博士論文計畫書的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

研究生完全求生手冊：方法、秘訣、潛規則

為了解決博士論文計畫書的問題，作者彭明輝 這樣論述：

如何用別人的智慧解決你的問題！ 《生命是長期而持續的累積》作者彭明輝新作，教你掌握知識經濟時代的核心能力 　　 　　彭明輝〈學術文獻回顧與分析的程序與技巧〉，一篇震撼海峽兩岸大學的文章，網站點閱超過100萬次！ 　　北京四大高校的博士生為它舉辦了一次跨校討論會，一個學術研討會將它印給全體與會者。 　　新竹的國立交通大學圖書館連續兩年邀彭明輝演講並錄影，很多實驗室都把這錄影帶列為「新生必看」。 　　本書《研究生完全求生手冊：方法、秘訣、潛規則》即由該文延伸而成，是國內外指導教授不會教、攸關碩博士生研究成敗的要領！ 　　 　　用別人的智慧，解決自己的問題 　　 　　彭明輝《研究生完全求生

手冊》的寫作目標聚焦在碩、博士生所需要的基本能力，以及畢業前所需要的研究方法、訣竅與潛規則，而不奢談更高深的創意或研究方法。 　　 　　此外，為了讓這些方法易學、易用，彭明輝還把不可捉摸的研究方法與創意精煉成一套「研究工作DIY」的分解動作，引導讀者由淺入深，逐步掌握文獻回顧、批判性思考與創新的要領，讓他們可以只靠前人的智慧就生產出不錯的碩士論文，但又為讀者的個人天分保留充分的發揮餘地。 　　 　　最重要的是這項研究能力還可以轉化為終生受用的核心能力，讓你的工作、人生邁向更高的境界。 　　 　　本書最佳使用指南 　　 　　《研究生完全求生手冊》有兩種可能的用法：其一碩士生自己培養研究能力或博士

生和研發工程師提升研究能力的工具書；其二是研究所新生訓練或企業界研發單位新人訓練的教材。 　　 　　起步 　　第1章介紹研究所可以學到的能力，以及它們如何讓人「終生受用」； 　　第2章區辨學術論文的良窳，讓讀者知道自己要找的是怎樣的「金礦」； 　　第3章將研究工作分成十三個主要步驟，並且建議一個工作進度表，供讀者參考。如果把研究工作比喻為一趟探險之旅，這三章合起來等於是「行前說明」。 　　 　　如何進行研究工作 　　第4章談如何選指導教授； 　　第5章到第16章討論選題、總覽式文獻回顧、彙整批判性思考的要領與原則、創新的策略、十倍速文獻回顧的要領、研究規劃與風險控管、盤點研究成果與鞏固深化、論

文寫作，以及口試委員的期待。 　　這十三章就是《研究生完全求生手冊》的核心。 　　看似遺漏的一章是關於論文研究計畫書的撰寫，它是很多博士生和少數碩士生資格考的項目之一，但是絕大多數碩士生不需要寫論文研究計畫書，作者把它放在書末的〈附錄1：碩、博士論文計畫書〉。 　　 　　學術界、產業界如何相互為用 　　第17章談研究所核心能力在職場與人生重大事件裡的轉化與活用； 　　第18章談台灣這種後進、小國較適用的低成本、低耗時、低風險、高產出研發策略； 　　第19章討論學界如何跨越產學鴻溝。 　　這本書所介紹的研究能力不僅對研究生有用，還可以轉化為對台灣產業界與制度設計非常有參考價值的能力，用以促成產業

升級。 　　 　　《研究生完全求生手冊》下筆力求流暢、易懂，用具體案例來深化讀者的吸收。本書強調方法論層次的觀念、要領和潛規則，目的在掌握建立讀者文獻回顧、自我批判與創新的能力，並且避免用瑣碎的技術性細節和規範來糾絆讀者的理解。 　　 學術界‧產業界大力推薦 　　 　　治學的人，世界很小，也很大。說小就是研究室，說大卻是全世界，彭教授的書，告訴我們如何享受那個大世界。──朱國瑞（中央研究院院士，台大物理系特聘研究講座教授） 　　 　　彭教授這本書的重點不在於文憑高分、也不在於如何進入有名的公司。它是一本透過科學精神、科學方法教導如何培養自我能力與獨立思考的書。──楊光磊（台積電研發中心處長）

