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另外網站國立中央大學也說明：就是在於其為了降低操作電壓，此i-layer的厚度不能太厚，然而薄的 ... 具有平坦化的效用，不過由於BCB類似光阻液是以旋轉塗佈的方式去.

中原大學 機械工程研究所 李有璋所指導 張廷誠的 高抗反射率藍寶石視窗之製備與模擬 （2012），提出旋轉塗佈光阻液厚度及均勻度實驗分析關鍵因素是什麼，來自於抗反射率、藍寶石視窗。

而第二篇論文長庚大學 電子工程學系 吳國梅所指導 莊清閔的 改變I-LINE光學微影機數值孔徑以提升微影解析度之研究 （2011），提出因為有 動態隨機存取記憶體、微影製程、解析度、連接洞、數值孔徑的重點而找出了 旋轉塗佈光阻液厚度及均勻度實驗分析的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了旋轉塗佈光阻液厚度及均勻度實驗分析，大家也想知道這些：

高抗反射率藍寶石視窗之製備與模擬

為了解決旋轉塗佈光阻液厚度及均勻度實驗分析的問題，作者張廷誠 這樣論述：

藍寶石材料具有廣波長的穿透性質且有高機械強度與化學惰性，因此可用於特殊用途的視窗與鏡片。為了提升穿透率，先前技術常在藍寶石基板表面製作抗反射薄膜，本研究則提出於藍寶石基板製作週期性微/奈米結構，使得基板更具有較寬波段的抗反射效果與光入射角度範圍較廣，而且有良好的疏水性。本論文先以嚴格耦合波分析方法模擬週期性結構的高度越高、結構寬度越小且結構無間距的抗反射效果越佳。其次，利用滾輪式壓印技術將週期性結構壓印至藍寶石基板表面，以做為蝕刻擋層，並配合感應式耦合電漿蝕刻系統製作出線寬/間距/高度為1.9 μm/0.6 μm/1.1 μm之週期性圓錐結構。在量測波長範圍在300 nm~1200 nm的平

均反射率只有0.66%，模擬結果證明與實驗有相似的結果。

改變I-LINE光學微影機數值孔徑以提升微影解析度之研究

為了解決旋轉塗佈光阻液厚度及均勻度實驗分析的問題，作者莊清閔 這樣論述：

DRAM（Dynamic Random-Access Memory）動態隨機存取記憶體，隨著電腦科技的進步，記憶體晶片的容量需求越來越大， 積體電路(IC)製造者勢必想用最小的晶圓面積作出最大的記憶容量，因此必需不斷的減小元件特徵尺寸來持續的降低成本，才能符合下世代先進DRAM之需求。本實驗利用DRAM其中一道製程連接洞來研究，目前以KrF解析的最佳WINDOW TARGET為335nm（CD PATTEM），如以I-LINE的光源365nm解析能力還未達到最佳Best Focus。故本論文中藉由I-LINE（365nm）曝光機，搭配參數（孔徑）的改變，來改善解析度已達到KrF（24

8nm）的曝光效果。 實驗證實在Conventional的光圈變化再加上孔徑在0.62的情形下，藉由SEM所量出來的最低值在0.2833μm，證明在I-line曝光機是有能力改善解析度的技術，雖然目前仍有改善空間，但相信未來科技廠可利用低成本的技術做出最好的產品。

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