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數字轉換器的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
數字轉換器的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦何賓寫的 仿真電子系統設計指南（基礎篇）：從半導體、分立組件到ADI集成電路的分析與實現 和何賓的 仿真電子系統設計指南（基礎篇）：從半導體、分立組件到TI集成電路的分析與實現都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自電子工業 和電子工業所出版 。
逢甲大學 資訊電機工程碩士在職學位學程 何子儀所指導 王信富的 低壓車用馬達驅動器研製 （2021），提出數字轉換器關鍵因素是什麼，來自於永磁同步無刷馬達、旋轉變壓器、DCBUS預充電、ARM處理器。
而第二篇論文國立成功大學 電機工程學系 魏嘉玲所指導 陳則安的 應用於居家照護之自動化電化學阻抗頻譜量測系統設計 （2020），提出因為有 生物醫學積體電路、電阻抗頻譜、頻率響應分析儀、人類血清白蛋白、斬波器、直流伺服迴路、類比除法器、時間數字轉換器、逐次逼近的重點而找出了 數字轉換器的解答。
仿真電子系統設計指南（基礎篇）：從半導體、分立組件到ADI集成電路的分析與實現
為了解決數字轉換器 的問題，作者何賓 這樣論述：
本書從最基本的半導體ＰＮ結開始，以二極管、雙極結型晶體管、金屬氧化物半導體場效應管，以及美國ＴＩ公司的集成運算放大器、集成功率放大器、集成線性低壓降電源芯片、集成開關電源芯片為主線，系統介紹了半導體和PN結特性、半導體二極管的特性和分析、二極管電路的設計和分析、雙極結型晶體管的特性和分析、雙極結型晶體管放大電路應用、雙極結型晶體管電路反饋原理及穩定分析、金屬氧化物半導體場效應管特性和電路分析、金屬氧化物半導體場效應管放大電路應用、運算放大器電路的設計和分析、集成差動放大器的原理和分析、運算放大器的性能指標、運算放大器電路穩定性分析、高速放大器的原理和分析、有源濾波器的原理和設計、功率放大器的分
析和設計、振盪器的特性和分析、電源管理器的原理和應用、模擬-數字轉換器的原理及應用、數字-模擬轉換器的原理及應用等內容。本書的一大特色是將模擬電子系統理論知識和SPICE電路仿真進行系統化融合，通過理論計算及SPICE仿真結果，詮釋了模擬電子系統的本質；本書的另一大特色是通過與美國TI公司和美國NI公司的產、學、研深度合作，將最新的模擬電子設計理論和設計方法引入書中，使得本書內容能與時俱進，將更精彩的內容呈現給廣大讀者。本書適用於從事模擬系統設計的工程師，尤其適用於從事TI集成電路設計的工程師。同時，本書也可以作為高等學校模擬電子技術基礎課程的教學參考用書。何賓，著名的嵌入式技術和EDA技術專
家，長期從事電子設計自動化方面的教學和科研工作，與全球多家知名的半導體廠商和EDA工具廠商大學計划保持緊密合作。目前已經出版嵌入式和EDA方面的著作近30部，內容涵蓋電路仿真、電路設計、可編程邏輯器件、數字信號處理、單片機、嵌入式系統、片上可編程系統等。典型的代表作有《Xilinx FPGA設計權威指南》、《AltiumDesigner13.0電路設計、仿真與驗證權威指南》、《Xilinx FPGA數字設計-從門級到行為級的雙重描述》、《Xilinx FPGA數字信號處理權威指南-從HDL、模型到C的描述》、《模擬與數字系統協同設計權威指南-Cypress集成開發環境》、《STC單片機原理及應
用》、《AltiumDesigner15.0電路仿真、設計、驗證與工藝實現權威指南》、《STC單片機C語言程序設計》。 第1章模擬電子技術緒論1.1電子技術的發展歷史1.2模擬電子技術的目標1.2.1模擬電子技術的基礎地位1.2.2模擬電子技術的知識點結構1.2.3模擬電子技術的研究角度1.3模擬電子系統的評價和分析方法1.3.1理論分析方法類型1.3.2理論分析方法的實質1.3.3實際測試第2章半導體和PN結特性2.1半導體材料2.1.1N型雜質2.1.2P型雜質2.1.3多子和少子2.1.4費米函數2.1.5載流子濃度2.2零偏置PN結2.2.1內建結電勢2.2.2電場
分布2.2.3結電勢分布2.2.4空間耗盡區寬度2.3正偏PN結2.3.1耗盡區寬度2.3.2少子電荷分布2.4反偏PN 結2.4.1耗盡區寬度2.4.2結電容2.5結電流密度2.6溫度依賴性2.7高頻交流模型2.7.1耗盡電容2.7.2擴散電容2.7.3正偏模型2.7.4反偏模型第3章半導體二極管的特性和分析3.1二極管的符號和分類3.1.1二極管的符號3.1.2二極管的分類3.2二極管電壓和電流特性3.2.1測試電路構建和分析3.2.2查看和分析SPICE網表3.2.3二極管SPICE模型描述3.2.4二極管正偏電壓-電流特性分析3.2.5二極管反偏電壓-電流特性分析3.2.6二極管電壓-
電流線性化模型3.3二極管溫度特性3.3.1執行二極管溫度掃描分析3.3.2繪制和分析二極管溫度特性圖3.4二極管頻率特性3.4.1波特圖工具的原理3.4.2波特圖使用說明3.4.3二極管頻率特性分析3.5二極管額定功率特性3.6發光二極管及其特性3.7齊納二極管及其特性3.7.1電壓電流特性3.7.2電源管理器的設計第4章二極管電路的設計和分析4.1二極管整流器4.1.1半波整流4.1.2全波整流4.1.3平滑整流器輸出4.2二極管峰值檢測器4.2.1二極管峰值檢測器原理4.2.2包絡檢波器實現4.3二極管鉗位電路4.4二極管斬波器4.4.1二極管斬波器原理4.4.2二極管斬波器應用4.5二
