氧化矽半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

看圖讀懂半導體製造裝置

為了解決氧化矽半導體的問題，作者菊地正典 這樣論述：

　　清華大學動力機械工程學系教授 羅丞曜  審訂 　　得半導體得天下？ 　　要想站上世界的頂端，就一定要了解什麼是半導體！ 　　半導體可謂現在電子產業的大腦，從電腦、手機、汽車到資料中心伺服器，其中具備的智慧型功能全都要靠半導體才得以完成，範圍廣布通信、醫療保健、運輸、教育等，因此半導體可說是資訊化社會不可或缺的核心要素！ 　　半導體被稱為是「產業的米糧、原油」，可見其地位之重要 　　臺灣半導體產業掌握了全球的科技，不僅薪資傲人，產業搶才甚至擴及到了高中職！ 　　但，到底什麼是半導體？半導體又是如何製造而成的呢？ 　　本書詳盡解說了製造半導體的主要裝置，並介紹半導體

所有製程及其與使用裝置的關係，從實踐觀點專業分析半導體製造的整體架構，輔以圖解進行細部解析，幫助讀者建立系統化知識，深入了解裝置的構造、動作原理及性能。

氧化矽半導體進入發燒排行的影片

幾何結構於垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體元件特性之影響

為了解決氧化矽半導體的問題，作者黃麒 這樣論述：

為了降低位元成本及增加位元密度，快閃記憶體不可避免的採用了三維堆疊的架構，但三維堆疊的結構同時也衍生出製程及元件幾何結構的問題。在本論文中，我們將探討三維垂直閘極SONOS型記憶體中，因為矩形位元線的角落所產生的電場增強效應對其記憶體特性之影響。藉由模擬軟體Sentaurus TCAD的使用，我們模擬了擁有兩顆元件的垂直閘極SONOS型記憶體來觀察角落電場增強效應對操作元件及其相鄰元件所帶來的影響。在起始狀態中，隨著位元線的厚度降低，通道中來自角落電場增強效應的比例增加，提升了元件的轉換特性，而經過寫入操作之後，操作元件的儲存電荷分佈相當不均勻並落在角落區域，證實了電場增強效應對寫入效率的影

響。另一方面，電荷在區域高密度的注入之下於角落區域形成高濃度的電荷堆積，這些自由電荷的移動將影響記憶體的狀態，在我們的模擬設定之下，其變化甚至可在一秒內達到1伏特的變化。因此，我們提高了氮化矽的缺陷密度及降低電荷遷移率，大幅改善了電荷堆積與飄移擴散的情形，不過在此同時，電荷更容易堆積於角落並帶來庫倫排斥力，減少了角落的電場增強效應。此外，考慮到角落儲存電荷對相鄰元件的干擾，透過增加通道間介電質厚度，或是提升氮化矽缺陷密度及降低電荷遷移率都可以減輕干擾情形，惟儲存電荷數量會因庫倫排斥力而下降，減少操作元件之記憶窗口。接著在進行抹除操作之後，由於三維堆疊中薄膜電晶體的浮動基板緣故，通道中央難以抹除

，易造成嚴重的抹除飽和問題。最後，我們實作了相同擁有兩顆元件的垂直閘極SONOS型記憶體來與模擬應證，發現操作元件之儲存電荷應有部分存於角落區域，甚至向外分佈到通道間介電質上方，這不僅對相鄰元件造成明顯的干擾，也加深了抹除飽和的問題。

超實用．科學用語圖鑑：物理、電、化學、生物、地科、宇宙6大領域讓你一次搞懂136個基礎科學名詞

為了解決氧化矽半導體的問題，作者水谷淳 這樣論述：

科學素養第一步 從AI時代的科技用語，到生命誕生的機制── 深入淺出，解開生活在現代所必須理解的重要科學用語    　　你是不是常覺得「科學新聞很難懂」，或是「那些科學家所說的話我都聽不太懂」。會有這種感覺，主要原因之一，就是不了解科學語言與那些專有名詞的意思。   　　本書就是為了打破大家對於科學那種霧裡看花的感覺而誕生的。書中從【物理、電學、化學、生物、地球科學、宇宙】六大領域中，精選136個基本科學詞語，以有趣生動的圖文方式，解釋這些科學用語的大略意義、容易令人誤解的理由，以及與日常生活間的關係。   　　不管你是曾經學過理化科學但已經忘記的成年人，或是正在學習苦讀的學生，這本書讓你

