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貴金屬深加工及其應用(第2版)

為了解決氯化金的問題，作者周全法 這樣論述：

貴金屬深加工是指將貴金屬及其化合物經過一系列加工過程，使之成為更有使用價值的貴金屬制品（包括各類工業產品和貴金屬電子化學品）的過程。本書第一版自出版以來，貴金屬深加工產業發生了巨大變化，各種新產品和新工藝層出不窮。為了更好地適應貴金屬深加工和再生利用產業發展的需要，本書在第一版的基礎上對相關內容進行了全面修訂。本書主要介紹了貴金屬的深加工技術，貴金屬的富集和分離、原料和廢料分析、產品質量分析，貴金屬深加工和再生利用的工藝設計，貴金屬深加工產品在各類新材料、電子材料和醫藥等方面的最新應用等。此外，為了解決貴金屬資源循環利用問題，本書還重點介紹了貴金屬廢料的回收利用技術。書中許多工藝和技術來自於作

者近年來主持最新研究成果，以及作者團隊多年從事貴金屬深加工的生產實踐經驗。本書內容豐富，實用全面。本書可供廣大從事貴金屬深加工、貴金屬再生利用等工作的科研、技術人員或有關企業管理人員參考，也可供有關院校作為教學參考書或教材。周全法，教授，博士，1966年1月出生，江蘇溧陽人。主要研究領域為稀貴金屬深加工和電子廢棄物處理處置，主要著作有《貴金屬深加工及其應用》（第一版）、《廢舊家電資源化技術》等，發表論文100多篇，獲得發明專利34項，獲得省部級科技進步獎7項；是江蘇省勞動模范、江蘇省優秀教育工作者和江蘇省優秀科技工作者，國務院特殊津貼獲得者。現任江蘇理工學院副院長和資源循環研究院院長、江蘇省貴

金屬深加工技術及其應用重點實驗室和江蘇省電子廢棄物資源循環利用重點實驗室主任、中國有色金屬工業再生金屬學院院長。兼任中國再生資源產業技術創新戰略聯盟副理事長、中國有色金屬工業協會再生金屬分會副會長和貴金屬深加工專業委員會主任、中國物資再生協會副會長和貴金屬再生專業委員會主任、江蘇省循環經濟協會副會長。 第一篇 貴金屬深加工基礎第1章貴金屬的性質1.1貴金屬的一般性質1.1.1原子的性質和單質的物理性質1.1.2單質的化學性質1.2貴金屬的礦物學性質1.2.1貴金屬的發現1.2.2金的礦物學性質1.2.3銀的礦物學性質1.2.4金銀的選礦和提取1.2.5鉑族金屬的礦物學性質1

.2.6鉑族金屬的選礦和提取1.3金的化合物1.3.1金化合物的氧化態和幾何構型1.3.2Au（Ⅰ）化合物1.3.3Au（Ⅲ）化合物1.3.4金有機化合物1.4銀的化合物1.4.1銀化合物的氧化態和幾何構型1.4.2Ag（Ⅰ）化合物1.4.3Ag（Ⅱ）化合物和Ag（Ⅲ）化合物1.4.4銀有機化合物1.5鉑的化合物1.5.1鉑的氧化態1.5.2Pt（O）化合物1.5.3Pt（Ⅱ）化合物1.5.4Pt（Ⅳ）化合物1.5.5Pt（Ⅴ）化合物1.5.6Pt（Ⅵ）化合物1.5.7鉑有機化合物1.6鈀的化合物1.6.1鈀的簡單化合物1.6.2鈀（Ⅱ）的配合物1.6.3鈀（Ⅳ）的配合物1.6.4鈀的其他氧化

態的配合物1.7銠的化合物1.7.1銠的簡單化合物1.7.2銠（Ⅲ）的配合物1.7.3銠（Ⅰ）的配合物1.7.4銠（Ⅱ）的配合物1.7.5銠（O）的配合物」1.8銥的化合物1.8.1銥的簡單化合物1.8.2銥（Ⅰ）的配合物1.8.3銥（Ⅲ）的配合物1.8.4銥（Ⅳ）的配合物1.9釕的化合物1.9.1釕的簡單化合物1.9.2釕（Ⅲ）的配合物1.9.3釕（Ⅴ）的配合物1.9.4釕（Ⅵ）的配合物1.10鋨的化合物1.10.1鋨的簡單化合物1.10.2鋨（Ⅳ）的配合物1.10.3鋨（Ⅵ）的配合物第2章銀的深加工2.1硝酸銀2.1.1概述2.1.2生產工藝2.2氧化銀、超細氧化銀和納米級氧化銀2.2.1