極管倍壓整流器4.6壓控衰減器第5章雙極結型晶體管的特性和分析5.1晶體管基本概念5.2雙極結型晶體管符號5.3雙極結型晶體管SPICE模型參數5.4雙極結型晶體管工作原理5.4.1雙極結型晶體管結構5.4.2電壓、電流和電荷控制5.4.3晶體管的α和β5.4.4BJT工作區域5.5雙極結型晶體管輸入和輸出特性5.5.1輸入特性5.5.2輸出特性5.6雙極結型晶體管電路模型及分析方法5.6.1直流模型5.6.2大信號模型5.6.3厄爾利效應5.6.4小信號模型5.7密勒定理及其分析方法5.7.1密勒定理及其推導5.7.2密勒定理的應用5.7.3密勒效應5.8雙極結型晶體管的直流偏置5.8.1有
源電流源偏置5.8.2單基極電阻偏置5.8.3發射極電阻反饋偏置5.8.4射極跟隨器偏置5.8.5雙基極電阻偏置5.8.6偏置電路設計5.9共發射極放大器5.9.1有源偏置共射極放大器5.9.2電阻偏置共射極放大器5.10共集電極放大器5.10.1有源偏置射極跟隨器5.10.2電阻偏置射極跟隨器5.11共基極放大器5.11.1輸入電阻Ri5.11.2無負載電壓增益Avo5.11.3輸出電阻Ro5.12達林頓對晶體管5.13直流電平移位和放大器5.13.1電平移動方法5.13.2電平移位的直流放大器5.14雙極結型晶體管電路的頻率響應5.14.1高頻模型5.14.2BJT頻率響應5.15BJT放
大器的頻率響應5.15.1共發射極BJT放大器5.15.2共集電極BJT放大器5.15.3共基極BJT放大器第6章雙極結型晶體管放大電路應用6.1BJT多級放大器及頻率響應6.1.1電容耦合6.1.2直接耦合6.1.3級聯晶體管6.1.4頻率響應6.2BJT電流源原理6.2.1基本電流源6.2.2改進型基本電流源6.2.3Widlar電流源6.2.4共射-共基電流源6.2.5威爾遜電流源6.2.6多重電流源6.2.7零增益放大器6.2.8穩定電流源6.3BJT差分放大器原理6.3.1采用阻性負載的BJT差分對6.3.2采用基本電流鏡有源負載的BJT差分放大器6.3.3采用改進電流鏡的差分放大器
6.3.4共射極-共基極差分放大器6.3.5差分放大器頻率響應第7章雙極結型晶體管電路反饋原理及穩定分析7.1放大器反饋機制類型7.2放大器反饋特性7.2.1閉環增益系數7.2.2頻率響應7.2.3失真7.3放大器反饋結構7.3.1串聯-並聯反饋結構7.3.2串聯-串聯反饋結構7.3.3並聯-並聯反饋結構7.3.4並聯-串聯反饋結構7.4放大器反饋分析7.4.1串聯-並聯反饋結構7.4.2串聯-串聯反饋結構7.4.3並聯-並聯反饋結構7.4.4並聯-串聯反饋結構7.5放大器穩定性分析7.5.1閉環頻率和穩定性7.5.2瞬態響應和穩定性7.5.3閉環極點和穩定性7.5.4奈奎斯特穩定准則7.5.
5相對穩定性判定7.5.6相位裕度的影響7.5.7波特圖分析穩定性方法第8章金屬氧化物半導體場效應管特性和電路分析8.1金屬氧化物半導體場效應管基礎8.1.1金屬氧化物半導體場效應管概述8.1.2金屬氧化物場效應晶體管符號8.1.3金屬氧化物場效應管的基本概念8.1.4MOSFET的SPICE模型參數8.2增強型MOSFET8.2.1內部結構8.2.2工作模式8.2.3工作特性8.3耗盡型MOSFET8.3.1內部結構8.3.2工作模式8.3.3工作特性8.4MOSFET低頻模型8.4.1直流模型8.4.2小信號模型8.4.3小信號分析8.5MOSFET直流偏置8.5.1MOSFET偏置電路原
理8.5.2MOSFET偏置電路設計8.6共源極放大器8.6.1采用電流源負載的共源極放大器8.6.2采用增強型MOSFET負載的共源極放大器8.6.3采用耗盡型MOSFET負載的共源極放大器8.6.4采用電阻負載的共源極放大器8.7共漏極放大器 8.7.1有源偏置的源極跟隨器8.7.2電阻偏置的源極跟隨器8.8共柵極放大器8.9直流電平移位和放大器8.9.1電平移動方法8.9.2電平移位的MOSFET放大器8.10MOSFET放大器頻率響應8.10.1MOSFET高頻模型8.10.2共源極放大器頻率響應8.10.3共漏極放大器頻率響應8.10.4共柵極放大器頻率響應第9章金屬氧化物半導體場效
應管放大電路應用9.1MOSFET多級放大器及頻率響應9.1.1電容耦合級聯放大器9.1.2直接耦合放大器 9.1.3共源-共柵放大器9.2MOSFET電流源原理9.2.1基本電流源9.2.2改進型基本電流源9.2.3多重電流源9.2.4共源-共柵電流源9.2.5威爾遜電流源9.2.6零增益放大器9.2.7穩定電流源9.3MOSFET差分放大器原理9.3.1NMOSFET差分對9.3.2采用有源負載的MOSFET差分對9.3.3共源-共柵MOSFET差分放大器9.4耗盡型MOSFET差分放大器原理9.4.1采用阻性負載的耗盡型MOSFET差分對9.4.2采用有源負載的耗盡型MOSFET差分對第
10章運算放大器電路的設計和分析10.1集成運算放大器的原理10.1.1集成運放的內部結構10.1.2集成運放的通用符號10.1.3集成運放的簡化原理10.2理想運算放大器模型10.2.1理想運算放大器的特點10.2.2放大器「虛短」和「虛斷」10.2.3疊加定理10.3理想運算放大器的分析10.3.1同相放大器10.3.2反相放大器10.4運算放大器的應用10.4.1電壓跟隨器10.4.2加法器10.4.3積分器10.4.4微分器10.4.5半波整流器10.4.6全波整流器10.5單電源供電運放電路10.5.1單電源運放10.5.2運算放大電路的基本偏置方法10.5.3其他一些基本的單電源供
電電路第11章集成差動放大器的原理和分析11.1差分放大器的基本概念11.2差分放大器11.3儀表放大器11.4電流檢測放大器11.4.1低側電流測量方法11.4.2高測電流檢測方法11.5全差分放大器11.5.1全差分放大器原理11.5.2差分信號源匹配11.5.3單端信號源匹配11.5.4輸入共模電壓第12章運算放大器的性能指標12.1開環增益、閉環增益和環路增益12.2放大器直流精度12.2.1放大器輸入端直流參數指標12.2.2放大器輸出端直流參數指標12.3放大器交流精度12.3.1增益帶寬積12.3.2壓擺率12.3.3建立時間12.3.4總諧波失真加噪聲12.4其他指標12.4.