　　 　　《研究生完全求生手冊》撰寫雖從研究生角度出發，一般企業的產品或技術研發部門，若能依循本書的DIY技巧詳實操作，相信在新產品的開發上也能獲得極大的助益。──柯茂全（四零四科技公司董事） 　　 　　《研究生完全求生手冊》是一本一步步協助你學習的優異指南，讓你除了順利得到一紙文憑當作事業的敲門磚，還真正掌握探索新知的信心和力量。──黃貞祥（清華大學分子與細胞生物研究所助理教授） 　　 　　每當有研究生問我關於學術文獻分析與論文題目選取等問題時，我總是推薦他們閱讀彭老師準備給他的實驗室學生的文件。如今彭老師將這些文件內容擴充並且彙整成為專書，……書中雖然是以理工科系作為範例，然而同樣適用於數

量方法取向的經濟與財金科系的研究生以及研究人員。──何泰寬（清華大學計量財務金融學系教授） 　　 　　如果我在出國前就讀過這一本書，將會更懂得如何選學校、指導教授與研究題目，不會因為太在意獎學金而失去許多更好的機會。假如我在博士畢業前就讀過它，選擇職場跑道時會有更好的判斷依據，而不會浪費許多時間。──廖瑞蘋（矽谷科技公司Cisco前資深研究員） 　　 　　彭教授傾盡畢生研究、教學與產業心得，從「探索求知」一路到「務實應用」，所有心得與方法，都灌注到這本書中。字字金玉，篇篇深刻。──謝宇程（多年研究教育、人才培育的專欄／書籍作家）

好研究怎麼做：從理論、方法、證據構思研究問題

為了解決博士論文計畫書的問題，作者RobertR.Alford 這樣論述：

　　如何提出值得探究的好問題？ 　　許多研究者都同意：「好研究來自好問題」，只要問對問題，研究就成功一半；許多知識領域的突破，往往也不是因為有了什麼新發現，而是有了新的提問方式。社會學迷人之處，也在於提出眾多耐人尋味的問題。 　　然而，「如何提出好問題」卻很少受到討論。在茫茫問題大海之中，你要如何選擇適合自己的研究題目？什麼題目，可以讓你心甘情願為之投入二、三年甚至更久？在有限的時間與精力之下，你要問得多深、挖掘到什麼程度？更棘手的是，決定研究問題之後，你要如何根據證據、理論與方法進一步發展問題？ 　　這是一本解開「問題意識之謎」的書，作者以多年的研究及教學經驗，娓娓道出「好問題」的形成過

程，以及「好研究」必須面對的種種挑戰。更特別的是，本書討論了許多人都曾經歷、但很少被認真看待的「研究焦慮」。 　　透過這本書，你將了解真實的研究是怎麼一回事；同時也將發現，在學術的旅途上，你並不孤單；你的煩惱與焦慮，其實有更正面的因應之道。 本書特色 　　分析經典著作：以涂爾幹、韋伯和馬克思的著作為例，示範理論和方法的整合，以及多重探究典範的創意使用。 　　討論研究中的焦慮：探討了每個人都會經歷但卻很少人討論的「研究焦慮」 　　分析不同典範的著作：以多變項、詮釋、歷史三種典範的經典著作為例，分析這些著作如何提問，還告訴讀者如果換成另外一種研究典範，會問什麼不一樣的問題，分析的著作包括《精神病院

》、《第二輪班》、《獨裁與民主社會的起源》、《自殺論》、《新教倫與與資本主義精神》、《霧月十八的路易波拿巴》、《種族重要性的衰微》、《美國種族隔離》、《法國的工作與革命》 　　實際操作示範：以「福利國家」及「革命」兩個議題的實際操作為例，一步一步示範如何運用多重典範設計研究與論證 　　詳細而豐富的延伸閱讀書單：列出了社會科學哲學、社會學理論、女性主義理論與方法論、研究方法、歷史理論化、歷史社會學、探究的技藝等等領域的重要著作。 　　譯文精良：本書由擁有豐富翻譯經驗，本身同時也是學術研究者的王志弘教授翻譯，譯文品質精良、正確性高。 作者簡介 Robert R. Alford（1929-2003）

　　紐約市立大學社會學特聘教授1929年出生於加州，1946年進入加州大學柏克萊分校就讀，熱心於學運與工運。畢業後，有感於當時的學術生活未能促進社會變遷，因而離開學院，到卡車工廠工作，同時投入美國汽車產業工會，在工會裡成為活躍分子。1957年重返柏克萊，攻讀社會學博士學位。曾任教於威斯康辛大學、加州大學、紐約市立大學。除了社會學專長之外，Alford也熱愛音樂，自小即擁有鋼琴天份，投入學術生涯之後，依然持續彈琴，後來更與他人合寫鋼琴的音樂評論。2003年因癌症過世，享年74歲。 　　Alford為美國傑出學者，聲譽卓著，曾獲美國社會學會頒發傑出教學貢獻獎。《好研究怎麼做》為其畢生從事社會學研

