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基礎電子學的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
基礎電子學的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦MAKERMEDIA寫的 Make：國際中文版38 和西蒙‧孟克的 DIY聲光動作秀：用Arduino和Raspberry Pi打造有趣的聲光動態專題都 可以從中找到所需的評價。
另外網站電子學-雲端- 理工研究所 - TKB購課網也說明：台聯大的電子學總共有20題，整體範圍著重在征戰電子學的前10章節，其中第一章半導體基本上2~3年考一題，第二章則是每年大約2題左右，第三章到第十章則是放大器的內容出題 ...
這兩本書分別來自馥林文化 和馥林文化所出版 。
明新科技大學 電子工程系碩士在職專班 楊鎮澤所指導 楊雅媛的 應用程式偵測積體電路佈局設計中的漏電 （2021），提出基礎電子學關鍵因素是什麼，來自於互補式金屬氧化物半導體、P型金氧半場效電晶體、N型金氧半場效電晶體。
而第二篇論文國立宜蘭大學 電子工程學系碩士班 邱建文所指導 張嘉文的 用於微波輻射計之高增益低雜訊放大器設計 （2019），提出因為有 低雜訊放大器、台積電0.18µm RF CMOS製程、高電子移動率電晶體、微波輻射計、體內溫度測量的重點而找出了 基礎電子學的解答。
最後網站基礎電子學含習作本- 動力機械群適用 - 台科大圖書則補充：1.本書對歐姆定律闡述電路之電壓、電流與電阻三者之關係有簡單、明瞭的介紹。2.對波形值有深入淺出的剖釋，學習者只要循序的接受指導，用心的做例題， ...
Make：國際中文版38
為了解決基礎電子學 的問題，作者MAKERMEDIA 這樣論述：
2018年超級開發板指南 登板時刻 讓我們的2018年開發板指南給你一目了然的比較 Maker的自我表達方式不斷增加，但有一個不變的要素：專題必須有控制器。別擔心，《MAKE》的年度開發板指南，會幫助你快速掌握情勢，選出最適合你需求的控制板。今年的指南中，我們把74塊板子分成三類：微控制器（MCU）、單板電腦和FPGA，附上規格和詳細資料，讓你輕鬆比較。雖然不是全世界的開發板都在這個清單裡，你會看到多數最新和評價最高的機型。我們也附上一些《MAKE》團隊最喜歡的擴充板和無線裝置選項，幫助你更快速往下一個專題邁進。 本書特色 《MAKE》是一本協助讀者將「自己動手做」
DIY的概念，運用到生活中所有科技領域的雜誌書，內容涵蓋範圍包括：汽車、玩具、電子、機器、樂器、攝影、木工家具與戶外活動等產品的製作。此外，每本《MAKE》都有著令人興奮且多樣化的專題，讓你隨時隨地都能發揮創意充分活用各種科技，盡情享受改造、破解與重組科技的成就感。 本書透過生動的實物照片、精美的插圖與簡單易懂的文字描述，深入淺出地一步步教你如何做出這些專題企劃作品。更把製作所需的材料、金額、時間與購買來源等資訊，鉅細靡遺地標示出來。 這不但是一本適合高中以上大專院校進行科技製作專題的聖經，也是一般社會人士培養休閒嗜好或是假日親子活動的優良讀物。還有，如果你正在尋找科技產品創新的點
子卻遍尋不著，《MAKE》裡的精采內容絕對不會讓你失望。
應用程式偵測積體電路佈局設計中的漏電
為了解決基礎電子學 的問題，作者楊雅媛 這樣論述：
摘要本論文將針對因互補式金屬氧化物半導體(CMOS, Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)高壓製程實際電路設計不當並無法靠模擬程式和驗證程式找出錯誤而造成漏電的問題做分析和提供解決方法。在CMOS非高壓製程設計時P型金氧半場效電晶體(PMOS, P-Metal-Oxide-Semiconductor)與N型金氧半場效電晶體(NMOS, N-Metal-Oxide-Semiconductor)皆是四端點的元件分別是源極(Source)、閘極(Gate)、汲極(Drain)、基極(Bulk)，但高壓製程步驟需要PMOS加上N型深井(Deep-NWell
)，因此PMOS會變為五端點的元件，而NMOS會因為加上Deep-NWell 則變為六端點的元件。 但在電路設計時PMOS與NMOS均只有四個端點，所以沒有PMOS的第五端點與NMOS的第五和第六端點的定義，因此，當進行IC實體電路設計時因Deep-NWell不允許浮接，所以這第五端點的電位要接到什麼電位就是最大的風險。 而在電路設計模擬時只能模擬出來四個端點的結果，因此不會察覺到任何錯誤，本論文將此部分定義為「實體電路盲區」。「實體電路盲區」會導致漏電，這個現象的形成是由半導體的P型與N型介面形成PN介面的二極體(Diode)導通的過程所造成的漏電現象，這會造成耗電量急遽增加，大幅超越原本的