1共模抑制比12.4.2電源噪聲抑制比12.4.3電源電流12.4.4運放噪聲12.5精密放大器指標12.5.1TI精密運算放大器12.5.2精密放大器選型步驟第13章運算放大器電路穩定性分析13.1運放電路穩定性分析方法13.2Aol和1/β的計算方法13.3外部寄生電容對穩定性的影響13.3.1負載電阻影響的瞬態分析13.3.2負載電阻影響的交流小信號分析13.4修改Aol的補償方法13.4.1電路的瞬態分析13.4.2電路的交流小信號分析13.5修改1/β的補償方法13.5.1電路的瞬態分析13.5.2電路的交流小信號分析第14章高速放大器的原理和分析14.1高速放大器的關鍵指標 14.
1.1帶寬14.1.2壓擺率14.1.3建立時間14.1.4THD+N和運放的位數14.2Bipolar和FET型高速放大器 14.3電壓反饋、電流反饋和去補償型高速放大器14.3.1電壓反饋和電流反饋放大器的原理14.3.2電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別：帶寬和增益 14.3.3電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別：反饋電阻的取值 14.3.4電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別：壓擺率 14.3.5電壓反饋放大器和電流反饋放大器的選擇14.3.6去補償電壓反饋放大器 14.4壓控增益放大器應用 第15章有源濾波器的原理和設計15.1有源和無源濾波器15.2有源濾波器分類15.3有源濾
波器模型研究方法15.4一階濾波器及其特性15.4.1低通濾波器15.4.2高通濾波器15.4.3帶通濾波器15.4.4帶阻濾波器15.5雙二次函數15.5.1貝塞爾響應 15.5.2巴特沃斯響應 15.5.3契比雪夫響應15.6Sallen-Key濾波器15.6.1通用形式15.6.2低通濾波器15.6.3高通濾波器15.6.4帶通濾波器15.7多重反饋濾波器15.7.1低通濾波器15.7.2高通濾波器15.7.3帶通濾波器15.8Bainter陷波濾波器15.9全通濾波器15.9.1一階全通濾波器15.9.2二階全通濾波器15.10開關電容濾波器15.10.1開關電容電阻15.10.2開關
電容積分器15.10.3通用開關電容濾波器15.11單電源供電濾波器設計15.12濾波器輔助設計工具第16章功率放大器的分析和設計16.1功率放大器的類型16.2功率晶體管16.3A類功率放大器的原理及分析16.3.1射極跟隨器16.3.2基本的共射極放大器16.3.3采用有源負載的共射極放大器16.3.4變壓器耦合負載共射極放大器16.4B類功率放大器的原理及分析16.4.1互補推挽放大器16.4.2變壓器耦合負載推挽放大器16.5AB類功率放大器的原理及分析16.5.1轉移特性16.5.2輸出功率和效率16.5.3采用二極管的偏置16.5.4采用二極管和有源電流源的偏置16.5.5采用VB
E乘法器的偏置16.5.6准互補AB類放大器16.5.7變壓器耦合AB類放大器16.6C類功率放大器的原理及分析16.7D類功率放大器的原理及分析16.8E類功率放大器的原理及分析16.9功率運算放大器的類型和應用16.9.1功率運算放大器的類型16.9.2功率運算放大器的應用16.9.3功率運放功耗16.9.4功率運放熱考慮16.9.5功率運放散熱設計第17章振盪器的特性和分析17.1振盪器原理17.1.1振盪條件分析17.1.2頻率穩定性分析17.1.3幅度穩定性分析17.2音頻振盪器17.2.1移相振盪器17.2.2正交振盪器17.2.3三相振盪器17.2.4文氏橋振盪器17.2.5環形
振盪器17.3射頻振盪器17.3.1科爾皮茲振盪器17.3.2哈特萊振盪器17.3.3兩級MOS振盪器17.4晶體振盪器17.5硅振盪器17.6有源濾波器調諧振盪器第18章電源管理器的原理和應用18.1線性電源管理器18.1.1線性電源管理器的內部結構18.1.2負載電流對輸入和輸出壓差的影響18.1.3輸出電壓與輸入電壓和負載電流變化關系18.1.4LDO電源管理器的效率18.1.5LDO電源管理器反饋補償18.1.6LDO電源抑制比18.2開關電源管理器18.2.1電感和電容的基本概念18.2.2理想降壓轉換器的原理和結構18.2.3理想升壓轉換器的原理和結構18.2.4理想降壓-升壓轉換
器的原理和結構第19章模擬-數字轉換器的原理及應用19.1數模混合系統結構19.2ADC的原理19.2.1ADC的基本原理19.2.2量化誤差與分辨率19.2.3采樣率19.3ADC的性能指標19.3.1靜態特性19.3.2動態特性19.4ADC的類型和原理19.4.1逐次逼近寄存器型ADC的原理及應用19.4.2Δ-?型ADC的原理及應用19.4.3流水線型ADC的原理及應用19.5ADC數字接口類型19.5.1I2C接口 19.5.2SPI接口 19.5.3LVDS接口19.6ADC參考輸入源19.6.1串聯型電壓基准19.6.2並聯型電壓基准19.7全差分放大器和ADC接口設計19.8小
