場遠大於MEMS或NEMS之永磁膜(厚度小於數微米)所能提供者。本研究配合產業需要，開發厚度數十微米的永磁膜或磁性薄帶，主要以材料製程為研究主軸，採用電化學鍍製備新式金屬薄帶，並利用電鍍法優勢效率高、製程簡單、可量身訂做等，配合SEM、EDS、VSM、XRD等分析找出電鍍最佳合金成分與製程參數，供產業應用。本研究主要以CoXP (X = 無, Ni, Mn)合金薄膜為主，先以Anysis Maxwell模擬在特定偵測高度下，此磁性材料所

需之磁性質為質矯頑磁力(Hc)為2500 Oe、殘餘磁束密度(Br)為2000 Gs，以此磁性質為本研究之目標。接下來探討CoP合金在不同電鍍法定電壓電鍍、定電流電鍍、定電流脈衝電鍍，探討電鍍法對其膜層磁性質的影響，並以磁性質表現最佳之定電流電鍍法繼續探討CoNiP、CoNiMnP合金，並改變電鍍變因(電流密度、溫度、pH值)調整電鍍參數，此CoXP膜層結構主要為Co-HCP(002)和Co-FCC(111)混相結構。在垂直方向以Co-HCP(002)為優選方位時垂直磁性質最佳，CoNiMnP (CD = 5 mA/cm2, Temp. = 24℃, pH = 4)為目前最佳之垂直磁性質矯頑磁

力(Hc)達1150 Oe、殘餘磁束密度(Br)為2000 Gs；水平方向以Co-FCC(111)為優選方位時水平磁性質最佳，CoP (CD = 5 mA/cm2, Temp. = 24℃, pH = 4.6)為目前最佳之水平磁性質矯頑磁力(Hc)達950 Oe、殘餘磁束密度(Br)為3350 Gs。而在電鍍過程中氫氣的析出是不可避免的，因此通常都會用攪拌使在工件表面的氫氣有效的去除，藉此提高電鍍效率。而本研究使用磁石攪拌、超音波攪拌和氮氣攪拌，在固定其他電鍍參數下(CD = 20 mA/cm2, Temp. = 24℃, pH = 4)探討不同攪拌方法對CoNiP合金薄膜之磁性質的影響並和無

攪拌作比較，可以發現氮氣攪拌(4 L/min)和超音波攪拌可有效提升磁性質，垂直方向之內禀矯頑力(Hci)為2650 Oe、殘餘磁束密度(Br)為1900 Gs，原因為誘導其Co-HCP(002)之優選方位。脈衝電鍍的優點有膜層致密、效率高、功耗低，因此本研究將探討定電流脈衝電鍍製備CoP合金薄膜，研究其不同的脈衝周期(duty cycle)和導通電流值(Ion)對磁性質的影響，並和定電流、定電壓電鍍作比較，發現脈衝電鍍之膜層較無明顯之優選方位但膜層的確相較致密，而磁性質表現最佳的還是為定電流電鍍，水平方向矯頑磁力(Hc)為650 Oe、殘餘磁束密度(Br)為10500 Gs，此外還探討了定電

量之定電流脈衝電鍍，驗證了膜厚取決於單位時間下的電量等機制，符合法拉第電解定律。