規劃。 本論文利用電路設計階段所有的應用，思考整體架構後，使用IC實體電路設計的驗證軟體Calibre撰寫驗證程式，將這個寄生二極體導通的部分加以除錯(Debug)以避免漏電(Leakage)。
DIY聲光動作秀：用Arduino和Raspberry Pi打造有趣的聲光動態專題
為了解決基礎電子學 的問題，作者西蒙‧孟克 這樣論述：
本書將帶領你由淺入深地用Arduino和Raspberry Pi創造並控制動作、燈光與聲音，從基礎開始進行各種動態實驗和專題！ Arduino是一臺簡單又容易上手的微控制器，而Raspberry Pi則是一臺微型的Linux電腦。本書將清楚說明Arduino和Raspberry Pi之間的差異、使用時機和最適合的用途。 透過這兩種平價又容易取得的平臺，我們可以學習控制LED、各類馬達、電磁圈、交流電裝置、加熱器、冷卻器和聲音，甚至還能學會透過網路監控這些裝置的方法！我們將用容易上手、無須焊接的麵包板，讓你輕鬆開始動手做有趣又富教育性的專題。 在本書中，
你將： 1、用Arduino和線性致動器打造壓罐器。 2、用Arduino為你的盆栽澆水。 3、用LED打造個人交通號誌。 4、用Arduino打造隨機氣球爆破器。 5、用自製的恆溫冷卻器為飲料降溫。 6、理解並應用PID控制演算法。 7、用Raspberry Pi打造會隨Twitter發文舞動的布偶派對！ 學習控制機械裝置與系統，接著進入物聯網（IoT）的世界，連結今日最尖端的科技吧！ 本書特色 ◎清楚說明Arduino和Raspberry Pi之間的差異、使用時機和最佳用途！ ◎從基礎開始，熟悉並完成各種動作、燈光與聲音實驗專題。 ◎詳細製
作步驟與程式說明，輔以全彩圖表與照片，清晰易懂！ ◎學習控制LED、各類馬達、加熱器、冷卻器和聲音等裝置，以及透過網路監控裝置的方法！
用於微波輻射計之高增益低雜訊放大器設計
為了解決基礎電子學 的問題，作者張嘉文 這樣論述：
本論文旨在設計製作低雜訊、高增益之低雜訊放大器，並利用低雜訊放大器進行微波輻射計系統的組合與量測，以應用於量測人體皮下溫度。吾人透過低雜訊放大器的特性作為微波輻射計系統前端放大電路，以降低雜訊對微波輻射計系統之量測影響，並冀望較高之增益使微弱熱輻射訊號放大至足夠提供功率檢測器進行轉換，本文使用兩種不同製程之電路實現低雜訊放大器，並進行微波輻射計系統的架設與量測。製作本文之低雜訊放大器時，吾人選用CMOS製程與HEMT製程之離散元件電晶體，CMOS製程擁有低功耗、面積小的特性，而HEMT製程則擁有低雜訊指數、高轉導的特性，兩種製程各有其優點，電路設計操作於較不受其他頻段干擾之GPS頻段
1.575 GHz，在最後以全功率輻射計架構進行微波輻射計系統製作與量測。 積體電路形式之低雜訊放大器採用台積電TSMC 0.18 µm RF CMOS製程，微波頻段之放大器電路透過疊接的方式預防出現寄生電容所會產生的米勒效應，並串接二級電路完成低雜訊放大器，以達到在單顆晶片上高增益、低雜訊指數、小面積與低功耗這些目標。晶片於台灣半導體研究中心進行量測，於VDD使用0.6 V、VB使用0.7 V時，量測得的S11為-14.7 dB，S22為-12.96 dB，S21為15.40 dB，雜訊指數為3.27 dB，IIP3計算約為-3.5 dBm，功率消耗約為1.98 mW，研究發現當電源電
壓高至1 V時晶片產生振盪。 離散式元件採用的是Avago公司的ATF-55143電晶體，以及Murata公司所生產的晶片電阻、電容與電感，以印刷電路板方式實現混成式低雜訊放大器製作，電路採用的是單級共源級架構，並使用L型匹配電路搭配電感退化性放大器架構實現設計，電路使用ADS模擬軟體進行模擬設計，實作電路經匹配後測得S11與S22為-5.3 dB、-20 dB，S12為-19.2 dB，S21為10.2 dB，雜訊指數約為1.2 dB。 由於設計之ATF-55143混成式低雜訊放大器性能不佳，改使用ATF-54143製作之低雜訊放大器進行全功率輻射計之架設與量測。由兩個低雜訊放大
器、一個帶通濾波器形成前端電路，再輸出至功率檢測器轉換直流電壓。全功率輻射計使用射頻訊號產生器直接輸入進行量測，輸入由-65 dBm開始至-15 dBm，量測發現全功率輻射計系統可以順利的將射頻訊號轉換直流電壓，其系統轉換射頻訊號與直流電壓成對數關係，且在輸入訊號大於-50 dBm時，系統輸出的直流電壓有明顯成長。使用低雜訊放大器做為微波輻射計之放大級，如能將接收的人體熱輻射訊號放大至足夠功率檢測器轉換，即可以透過微波輻射計系統對溫度進行分析，研究發現若低雜訊放大器設計良好之情況下其效能可以符合微波輻射計系統之需求。