從此對於科學不再感到害怕，也讓我們生活周遭的科學用語變得淺顯易懂，不再一知半解。   　　【6大領域】 　　物理Physics 　　運動／力、場／能量／功／向量／慣性、離心力／光譜／重力／熵／核分裂、核融合……   　　電Electricity 　　電荷、電場／磁／半導體、電晶體／超導／雷射／LED／人工智慧／量子電腦……   　　化學Chemistry 　　元素、同位素／化合物／週期表／固體、液體、氣體／卡路里／酸、鹼、中和／奈米碳管……   　　生物Biology 　　細胞／光合作用、葉綠體／基因體、基因／DNA、RNA／基因操作、基因體編輯／免疫、疫苗、過敏……   　　地科Geogra

phy 　　低氣壓、高氣壓／鋒面／颱風／火山、地震／震度、地震規模／頁岩氣、頁岩油、甲烷水合物……   　　宇宙Cosmology 　　光年、天文單位、秒差距／彗星／星系／黑洞／大霹靂、宇宙暴脹／重力波／暗物質、暗能量……   本書特色   　　★一個跨頁解釋一個或一組相關科學用語，沒有艱澀的觀念，而是用比喻的方式帶你輕鬆進入 　　★6大領域，涵蓋報章雜誌常出現和討論的科學用語，你想從哪個領域開始閱讀都可以 　　★插畫搭配文字，更容易理解，留下具體印象 　　★六個科學專欄，探討科學的本質，以及如何看待科學，避免被騙或誤用   審閱&推薦   　　書中以淺顯文字解釋一些常見的科學名詞，加

上插圖輔助，讓讀者能快速吸收了解。──屋頂上的天文學家主理人 李昫岱   　　即使短篇幅仍能利用易懂的圖片及親人的文字傳達清楚的物理概念，推薦給在學或是想一探科普新聞用語的你。──物理教學YouTuber吳旭明 × 蔡佳玲   　　要了解核心理論、貫通基本概念，第一步就是先清楚了解相關專有名詞的定義，與這些專有名詞間的關係。──北一女中生物科教師 蔡任圃   　　《超實用．科學用語圖鑑》像是實體版的簡要科學維基，提供了豐富的圖文說明科學專有名詞，而且在學科主題間加上了科學方法的內容，是兼具科學知識和方法的科普書。──十二年國教自然領綱委員　鄭志鵬（小P老師）   　　（按姓氏筆畫序排列） 　　

晶粒結構對於平面與垂直閘極半導體-氧化矽-氮化矽-氧化矽-半導體記憶體寫入速度的影響

為了解決氧化矽半導體的問題，作者常瑋軒 這樣論述：

三維堆疊記憶體結構已成為NAND快閃記憶體發展的主要趨勢。在本論文中，我們製備兩種晶粒尺寸：微小晶粒(TG)和中等大小晶粒(MG)的平面與垂直閘極記憶體，並探討了寫入和抹除速度以及分析了平面閘極元件的上層表面粗糙度和垂直閘極元件的側壁粗糙度。先前的研究，我們發現在通道界面那有越多的晶粒邊界會提升電場愈強，進而有較快的寫入速度。然而，並沒有考量到晶粒突出的作用。提升寫入速度的主要機制是由於晶粒突出的影響還是晶粒邊界陷阱的影響還是很難被區分。因此，本篇論文的研究動機就是討論對於寫入速度的表現上晶粒尺寸的影響的根本因素。在平面閘極元件中，TG樣品的寫入以及抹除速度都比MG樣品來的快，除此之外，TG

樣品的表面粗糙度幾乎是MG樣品的2.5倍大。因此，當晶粒尺寸變小時，表面會變得更粗糙，進而提升了電場強度導致有較快的寫入和抹除速度。在垂直閘極元件中，在寫入了0.01秒之後，通道長度為0.1微米的TG樣品的寫入速度比MG樣品來的快，而這是因為TG樣品的晶粒數量比MG樣品來的多。然而，通道長度為0.5和1微米的TG樣品的寫入速度似乎是比MG樣品稍快一些，但是並不明顯，而這是因為這兩個樣品之間的晶粒數量差異不大。除此之外，藉由分析TG樣品通道上方的氧化保護層的側壁粗糙度以及MG樣品主動區的邊線粗糙度，我們可以得到一個結論是微影蝕刻的製程步驟是影響大範圍粗糙度的主要原因而晶粒尺寸則會影響小範圍的粗糙

度。從盧立偉學長的碩士論文中，我們可以看出垂直閘極的SOI樣品的寫入速度是比垂直閘極的TG和MG樣品慢上許多，但是他們應該都有類似的大範圍粗糙度。因此，提升垂直閘極SONOS快閃記憶體的寫入速度是和晶粒數量有關聯的，但是大範圍粗糙度明顯地不會影響寫入速度。在本論文中，所有樣品的小範圍粗糙度從大到小地依序排列為垂直閘極TG樣品、垂直閘極MG樣品、平面閘極TG樣品和平面閘極MG樣品，而這順序和寫入速度一致。當我們在相同晶粒尺寸下比較平面與垂直閘極元件時，它們的晶粒邊界陷阱的影響力是一樣的，但我們卻發現垂直閘極元件的寫入速度會比平面閘極元件來的快，這和小範圍粗糙度的結果一致。因此，晶粒邊界陷阱應該不

是提升寫入速度的主要因素，而經過蝕刻導致較為嚴重的通道側向晶粒突出才應該是主要的根本因素。