概述2.2.2生產工藝2.3硫酸銀2.3.1概述2.3.2生產工藝2.4氰化銀2.4.1概述2.4.2生產工藝2.5氰化銀鉀2.5.1概述2.5.2鼓氧氰化法生產氰化銀鉀工藝2.6超細銀粉、片狀銀粉和納米銀粉2.6.1概述2.6.2超細銀粉生產工藝2.6.3片狀銀粉生產工藝2.6.4納米銀粉生產工藝2.7銀漿系列產品2.7.1概述2.7.2生產工藝2.8銀鹽感光材料和鹵化銀2.8.1銀鹽感光材料簡介2.8.2溴化銀2.8.3碘化銀2.8.4氯化銀第3章金的深加工3.1氯金酸3.1.1概述3.1.2生產工藝3.2氯金酸鉀3.2.1概述3.2.2生產工藝3.3氰化亞金鉀3.3.1概述3.3.2生產

工藝3.4亞硫酸金鉀（亞硫酸金鈉、亞硫酸金銨）3.4.1主要用途3.4.2生產工藝3.5超細金粉和納米金粉3.5.1概述3.5.2生產工藝3.6金水3.6.1主要用途3.6.2傳統金水生產工藝3.6.3耐高溫燒結金水生產工藝第4章鉑族金屬的深加工4.1鉑的精細化工產品4.1.1氯鉑酸4.1.2氯鉑酸鉀和氯鉑酸銨4.1.3P鹽——二亞硝基二氨合鉑（Ⅱ）4.1.4二氯化鉑和亞氯鉑酸（鹽）4.1.5二氧化鉑4.2鈀的精細化工產品4.2.1二氯化鈀4.2.2二氯化四氨合鈀（Ⅱ）和二氯化二氨合鈀（Ⅱ）4.2.3硝酸鈀（Ⅱ）4.2.4二硝基四氨合鈀（Ⅱ）4.2.5四氯合鈀（Ⅱ）酸鉀4.2.6氧化鈀（Ⅱ）4

.2.7鈀炭催化劑4.3銠的精細化工產品4.3.1三氯化銠4.3.2磷酸銠和硫酸銠4.3.3一氯三苯基膦合銠（Ⅰ）4.3.4三氧化銠4.4釕的精細化工產品4.4.1四氧化釕和水合二氧化釕4.4.2三氯化釕4.4.3氯釕酸銨4.5鋨和銥的精細化工產品4.5.1四氧化鋨4.5.2氯銥酸和氯銥酸銨4.5.3水合二氧化銥第5章貴金屬廢料的再生利用5.1金的綜合回收5.1.1概述5.1.2含金廢液中回收金5.1.3含金固體廢料中回收金5.1.4鍍金廢料中回收金5.1.5金的精煉5.2銀的綜合回收5.2.1概述5.2.2含銀廢液中回收銀5.2.3感光膠片和相紙中回收銀5.2.4鍍銀件及銀鏡片中回收銀5.2

.5含銀廢合金中回收銀5.2.6銀的精煉5.2.7金、銀及其合金的熔鑄5.3鉑族金屬的綜合回收5.3.1鉑族金屬廢料的來源5.3.2鉑的回收5.3.3鈀的回收5.3.4銥的回收5.3.5銠的回收5.3.6鉑族金屬的精煉5.3.7鉑族金屬及其合金的熔鑄第二篇 貴金屬深加工分析第6章貴金屬材料分析方法6.1貴金屬材料分析的特殊性6.2貴金屬元素化學分析方法6.2.1貴金屬元素的定性分析6.2.2貴金屬元素的定量分析6.3貴金屬元素的儀器分析6.3.1吸光光度法6.3.2原子吸收光譜法6.3.3電感耦合等離子體發射光譜法6.3.4X射線熒光光譜法6.3.5電化學分析法6.3.6其他分析方法6.4粉體

材料顆粒的表征6.4.1基本概念6.4.2X射線粉末衍射技術6.4.3掃描隧道顯微鏡6.4.4透射電子顯微鏡6.4.5掃描電子顯微鏡與電子探針6.4.6原子力顯微鏡6.4.7激光粒度分析法6.4.8光譜分析法6.4.9正電子湮沒譜法6.4.10熱分析法6.5貴金屬制品及首飾的無損檢驗法6.5.1貴金屬材料及金銀飾品的常規檢測方法6.5.2貴金屬材料及飾品現代儀器檢測分析法6.5.3鉑族金屬及其飾品的鑒別6.5.4常用檢測方法的適用性第7章貴金屬材料分析的富集和分離方法7.1火試金法7.1.1鉛試金法7.1.2鎳鋶試金法7.1.3其他試金方法7.2蒸餾分離法7.2.1常規蒸餾法7.2.2溴提取法