結第20章數字-模擬轉換器的原理及應用20.1DAC的原理及信號重構20.1.1DAC的原理20.1.2模擬信號的重建20.2DAC的性能指標20.2.1分辨率20.2.2滿量程范圍20.2.3靜態參數20.2.4動態參數20.3DAC器件類型和原理20.3.1電阻串型20.3.2R-2R型20.3.3乘法型20.3.4電流引導型20.3.5數字電位器20.3.6Δ-?型DAC20.4脈沖寬度調制 20.4.1占空比分辨率 20.4.2諧波失真 20.4.3模擬濾波器的設計20.5選型原則參考文獻
數字轉換器進入發燒排行的影片
近日KKBOX更新推出無損音質，其實高清、無損音源推行了好幾年，本地樂壇新貴MIRROR、林家謙、Serrini等出歌都有高清版，相信歌迷們是時候要了解一下，各大串流音樂平台的新動向，學聽高清好歌撐歌手。
音源質素分三級制
KKBOX的無損音質採用了16bit/48kHz CD以及24bit/192kHz Hi-Res取樣率，相信一般用家看到這些術語和數字頭都大，今次就由耳機專家Cato Mak為大家解釋一下，他表示，目前串流音樂平台的音源可以簡單分為三個等級。
第一級：有損壓縮技術音源
聲音訊號儲存時會重新編碼和壓縮，過程中有損壓縮技術，檔案資訊會有所流失。如果見到320kbps或以下的數字，就代表它是有損壓縮音源，理論上kbps這個單位的數字越低，音訊資訊量越低。Spotify最高音質採用320kbps AAC格式，Apple Music和YouTube Music則最高對應256kbps AAC，三者都沒有提供無損音源。
第二級：CD級別
播放數碼音樂要將數碼檔案解讀為音波訊號，過程稱為「取樣」（Sampling），取樣率會用bit和Hz兩個單位表達，實體CD採用16bit/44,100Hz，串流平台常用16bit/48kHz的音源。bit影響音樂的動態範圍和音壓，後面以kHz是取樣頻率。 Cato指和相機的像素原理差不多，「取樣次數越高，跟模擬訊號（analog）的聲音曲線就越相像，除了聲質更細緻，Hz數越高可支援更闊的頻率響應。」兩個數字相乘再因為兩聲道加倍，得出的就是位元率（bitrate），以CD為例，16×44,100×2就是1,411kbps，和之前所說的320kbps有損格式差很多，理論上bitrate越高，音樂檔案能夠保存的資訊量越多。
第三級：高清Hi-Res級別
比16bit/44,100Hz這兩組數字更高的，就是Hi-Res高清級別。常見的有24bit/96kHz，bitrate達4,608kbps，理論上音質可以比CD更高。不過Cato表示音響界有不同意見，「理論上Hi-Res音源的頻率可以去到更闊，但CD的高頻聲音大概可達20Khz，已經是大部份人可以聽到的極限，也有人會質疑再高頻的意義。玩音響很個人，有人玩新的Hi-Res，也有人鍾情聽CD。」
第二和第三級皆可稱為無損音源，目前TIDAL、MOOV、KKBOX都提供CD和Hi-Res級別的音源，各自有不同叫法，例如Hi-Fi、Master，或直接用16bit、24bit顯示，三個平台都是用藍色代表CD級，用金黃色代表Hi-Res級，哪首歌有哪種格式都一目了然。
iPhone聽好歌駁上駁
搞清音源，是不是插個耳機就聽到分別？Cato表示，用電話插上中價位、千元左右的耳機應該已能聽到CD級和有損音源的分別。想進一步玩Hi-Res的話，近年的電話、電腦已對應Hi-Res音源，不過單靠主機的解碼能力不夠好，會有其他電子干擾，玩Hi-Res的朋友多數會接駁外置DAC（數位類比轉換器）提高音質。
電腦和Android用家可以直駁USB DAC，但Cato就提醒iPhone要聽24bit Hi-Res要用秘技，「iOS的輸出有限制，用Lightning插口或原裝轉換線都只能對應16bit/48kHz音源，奇怪的是用相機套件的USB輸出就可以避開這個限制。」iPhone要先駁相機套件，再駁DAC再駁耳機才可突破限制。如果用藍牙耳機的話，iPhone目前的藍牙編碼未支援高清格式，Android就可以留意aptX Adaptive和LDAC這些藍牙編碼技術，兩種技術都對應24bit/96kHz。
KKBOX新歌上架快
那麼多串流平台應該怎選擇好呢？如果你用入門級一般耳機聽的話，就算你已用KKBOX和MOOV，其實都毋須急着升級，兩個平台聽高清都要加錢。一般用家看音樂庫選擇就可以，目前大部份串流平台都有免費試用時間，而Spotify、Apple Music、KKBOX歌曲較多。
如果熟音響，又喜歡本地或日韓音樂，可以選用KKBOX或MOOV。實測KKBOX的高清音檔比較多，三大唱片公司Sony Music、環球唱片、華納唱片都有提供Hi-Res音源，沒有唱片公司的林家謙在KKBOX有24bit，MOOV只有16bit。KKBOX新歌反應也較快，例如大熱的Billie Eilish《Your Power》，截稿前都未登陸MOOV。至於TIDAL，歐美歌曲比較齊全，也有更多發燒級功能，有比24bit/96kHz更高級別的音源，也對應音響界很火熱的播放軟件Roon，玩無線音響、Multi Room功能等都有很多發揮空間，但中文歌少之餘介面也不太好用，很難找。
