氟f2的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

使用熱脫附系統分析透明導電膜ZnO：MgF2的熱穩定性

為了解決氟f2的問題，作者黃廷暐 這樣論述：

針對不同製程條件的氧化鋅掺雜氟化鎂薄膜作熱脫附頻譜法分析，觀察出的確有物種從試片中脫附出來。有氟、氧、鋅、鎂物種，且其中以氟的脫附量為最高。觀察薄膜熱脫附頻譜圖可發現大部分的脫附圖譜都是屬於大量且整體性的脫附型態，在一剛開始加熱時由於薄膜表面原子的鍵結力較弱，所以起始脫附訊號是屬於大量而且整體性的脫附行為，當表面鍵結力較弱原子脫附完畢後，脫附訊號急據下降，接下來的脫附訊號隨著溫度的升高而逐漸上升。將各物種脫附訊號百分比與利用EDS得到之薄膜成分百分比比較可得知，雖然氟在薄膜成分中含量僅佔大約3％，但是氟的脫附訊號卻是佔了整體的30％左右，整整提高了十倍，証實了氟的確是容易受到外在能量而從薄膜

中脫附出來。且觀察氟與氧的脫附量百分比，可發現氟分子的脫附量是大於氟原子，氧原子的脫附量是大於氧分子，且隨著電漿功率增加，差距越明顯。當初所預期的氟（F）取代氧（O）以提高電性的行為並沒有如預期的發生。比較熱脫附實驗前後，ZnO：MgF2薄膜經過實驗後，由於各物種原子從薄膜中脫附出來，原子堆積排列順序改變與晶格結構產生變化，F原子在ZnO:MgF2薄膜中的含量即相對的大為下降，因此能提供ZnO:MgF2電子的產生也大幅度的減少，所以在少電子的情況下，造成ZnO:MgF2薄膜導電性隨之下降。ZnO：MgF2薄膜經過熱脫附實驗後，由於物種受到能量而從薄膜中脫附出，造成原子排列順序改變與晶格結構產生

變化，薄膜材料特性改變而導致透光率變差。