7.2.3CCl4提取法7.3活性炭吸附法7.4沉淀和共沉淀富集分離法7.4.1碲共沉淀法7.4.2硫脲共沉淀法7.5溶劑萃取法7.5.1含氧萃取劑7.5.2含硫萃取劑7.5.3含氮萃取劑7.5.4含磷萃取劑7.6離子交換法7.7泡沫塑料吸附法第8章貴金屬深加工原料和廢料的分析8.1貴金屬深加工原料的分析8.1.1貴金屬錠材和粉末原料的分析8.1.2貴金屬合金原料的分析8.1.3金箔及金合金中金的含量分析8.2貴金屬廢料的分析8.2.1貴金屬廢料的快速簡易分析8.2.2貴金屬元素的分析8.2.3賤金屬元素的分析8.3電鍍液中貴金屬含量的分析8.3.1鍍銀溶液中銀含量的分析8.3.2鍍金溶液中金

含量的分析8.3.3鍍鈀溶液中鈀含量的分析8.3.4鍍銠溶液中銠含量的分析8.3.5鍍鉑溶液中鉑含量的分析第9章貴金屬深加工產品的質量分析9.1白銀深加工產品的質量分析9.1.1硝酸銀產品的質量分析9.1.2氧化銀產品的質量分析9.1.3碳酸銀產品的質量分析9.1.4硫酸銀產品的質量分析9.1.5氰化銀鉀產品的質量分析9.1.6銀粉產品的質量分析9.1.7銀的其他產品的質量分析9.2黃金深加工產品的質量分析9.2.1氰化亞金鉀產品的質量分析9.2.2氯金酸（氯化金）產品的質量分析9.2.3亮金水產品的質量分析9.2.4亮鈀金水產品的質量分析9.3鉑和鈀深加工產品的質量分析9.3.1氯鉑酸及其鹽

產品的質量分析9.3.2鉑鹽產品的質量分析9.3.3二氯化鈀產品的質量分析9.3.4二氯化四（或二）氨合鈀（Ⅱ）產品的質量分析9.4其他鉑族金屬產品的質量分析9.4.1三氯化銠產品的質量分析9.4.2氯銥酸和氯銥酸銨產品的質量分析9.4.3氯釕酸銨產品的質量分析第三篇 貴金屬深加工車間的設計第10章車間工藝流程設計10.1生產方法的選擇10.1.1設計基礎資料的收集10.1.2生產方法的比較與確定10.1.3選擇生產方法時應注意的事項10.2工藝流程設計10.2.1工藝流程設計的內容10.2.2工藝流程設計方法10.3工藝流程圖的繪制10.3.1生產工藝流程草圖10.3.2物料流程圖10.3.

3管道儀表流程圖10.4典型設備的控制方案10.4.1泵的流量控制方案10.4.2換熱器的溫度控制方案10.4.3精餾塔的控制方案10.4.4反應器的控制方案10.4.5蒸發器的控制方案10.4.6干燥器的控制方案第11章工藝計算11.1物料衡算11.1.1物料衡算的方法和步驟11.1.2連續過程的物料衡算11.1.3間歇過程的物料衡算11.1.4循環過程的物料衡算11.2熱量衡算11.2.1熱量衡算的目的和任務11.2.2單元設備的熱量衡算11.2.3系統熱量平衡計算11.3典型設備工藝設計與選型11.3.1設備設計與選型的基本要求11.3.2設備設計的基本內容11.3.3設備材料的選擇11

.3.4壓力容器的設計11.3.5編制設備及裝配圖一覽表第12章車間布置設計12.1車間布置設計的條件和依據12.1.1設計的基本條件12.1.2設計的基本依據12.2車間平面布置12.2.1車間平面布置的內容與原則12.2.2車間平面布置的方法12.2.3車間布置需要注意的問題12.3車間設備布置12.3.1設備布置的內容與原則12.3.2車間設備布置的方法及步驟12.3.3典型設備的布置12.4設備布置圖12.4.1設備布置圖的內容12.4.2繪制設備布置圖應遵循的規定12.4.3設備布置圖的視圖12.4.4設備布置圖的尺寸及必要標注12.4.5典型設備的畫法及標注12.4.6其他……第四