影片:
【我是南丫島人】23歲仔獲cafe免費借位擺一人咖啡檔 $6,000租住350呎村屋：愛這裏互助關係 (果籽 Apple Daily) (https://youtu.be/XSugNPyaXFQ)
【香港蠔 足本版】流浮山白蠔收成要等三年半 天然生曬肥美金蠔日產僅50斤 即撈即食中環名人坊蜜餞金蠔 西貢六福酥炸生蠔 (果籽 Apple Daily) (https://youtu.be/Fw653R1aQ6s)
【這夜給惡人基一封信】大佬茅躉華日夜思念 回憶從8歲開始：兄弟有今生沒來世 (壹週刊 Next) (https://youtu.be/t06qjQbRIpY)
【太子餃子店】新移民唔怕蝕底自薦包餃子 粗重功夫一腳踢 老闆刮目相看邀開店：呢個女人唔係女人(飲食男女 Apple Daily) https://youtu.be/7CUTg7LXQ4M)
【娛樂人物】情願市民留家唔好出街聚餐 鄧一君兩麵舖執笠蝕200萬 (蘋果日報 Apple Daily) (https://youtu.be/e3agbTOdfoY)
果籽 ：http://as.appledaily.com
籽想旅行：http://travelseed.hk
健康蘋台： http://applehealth.com.hk
動物蘋台： http://applepetform.com
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#果籽 #StayHome #WithMe #跟我一樣 #宅在家
低壓車用馬達驅動器研製
為了解決數字轉換器 的問題，作者王信富 這樣論述：
近幾年來，由燃料汽車慢慢轉變為電動汽車，不管哪種類型的汽車，汽車內部會有數個電子控制單元(Electronic Control Unit)，用來控制車內電氣系統，其中就有ECU是控制無刷馬達，使用此控制技術可讓受控物產生的振動，噪音降低許多，讓駕駛時更安靜與穩定。此外，更大優點就是沒有廢氣排放的環保問題。本論文使用旋轉編碼器偵測馬達轉子位置，透過解角晶片轉換成數位訊號以供微控制器讀取，再使用比例積分法驅動永磁無刷馬達。另一方面使用電腦的人機介面觀測其馬達輸出電流、速度之波形。硬體電路採用車用規格等級零件，DC BUS設有預充電電路，閘極驅動晶片內建各項保護機制，實現了一款高可靠度、高壽命的馬
達驅動器。微控制器使用德州儀器公司Texas Instruments , TI所開發的TM4C123G Launch-Pad Evaluation Board開發板，微控制器型號為TM4C123GH6PM來編寫韌體。程式方面使用KEIL公司設計的MDK-ARM是一套使用C語言編寫程式的系統。
仿真電子系統設計指南（基礎篇）：從半導體、分立組件到TI集成電路的分析與實現
為了解決數字轉換器 的問題，作者何賓 這樣論述：
本書從最基本的半導體ＰＮ結開始，以二極管、雙極結型晶體管、金屬氧化物半導體場效應管，以及美國ＴＩ公司的集成運算放大器、集成功率放大器、集成線性低壓降電源芯片、集成開關電源芯片為主線，系統介紹了半導體和PN結特性、半導體二極管的特性和分析、二極管電路的設計和分析、雙極結型晶體管的特性和分析、雙極結型晶體管放大電路應用、雙極結型晶體管電路反饋原理及穩定分析、金屬氧化物半導體場效應管特性和電路分析、金屬氧化物半導體場效應管放大電路應用、運算放大器電路的設計和分析、集成差動放大器的原理和分析、運算放大器的性能指標、運算放大器電路穩定性分析、高速放大器的原理和分析、有源濾波器的原理和設計、功率放大器的分
析和設計、振盪器的特性和分析、電源管理器的原理和應用、模擬-數字轉換器的原理及應用、數字-模擬轉換器的原理及應用等內容。本書的一大特色是將模擬電子系統理論知識和SPICE電路仿真進行系統化融合，通過理論計算及SPICE仿真結果，詮釋了模擬電子系統的本質；本書的另一大特色是通過與美國TI公司和美國NI公司的產、學、研深度合作，將最新的模擬電子設計理論和設計方法引入書中，使得本書內容能與時俱進，將更精彩的內容呈現給廣大讀者。本書適用於從事模擬系統設計的工程師，尤其適用於從事TI集成電路設計的工程師。同時，本書也可以作為高等學校模擬電子技術基礎課程的教學參考用書。何賓，著名的嵌入式技術和EDA技術專
家，長期從事電子設計自動化方面的教學和科研工作，與全球多家知名的半導體廠商和EDA工具廠商大學計划保持緊密合作。目前已經出版嵌入式和EDA方面的著作近30部，內容涵蓋電路仿真、電路設計、可編程邏輯器件、數字信號處理、單片機、嵌入式系統、片上可編程系統等。典型的代表作有《Xilinx FPGA設計權威指南》、《AltiumDesigner13.0電路設計、仿真與驗證權威指南》、《Xilinx FPGA數字設計-從門級到行為級的雙重描述》、《Xilinx FPGA數字信號處理權威指南-從HDL、模型到C的描述》、《模擬與數字系統協同設計權威指南-Cypress集成開發環境》、《STC單片機原理及應