究與方法論教學心得之菁華，出版不久即成為社會學方法論經典，廣受引用。另著有《政黨與社會》(Party and Society, 1963)以及《醫療的政治：對改革的意識形態與利益團體阻礙》 (Health Care Politics: Ideological and Interest Groups Barriers to Reform, 1977)，前者為研究英語系國家投票行為經典之作，後者則榮獲社會學最高榮譽米爾斯獎。 譯者簡介 王志弘 　　台灣大學建築與城鄉研究所副教授　　世新大學社會發展研究所與傳播研究所兼任教授

以電化學沉積法製備氧化亞銅/氧化鋅和磊晶異質結構的導電特性研究

為了解決博士論文計畫書的問題，作者林珈嬅 這樣論述：

本研究以定電位法在硫酸銅和乳酸鍍液中，於多晶銀基板上沉積氧化亞銅薄膜，以及在硝酸鋅和硝酸鉀鍍液中，以定電流法於多晶銀基板上沉積氧化鋅薄膜，並進一步製備與分析氧化亞銅/氧化鋅的異質結構。在電化學沉積氧化亞銅薄膜時，探討不同電位下沉積的氧化亞銅薄膜的成分對導電特性影響，在電化學沉積氧化鋅時，探討硝酸鋅和硝酸鉀濃度對氧化鋅磊晶成長與結晶形貌的影響。透過線性掃描伏安法選擇沉積電位，以Mott-Schottky法量測載子濃度，量測I-V曲線求得電阻率，透過X光電子能譜分析鍍層成分，以背向電子散射繞射分析基板與薄膜的結晶方位與晶向關係，由光致螢光光譜探討薄膜的發光特性與結晶品質。結果顯示，在pH 9的鍍

液中，隨著沉積電位的提升，氧化亞銅的電阻率初期僅在600~1000 -cm之間微幅變化，直到沉積電位增至-0.25 V之後，電阻率才驟然升至2000 -cm。在pH 12的鍍液中，隨著沉積電位的提升，氧化亞銅的電阻率初期都在600~800 -cm之間微幅變化，直到沉積電位增至-0.45 V之後，電阻率才驟然升至1200 -cm。利用X光光電子能譜定量分析，發現在pH 9和pH 12的鍍液中沉積的薄膜銅氧比均大於計量比，透過光電子能譜中的Cu LVV歐傑電子能譜更發現有零價銅的存在。在pH 9的薄膜中的過量銅每上升0.1 mol%，電阻率約上升26.0 -cm，而在pH 12的薄膜中的

過量銅每上升0.1 mol%，電阻率約上升3.2 -cm。由Mott-Schottky法分析得知氧化亞銅薄膜均為p-type，在pH 9沉積的薄膜載子濃度介於3.6×1016 cm-3~1.5×1017 cm-3之間，而在pH 12沉積的薄膜載子濃度則在1.4×1017 cm-3~7.8×1017 cm-3之間。此外，pH 9沉積的薄膜載子遷移率隨著過量銅的上升，最高的0.2 cm2V-1s-1驟降至0.03 cm2V-1s-1，而pH 12沉積的載子遷移率則由0.05 cm2V-1s-降到0.01 cm2V-1s-1。於ITO與銀基板上同樣發現，在pH 12沉積的薄膜，電阻率皆略低於pH

9薄膜的電阻率，但是在ITO基板所沉積的薄膜，其電阻率皆遠高於於銀基板上的沉積結果。二者經過400oC的紅外線真空退火後，Cu2O/ITO和Cu2O/Ag薄膜的電阻率最多分別下降40%和70%，且由截面的EBSD分析可知，在ITO基板上沉積的氧化亞銅薄膜為多晶結構，因此確定晶界是造成氧化亞銅薄膜導電率劣化的主要原因之一。利用電化學沉積法，製備氧化亞銅/氧化鋅異質結構於銀基板上，觀察到磊晶氧化亞銅上沉積的氧化鋅均為多晶結構，且異質結構在黑暗中及照光下的I-V特性曲線並無差異。然而，在磊晶氧化鋅上成長的氧化亞銅，可以三種方位關係磊晶成長：1. {0002}ZnO//{123}Cu2O, ZnO/

/Cu2O2. {0002}ZnO//{123}Cu2O, ZnO//Cu2O3. {0002}ZnO//{111}Cu2O, ZnO//Cu2O