篇 貴金屬深加工的應用參考文獻

氯化金進入發燒排行的影片

以奈米金建構標靶化藥物載體應用於MMP-2/9相關之癌症

為了解決氯化金的問題，作者陳以柏 這樣論述：

本研究利用明膠(gelatin)、阿黴素(doxorubicin, Dox) 及四氯化金酸 (Chloroauric acid) 等材料開發其具有高度乘載能力之金奈米蒲公英 (GND-dox)，透過GND與MMP-2、MMP-9之間特殊交互作用，專一性標靶MMP-2/9表現型之癌細胞，使之具有標靶化治療及提升doxorubicin毒殺的效果。使用gelatin作為金奈米蒲公英外圍之包覆元件，其用途一為取代抗體進而達到標靶癌細胞之目的並將gelatin末端修飾之doxorubicin，在細胞吞噬奈米粒子時能將其一併帶入細胞內釋放，並促使癌細胞死亡。於體外細胞實驗(in vitro)中，在顯微鏡

觀察下，MMP-2/9高表現之細胞MDA-MB-231，明顯看到奈米粒子累積於細胞內，並釋放doxorubicin促使癌細胞死亡，而相較MMP-2/9低表現之A549細胞具有更高的治療效果，此奈米團在於癌細胞檢測、光熱療法及化療上的應用具有相當大的潛力。

鄧勃教授論文集

為了解決氯化金的問題，作者《鄧勃教授論文集》編寫組編 這樣論述：

本書是鄧勃教授多年在學術期刊上公開發表的論文匯編，全書內容分為六篇，第一篇為光譜定量分析，包括用多種實驗優化設計測定元素總量和形態，以及儀器定量分析中常見問題的探討；第二篇為石墨爐原子化機理研究，內容包括石墨爐內的溫度及其分布測量，周期表內各族代表性元素原子化機理研究；第三篇為試驗設計與優化方法，內容包括分析測試中常用試驗優化設計方法，如均勻設計、正交試驗設計、模糊正交設計、單純形優化設計、人工神經網絡、因子分析、卡爾曼濾波等，分析測試結果綜合評價涉及組合函數、信息容量和模糊綜合評價；第四篇為元素化學形態計算機模擬計算，內容包括人工神經網絡法、最陡下降法與遺傳算法；第五篇為

環境背景值研究與環境評價，內容包括北京土壤元素背景值處理原則和方法、影響因素分析以及元素環境背景值數據統計處理中的一些問題探討，環境評價涉及河流彌散系數測定及數據處理方法，水環境質量的模糊綜合評價及其問題探討；第六篇為綜述，回顧了原子光譜分析、化學計量學在我國的發展概況等。本書可供從事原子吸收光譜分析的專業人員與廣大測試工作者參考。鄧勃，男，1934年出生於湖南。1957年畢業於北京大學物理研究室(技術物理系前身)，畢業后任教於清華大學。1988年晉升為教授。1998年退休。歷任中國分析儀器學會理事和常務理事，分析數據處理技術專業委員會主任委員；中國光譜分析專業委員會委員；北京市化學會理事，分

析化學專業學組組長；中國分析測試協會基金委員會、技術開發委員會副主任，國產分析儀器CAIA金獎評審組組長；中國計量測試學會第三屆化學計量專業委員會副主任委員，全國標准化委員會無機鹽化工技術標准委員會和環境標准物質技術委員會委員，全國物理化學測量計量技術委員會第一屆委員會委員，中國計量測試學會化學計量測試專業委員會第三、四屆委員。

邊緣接觸之單層二硫化鉬場效電晶體

為了解決氯化金的問題，作者王詩云 這樣論述：

二維(2D)半導體材料與金屬接觸時，通常會面臨費米能階釘扎現象，導致即使沉積了不同功函數的金屬，金屬與半導體界面處的蕭特基勢壘高度(SBH)也幾乎保持不變。費米能階釘扎不僅阻礙了接觸電阻於頂部接觸時的工程設計，也阻礙了金屬功函數對通道極性的調節。在這項研究中，我們證明使用一維金屬接觸(也稱為邊緣接觸)可以顯著改變單層二硫化鉬通道材料的蕭特基勢壘高度。為了公平比較頂部接觸與邊緣接觸的元件電特性，在同個二硫化鉬薄膜上使用具有邊緣接觸和頂部接觸的不對稱元件可以消除薄膜間的差異，以及基板氧化層的不均勻性。與頂部接觸元件相比，邊緣接觸元件的蕭特基勢壘高度明顯變化，範圍從0.19 eV到0.92 eV，

與金屬功函數的變化非常吻合。另外，在與金屬鈀(Pd)邊緣接觸的二硫化鉬元件通道上使用三氯化金(AuCl3)溶液摻雜，可以將原本的n型導通元件轉換為p型導通元件(pFET)。由此可知，邊緣接觸技術的發展對以二維半導體作為通道材料的電晶體而言，有助於其設計接觸電阻與調節通道極性。