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植物油高溫處理產生苯並芘的吸附移除研究

為了解決桌上型離心機的問題，作者林皓榆 這樣論述：

苯並芘 (Benzo[a]pyrene, BaP)，是一種多環芳香族碳氫化合物 (polycyclic aromatic hydrocarbon, PAHs)，容易產生於食用油脂的不完全的燃燒，造成人體致癌的風險，歐盟執委會規定食用油脂中最大限量不得高於2.0 μg/kg，所以本研究會使用椰殼顆粒活性碳、食用級矽藻土及商業離子交換樹脂三種吸附劑，在乙腈水溶液相的實驗環境下，以高效液相層析儀 (HPLC) 進行苯並芘的含量檢測。 根據實驗結果顯示，椰殼顆粒活性碳對苯並芘的移除效果最好，吸附1小時後，移除率可達99.36 %。對其吸附時間、吸附劑劑量及吸附溫度進行檢測後發現，在25℃下，使用1

wt%的活性碳吸附樣品1小時，為最適合移除苯並芘的實驗條件。此外，本研究於25℃下使用活性碳進行等溫吸附實驗，其等溫吸附曲線與Freundlich等溫吸附模型的迴歸結果較為符合。最後將油相與乙腈水溶液相的實驗結果比對後發現，油相的移除率為96.8 %，而乙腈水溶液相的移除率為99.8 %，兩者相似，所以建議未來在選擇吸附劑前，可以先透過水溶液相的實驗，找出相關的吸附條件，再應用於油品之中，節省時間及實驗成本的支出。

水熱合成法製備鋅銦氧硫粉體於可見光產氫之研究

為了解決桌上型離心機的問題，作者謝至承 這樣論述：

中文摘要 IAbstract III致謝 VI目錄 VII圖目錄 XI表目錄 XVII第一章、緒論 11.1前言 11.2研究動機與目的 3第二章、文獻回顧與原理 52.1 Zn(O,S) 52.1.1 ZnO–ZnS固溶體 52.1.2 Zn(O,S)奈米顆粒 72.1.3 ZnNi(O,S) 132.1.4 p-type NiO/n-type Zn(O,S) on SiO2 nanoparticles 152.2 以ZnIn2S4為主的可見光催化產氫系統 202.2.1 ZnIn2S4單相系統

202.2.2 承載MoS2之ZnIn2S4 複合光觸媒於產氫研究 222.2.3 ZnIn2S4/In(OH)3複合型光觸媒 262.2.4 一步水熱製程之ZnIn2S4/In(OH)3多孔微球 28第三章、實驗方法與步驟 323.1實驗材料及規格 323.2實驗設備 333.2.1 分析電子天平 333.2.2 加熱磁石攪拌器 333.2.3 高壓釜 333.2.4 真空烘箱 333.2.5 烘箱 333.2.6 桌上型離心機 333.2.7 超音波震盪機 333

.2.8 中空雙耳玻璃反應瓶 343.2.9 SIGMA 240 V-300 W氙燈 343.2.10 冷卻水循環系統 343.2.11 減壓濃縮機 343.3實驗步驟 353.3.1 混合Zn(AC)2, InCl3, TAA前驅物 353.3.2水熱合成粉末 373.3.3 300 nm SiO2多孔球合成 373.3.4 100 nm SiO2多孔球合成 373.3.5 2wt% Ag2S奈米點沉積 383.3.6可見光吸收之光催化劑特性量測 383.4分析儀器介紹及測量參數 393.4.1高

功率X光繞射儀 (High Power X-Ray Diffractometer, XRD) 393.4.2顯微拉曼光譜儀 (Micro-Raman Spectrometer) 413.4.3高解析度場發射掃描式電子顯微鏡 (Field Emission Scanning Electron Microscopy, FESEM) 423.4.4 X光光電子能譜儀(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS) 433.4.5紫外光–可見光/近紅外光分析儀 (UV-Vis-NIR Spectrophotometry) 443.4.6光致發