用》、《AltiumDesigner15.0電路仿真、設計、驗證與工藝實現權威指南》、《STC單片機C語言程序設計》。 第1章模擬電子技術緒論1.1電子技術的發展歷史1.2模擬電子技術的目標1.2.1模擬電子技術的基礎地位1.2.2模擬電子技術的知識點結構1.2.3模擬電子技術的研究角度1.3模擬電子系統的評價和分析方法1.3.1理論分析方法類型1.3.2理論分析方法的實質1.3.3實際測試第2章半導體和PN結特性2.1半導體材料2.1.1N型雜質2.1.2P型雜質2.1.3多子和少子2.1.4費米函數2.1.5載流子濃度2.2零偏置PN結2.2.1內建結電勢2.2.2電場
分布2.2.3結電勢分布2.2.4空間耗盡區寬度2.3正偏PN結2.3.1耗盡區寬度2.3.2少子電荷分布2.4反偏PN 結2.4.1耗盡區寬度2.4.2結電容2.5結電流密度2.6溫度依賴性2.7高頻交流模型2.7.1耗盡電容2.7.2擴散電容2.7.3正偏模型2.7.4反偏模型第3章半導體二極管的特性和分析3.1二極管的符號和分類3.1.1二極管的符號3.1.2二極管的分類3.2二極管電壓和電流特性3.2.1測試電路構建和分析3.2.2查看和分析SPICE網表3.2.3二極管SPICE模型描述3.2.4二極管正偏電壓-電流特性分析3.2.5二極管反偏電壓-電流特性分析3.2.6二極管電壓-
電流線性化模型3.3二極管溫度特性3.3.1執行二極管溫度掃描分析3.3.2繪制和分析二極管溫度特性圖3.4二極管頻率特性3.4.1波特圖工具的原理3.4.2波特圖使用說明3.4.3二極管頻率特性分析3.5二極管額定功率特性3.6發光二極管及其特性3.7齊納二極管及其特性3.7.1電壓電流特性3.7.2電源管理器的設計第4章二極管電路的設計和分析4.1二極管整流器4.1.1半波整流4.1.2全波整流4.1.3平滑整流器輸出4.2二極管峰值檢測器4.2.1二極管峰值檢測器原理4.2.2包絡檢波器實現4.3二極管鉗位電路4.4二極管斬波器4.4.1二極管斬波器原理4.4.2二極管斬波器應用4.5二
極管倍壓整流器4.6壓控衰減器第5章雙極結型晶體管的特性和分析5.1晶體管基本概念5.2雙極結型晶體管符號5.3雙極結型晶體管SPICE模型參數5.4雙極結型晶體管工作原理5.4.1雙極結型晶體管結構5.4.2電壓、電流和電荷控制5.4.3晶體管的α和β5.4.4BJT工作區域5.5雙極結型晶體管輸入和輸出特性5.5.1輸入特性5.5.2輸出特性5.6雙極結型晶體管電路模型及分析方法5.6.1直流模型5.6.2大信號模型5.6.3厄爾利效應5.6.4小信號模型5.7密勒定理及其分析方法5.7.1密勒定理及其推導5.7.2密勒定理的應用5.7.3密勒效應5.8雙極結型晶體管的直流偏置5.8.1有
源電流源偏置5.8.2單基極電阻偏置5.8.3發射極電阻反饋偏置5.8.4射極跟隨器偏置5.8.5雙基極電阻偏置5.8.6偏置電路設計5.9共發射極放大器5.9.1有源偏置共射極放大器5.9.2電阻偏置共射極放大器5.10共集電極放大器5.10.1有源偏置射極跟隨器5.10.2電阻偏置射極跟隨器5.11共基極放大器5.11.1輸入電阻Ri5.11.2無負載電壓增益Avo5.11.3輸出電阻Ro5.12達林頓對晶體管5.13直流電平移位和放大器5.13.1電平移動方法5.13.2電平移位的直流放大器5.14雙極結型晶體管電路的頻率響應5.14.1高頻模型5.14.2BJT頻率響應5.15BJT放
大器的頻率響應5.15.1共發射極BJT放大器5.15.2共集電極BJT放大器5.15.3共基極BJT放大器第6章雙極結型晶體管放大電路應用6.1BJT多級放大器及頻率響應6.1.1電容耦合6.1.2直接耦合6.1.3級聯晶體管6.1.4頻率響應6.2BJT電流源原理6.2.1基本電流源6.2.2改進型基本電流源6.2.3Widlar電流源6.2.4共射-共基電流源6.2.5威爾遜電流源6.2.6多重電流源6.2.7零增益放大器6.2.8穩定電流源6.3BJT差分放大器原理6.3.1采用阻性負載的BJT差分對6.3.2采用基本電流鏡有源負載的BJT差分放大器6.3.3采用改進電流鏡的差分放大器
6.3.4共射極-共基極差分放大器6.3.5差分放大器頻率響應第7章雙極結型晶體管電路反饋原理及穩定分析7.1放大器反饋機制類型7.2放大器反饋特性7.2.1閉環增益系數7.2.2頻率響應7.2.3失真7.3放大器反饋結構7.3.1串聯-並聯反饋結構7.3.2串聯-串聯反饋結構7.3.3並聯-並聯反饋結構7.3.4並聯-串聯反饋結構7.4放大器反饋分析7.4.1串聯-並聯反饋結構7.4.2串聯-串聯反饋結構7.4.3並聯-並聯反饋結構7.4.4並聯-串聯反饋結構7.5放大器穩定性分析7.5.1閉環頻率和穩定性7.5.2瞬態響應和穩定性7.5.3閉環極點和穩定性7.5.4奈奎斯特穩定准則7.5.
5相對穩定性判定7.5.6相位裕度的影響7.5.7波特圖分析穩定性方法第8章金屬氧化物半導體場效應管特性和電路分析8.1金屬氧化物半導體場效應管基礎8.1.1金屬氧化物半導體場效應管概述8.1.2金屬氧化物場效應晶體管符號8.1.3金屬氧化物場效應管的基本概念8.1.4MOSFET的SPICE模型參數8.2增強型MOSFET8.2.1內部結構8.2.2工作模式8.2.3工作特性8.3耗盡型MOSFET8.3.1內部結構8.3.2工作模式8.3.3工作特性8.4MOSFET低頻模型8.4.1直流模型8.4.2小信號模型8.4.3小信號分析8.5MOSFET直流偏置8.5.1MOSFET偏置電路原
理8.5.2MOSFET偏置電路設計8.6共源極放大器8.6.1采用電流源負載的共源極放大器8.6.2采用增強型MOSFET負載的共源極放大器8.6.3采用耗盡型MOSFET負載的共源極放大器8.6.4采用電阻負載的共源極放大器8.7共漏極放大器 8.7.1有源偏置的源極跟隨器8.7.2電阻偏置的源極跟隨器8.8共柵極放大器8.9直流電平移位和放大器8.9.1電平移動方法8.9.2電平移位的MOSFET放大器8.10MOSFET放大器頻率響應8.10.1MOSFET高頻模型8.10.2共源極放大器頻率響應8.10.3共漏極放大器頻率響應8.10.4共柵極放大器頻率響應第9章金屬氧化物半導體場效
應管放大電路應用9.1MOSFET多級放大器及頻率響應9.1.1電容耦合級聯放大器9.1.2直接耦合放大器 9.1.3共源-共柵放大器9.2MOSFET電流源原理9.2.1基本電流源9.2.2改進型基本電流源9.2.3多重電流源9.2.4共源-共柵電流源9.2.5威爾遜電流源9.2.6零增益放大器9.2.7穩定電流源9.3MOSFET差分放大器原理9.3.1NMOSFET差分對9.3.2采用有源負載的MOSFET差分對9.3.3共源-共柵MOSFET差分放大器9.4耗盡型MOSFET差分放大器原理9.4.1采用阻性負載的耗盡型MOSFET差分對9.4.2采用有源負載的耗盡型MOSFET差分對第
10章運算放大器電路的設計和分析10.1集成運算放大器的原理10.1.1集成運放的內部結構10.1.2集成運放的通用符號10.1.3集成運放的簡化原理10.2理想運算放大器模型10.2.1理想運算放大器的特點10.2.2放大器「虛短」和「虛斷」10.2.3疊加定理10.3理想運算放大器的分析10.3.1同相放大器10.3.2反相放大器10.4運算放大器的應用10.4.1電壓跟隨器10.4.2加法器10.4.3積分器10.4.4微分器10.4.5半波整流器10.4.6全波整流器10.5單電源供電運放電路10.5.1單電源運放10.5.2運算放大電路的基本偏置方法10.5.3其他一些基本的單電源供
電電路第11章集成差動放大器的原理和分析11.1差分放大器的基本概念11.2差分放大器11.3儀表放大器11.4電流檢測放大器11.4.1低側電流測量方法11.4.2高測電流檢測方法11.5全差分放大器11.5.1全差分放大器原理11.5.2差分信號源匹配11.5.3單端信號源匹配11.5.4輸入共模電壓第12章運算放大器的性能指標12.1開環增益、閉環增益和環路增益12.2放大器直流精度12.2.1放大器輸入端直流參數指標12.2.2放大器輸出端直流參數指標12.3放大器交流精度12.3.1增益帶寬積12.3.2壓擺率12.3.3建立時間12.3.4總諧波失真加噪聲12.4其他指標12.4.
1共模抑制比12.4.2電源噪聲抑制比12.4.3電源電流12.4.4運放噪聲12.5精密放大器指標12.5.1TI精密運算放大器12.5.2精密放大器選型步驟第13章運算放大器電路穩定性分析13.1運放電路穩定性分析方法13.2Aol和1/β的計算方法13.3外部寄生電容對穩定性的影響13.3.1負載電阻影響的瞬態分析13.3.2負載電阻影響的交流小信號分析13.4修改Aol的補償方法13.4.1電路的瞬態分析13.4.2電路的交流小信號分析13.5修改1/β的補償方法13.5.1電路的瞬態分析13.5.2電路的交流小信號分析第14章高速放大器的原理和分析14.1高速放大器的關鍵指標 14.