螢光譜儀(Spectrofluorometer, PL) 463.4.7場發射穿透式電子顯微鏡(Field Emission Gun Transmission Electron Microscopy, FEG-TEM+EDS) 473.4.8 電化學阻抗頻譜法(Electrochemical impedance spectroscopy, EIS) 483.4.9 氣相層析儀(GC) 503.4.10 莫特-肖特基(Mott-Schottky)圖譜分析 52第四章、結果與討論 534.1不同陽離子比例對ZnInOS的變化及特性探討 544.1.1不同比

例ZI-(0, 10, 25, 50, 67, 100) ZnInOS的XRD分析 544.1.2不同比例ZI-(0, 10, 25, 50, 67, 100) ZnInOS SEM及EDS分析 584.1.3不同比例ZI-(0, 10, 25, 50, 67, 100) ZnInOS的DRS及PL分析 614.1.4不同比例ZI-(0, 10, 25, 50, 67, 100) ZnInOS的拉曼光譜分析 644.1.5不同比例ZI-(0, 10, 25, 50, 67, 100) ZnInOS的電化學阻抗分析 664.1.6不同比例ZI-(0, 10, 25,

50, 67, 100) ZnInOS的HER氫氣產量與產率分析 674.1.7 最佳產氫效率ZI-50的XPS表面元素組成分析 684.1.8 ZI-0, 10, 50及In(OH)3的Mott-Schottky圖譜分析 714.1.9 最佳產氫效率ZI-50的TEM表面形貌與元素組成分析 734.2不同鎳源比例添加對ZI-50的影響及特性探討 764.2.1不同鎳源比例(0, 5, 10, 20%)摻雜ZI-50的XRD分析 764.2.2不同鎳源比例(0, 5, 10, 20%)添加ZI-50其SEM與EDS分析 784.2.3不同鎳源比例(0

, 5, 10, 20%)摻雜ZI-50其DRS與PL分析 814.2.4不同鎳源比例(0, 5, 10, 20%)摻雜ZI-50的拉曼光譜分析 834.2.5不同鎳源比例(0, 5, 10, 20%)摻雜ZI-50的電化學阻抗頻譜分析 864.2.6不同鎳源比例(0, 5, 10, 20%)摻雜ZI-50的HER氫氣產量與產率分析 874.2.7鎳源含量20%的ZIN-20 XPS表面組成元素分析 884.2.8 最佳產氫效率ZIN-10的Mott-Schottky圖譜分析 904.2.9 ZIN-20的TEM表面形貌與組成元素分析 924.3 P-

N junction Ag2S/ZIN-10披覆於不同直徑SiO2多孔球對其特性探討 954.3.1於不同直徑(300, 100, 20 nm) SiO2多孔球之S/ZIN/A-x其XRD繞射分析 954.3.2於不同直徑(300, 100, 20 nm) SiO2多孔球之S/ZIN/A-x其SEM及EDS分析 984.3.3於不同直徑(300, 100, 20 nm) SiO2多孔球之S/ZIN/A-x其DRS與PL分析 1004.3.4於不同直徑(300, 100, 20 nm) SiO2多孔球之S/ZIN/A-x其電化學阻抗頻譜分析 1034.3.5於不同直

徑(300, 100, 20 nm) SiO2多孔球之S/ZIN/A-x的HER氫氣產量與產率分析 1044.3.6 最佳產氫效率S/ZIN/A-300的Mott-Schottky圖譜分析 1054.3.7 S/ZIN/A-300的TEM微觀顯微結構與組成元素分析 1074.4 光催化劑組成、結構與特性其相互關係之探討 109第一階段 : In元素的添加與比例改變的影響 109第二階段 : Ni摻雜對ZnInOS結構轉變與產氫效率的提升 112第三階段 : 載體的添加和結合p型半導體的效果 113第五章、結論 115參考文獻 117