1.1帶寬14.1.2壓擺率14.1.3建立時間14.1.4THD+N和運放的位數14.2Bipolar和FET型高速放大器 14.3電壓反饋、電流反饋和去補償型高速放大器14.3.1電壓反饋和電流反饋放大器的原理14.3.2電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別：帶寬和增益 14.3.3電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別：反饋電阻的取值 14.3.4電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別：壓擺率 14.3.5電壓反饋放大器和電流反饋放大器的選擇14.3.6去補償電壓反饋放大器 14.4壓控增益放大器應用 第15章有源濾波器的原理和設計15.1有源和無源濾波器15.2有源濾波器分類15.3有源濾
波器模型研究方法15.4一階濾波器及其特性15.4.1低通濾波器15.4.2高通濾波器15.4.3帶通濾波器15.4.4帶阻濾波器15.5雙二次函數15.5.1貝塞爾響應 15.5.2巴特沃斯響應 15.5.3契比雪夫響應15.6Sallen-Key濾波器15.6.1通用形式15.6.2低通濾波器15.6.3高通濾波器15.6.4帶通濾波器15.7多重反饋濾波器15.7.1低通濾波器15.7.2高通濾波器15.7.3帶通濾波器15.8Bainter陷波濾波器15.9全通濾波器15.9.1一階全通濾波器15.9.2二階全通濾波器15.10開關電容濾波器15.10.1開關電容電阻15.10.2開關
電容積分器15.10.3通用開關電容濾波器15.11單電源供電濾波器設計15.12濾波器輔助設計工具第16章功率放大器的分析和設計16.1功率放大器的類型16.2功率晶體管16.3A類功率放大器的原理及分析16.3.1射極跟隨器16.3.2基本的共射極放大器16.3.3采用有源負載的共射極放大器16.3.4變壓器耦合負載共射極放大器16.4B類功率放大器的原理及分析16.4.1互補推挽放大器16.4.2變壓器耦合負載推挽放大器16.5AB類功率放大器的原理及分析16.5.1轉移特性16.5.2輸出功率和效率16.5.3采用二極管的偏置16.5.4采用二極管和有源電流源的偏置16.5.5采用VB
E乘法器的偏置16.5.6准互補AB類放大器16.5.7變壓器耦合AB類放大器16.6C類功率放大器的原理及分析16.7D類功率放大器的原理及分析16.8E類功率放大器的原理及分析16.9功率運算放大器的類型和應用16.9.1功率運算放大器的類型16.9.2功率運算放大器的應用16.9.3功率運放功耗16.9.4功率運放熱考慮16.9.5功率運放散熱設計第17章振盪器的特性和分析17.1振盪器原理17.1.1振盪條件分析17.1.2頻率穩定性分析17.1.3幅度穩定性分析17.2音頻振盪器17.2.1移相振盪器17.2.2正交振盪器17.2.3三相振盪器17.2.4文氏橋振盪器17.2.5環形
振盪器17.3射頻振盪器17.3.1科爾皮茲振盪器17.3.2哈特萊振盪器17.3.3兩級MOS振盪器17.4晶體振盪器17.5 振盪器17.6有源濾波器調諧振盪器第18章電源管理器的原理和應用18.1線性電源管理器18.1.1線性電源管理器的內部結構18.1.2負載電流對輸入和輸出壓差的影響18.1.3輸出電壓與輸入電壓和負載電流變化關系18.1.4LDO電源管理器的效率18.1.5LDO電源管理器反饋補償18.1.6LDO電源抑制比18.2開關電源管理器18.2.1電感和電容的基本概念18.2.2理想降壓轉換器的原理和結構18.2.3理想升壓轉換器的原理和結構18.2.4理想降壓-升壓轉
換器的原理和結構第19章模擬-數字轉換器的原理及應用19.1數模混合系統結構19.2ADC的原理19.2.1ADC的基本原理19.2.2量化誤差與分辨率19.2.3采樣率19.3ADC的性能指標19.3.1靜態特性19.3.2動態特性19.4ADC的類型和原理19.4.1逐次逼近寄存器型ADC的原理及應用19.4.2Δ- 型ADC的原理及應用19.4.3流水線型ADC的原理及應用19.5ADC數字接口類型19.5.1I2C接口 19.5.2SPI接口 19.5.3LVDS接口19.6ADC參考輸入源19.6.1串聯型電壓基准19.6.2並聯型電壓基准19.7全差分放大器和ADC接口設計19.
8小結第20章數字-模擬轉換器的原理及應用20.1DAC的原理及信號重構20.1.1DAC的原理20.1.2模擬信號的重建20.2DAC的性能指標20.2.1分辨率20.2.2滿量程范圍20.2.3靜態參數20.2.4動態參數20.3DAC器件類型和原理20.3.1電阻串型20.3.2R-2R型20.3.3乘法型20.3.4電流引導型20.3.5數字電位器20.3.6Δ- 型DAC20.4脈沖寬度調制 20.4.1占空比分辨率 20.4.2諧波失真 20.4.3模擬濾波器的設計20.5選型原則參考文獻
應用於居家照護之自動化電化學阻抗頻譜量測系統設計
為了解決數字轉換器 的問題，作者陳則安 這樣論述：
2019年新冠病毒的大流行改變了大家的生活型態，人們減少前往醫院以避免受到感染或是消耗貴重的醫療資源。因此，居家健康檢測與照護產品受到越來越多關注。本文提出三個可用於居家檢測採用比較式頻率響應分析法的自動化電化學阻抗頻譜量測系統版本。這些系統包含一顆電化學阻抗頻譜訊號處理晶片、一些離散元件、一組資料擷取裝置以及一台筆電。其中第三版本的晶片是由三個主要功能區塊組成：一組可編程的寬頻弦波產生器、兩套可調式帶通濾波器以及一個阻抗數位轉換器。所使用的製程為台灣積體電路公司0.35μm 2P4M 3.3.V混合訊號製程，晶片面積為2.07×1.68 mm2。整套系統已透過離散電阻、電容以及實際人類血清
白蛋白溶液進行測試與驗證。此外，一些可以提升系統準確度以及優化系統複雜度的電路被提出。其中，整合斬波電路的全差分差動放大器可用來解決放大器的偏移電壓，而直流伺服迴路則可被用來消除系統不想要的低頻雜訊。另外，數位輸出的脈衝式類比除法器可以執行除法並提供數位輸出，可簡化後端訊號處理的流程。最後，一個十位元面積優化的循環路徑交換式逐次逼近時間數位轉換器被提出。與其他架構相比，其延遲元件的數量減少了至少50％。與前面提出的系統相比，可用來取代阻抗量測系統中的相位-數位轉換器。