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半導體廢氣處理設備的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包
半導體廢氣處理設備的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦顏登通 寫的 高科技廠務(第五版) 和李克駿,李克慧,李明逵的 半導體製程概論(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站半导体废气制程排放_图文(精) - 搜档网也說明：半导体废气 制程排放_图文(精)的内容摘要：半導體廠製程排氣系統魏振翼,彭淑惠, ... 風管: 提供廢氣源至處理設備間之銜接管路包含轉接頭、彎頭和調節風門、法蘭和必要之.
這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。
國立雲林科技大學 環境與安全工程系碩士班 謝祝欽所指導 鄭鎮杰的 氧化洗滌技術處理半導體廢氣中甲苯與單甲基醚丙二醇之研究 （2003），提出半導體廢氣處理設備關鍵因素是什麼，來自於UV/H2O2程序、VOCs、氧化洗滌。
而第二篇論文國立雲林科技大學 環境與安全工程系碩士班 謝祝欽所指導 莊淳元的 運用沸石吸附半導體揮發性有機物丙酮、單甲基醚丙二醇及乙酸甲氧基異丙酯控制技術之評估研究 （2003），提出因為有 沸石吸附、半導體、疏水性、揮發性有機物的重點而找出了 半導體廢氣處理設備的解答。
最後網站環保類 - 臺北市法規查詢系統則補充：函詢半導體製造業現地式處理設備是否應依「半導體製造業空氣污染管制及排放標準」 ... 二、公私場所以現地式處理設備處理製程廢氣，再經後端濕式洗滌塔處理，因現地式 ...
高科技廠務(第五版)
為了解決半導體廢氣處理設備 的問題，作者顏登通 這樣論述：
這些年來光電、生物科技迅速掘起加速更新，半導體也推陳出新挑戰極限，而這些改變則是需要嚴格的生產廠房及研發環境，但在目前市面是並無以有系統介紹建立高科技廠房的專業案頭書，有鑑於此，作者將二十多年來在高科技產業的執行及顧問經驗，將所有的廠務系統作全面有秩序的整理編寫。本書共分為十三大章，內容涵蓋了潔淨室和廠務之八大系統，除此之外有風險管理和建廠工程之規劃內容和執行原則介紹，本書的內容偏重實務之應用面和執行面。本書適合科大電機系、能源與冷凍空調工程系「半導體廠務」、「半導體與光電廠務設施」課程使用。 本書特色 1.次世代半導體產業和新世代光電產業建廠廠務和潔淨室系統之
最新資料和科技技術。 2.經驗和實務及運轉之技術和專業精華，不侷限理論而著重實務。 3.涵蓋廠務之所有系統和建廠工程實務規劃，將所有系統濃縮於一冊，便於研讀參考。
氧化洗滌技術處理半導體廢氣中甲苯與單甲基醚丙二醇之研究
為了解決半導體廢氣處理設備 的問題，作者鄭鎮杰 這樣論述：
半導體工業生產製程中使用化學溶劑種類相當如異丙醇(IPA)、丙酮(acetone)等，在過程中容易造成大量揮發性有機物(Volatile Organic Compounds, VOCs)排放於至環境中。常用有機廢氣的處理方法有焚化法、吸附法、吸收法等，其中濃縮焚化法會消耗大量燃料、操作成本高；活性碳吸附需經常換新碳維持費用高昂。依據環保署（2003）統計各行業VOCs的控制設備使用情形顯示以填洗滌塔最多，其他如固定床吸附式設備、沸石轉輪濃縮設備。氧化洗滌法具有設置及操作費用低、VOCs高去除率之優點，但亦有氧化劑費用高、氧化不完全致循環洗滌液需後續處理(包括後續化學氧化或生物處理)等缺點或顧
慮，而為推廣此法應用於半導體事業排氣處理，需進一步深入研究。本研究使用之氧化洗滌設備由隔板式洗滌塔、氧化塔兩部分組成，其內部可置入UV燈管。隔板式洗滌塔主體為高270 cm ×長20 cm ×寬5 cm，氧化塔則為高220 cm × 內徑15 cm 之不鏽鋼材質所組成，研究中針對半導體業使用之光阻劑單甲基醚丙二醇（propylene glycol monomethyl ether acetate, PGME）及一般常用溶劑甲苯(toluene)進行半批次氧化實驗探討，實驗中針對不同參數如：水位高度、H2O2濃度等對VOCs廢氣處理效率之影響進行探討。並探討UV/H2O2氧化洗滌設備中不同廢氣濃
度、氣液比下VOCs廢氣之去除效率。批次式氧化塔實驗中在不同水深下處理含甲苯廢氣中，各個程序之廢氣去除率及水中污染物氧化情形比較結果為UV/H2O2程序＞單獨UV程序＞無添加程序，且UV/H2O2程序隨著水深增加其廢氣去除率及水中氧化情形有上升的現象。比較兩種不同波長UV185 nm與UV254 nm搭配H2O2在不同水深下處理情形，以波長UV185 nm的處理效率較UV254 nm波長為佳。處理含單甲基醚丙二醇之廢氣中各程序皆維持在89-91 %的高去除效率，而UV/H2O2程序的加入對於其廢氣處理效果的提升並不顯著。甲苯批次式氧化塔反應中各程序氧化機制之反應常數，無添加程序、H2O2程序之
k值為0.13、 0.10，至於UV程序中UV254 nm與UV185 nm其k值各約為0.22及0.31。而在UV/H2O2程序中，UV254 nm與UV185 nm其k值各約為0.56及0.7，可以看出KOH ＞ KUV ＞ KO。氣體污染物傾向於存在於水體或揮發至大氣中多以亨利常數作為指標，甲苯亨利常數為2.93 × 10-3 atm-m3/mole屬於液膜控制（liquid film control），在本研究中無添加程序的k值可視為污染物由氣相至液相的質傳係數約為0.13，而UV/H2O2程序的加入有助於其由氣相至液相的質傳。單甲基醚丙二醇亨利常數為9.2×10-7 atm-m3/m
ole屬於氣膜控制（gas film control），傾向於存在於水體中不易從水體中揮發之大氣中，污染物由氣相至液相的質傳不受抑制，因此對於單甲基醚丙二醇具有高去除效率。氧化洗滌設備處理含有甲苯廢氣之過程中，甲苯濃度在高濃度下處理效果較低濃度為佳，而在UV/H2O2氧化洗滌設備操作過程中，高空塔流速5.4 m/sec下處理效率僅有10 %，較低空塔流速3.3 m/sec時處理效率則有40 %，而H2O2氧化劑的批次式加藥可提升其處理過程中降低的去除率，而其氧化劑的加入亦能有效降低水中甲苯的濃度。處理含有單甲基醚丙二醇廢氣之過程中，在相同液氣比中高濃度範圍170 - 270 ppm的單甲基醚丙
二醇相較於低濃度範圍85 - 120 ppm，UV/H2O2程序無法有效處理水中之單甲基醚丙二醇。H2O2氧化劑的加藥對於在廢氣去除率並不影響，而水中單甲基醚丙二醇濃度因H2O2氧化劑一直能提供適當之劑量因此其變化亦不明顯。
半導體製程概論(第四版)
為了解決半導體廢氣處理設備 的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：
全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識
。 3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。
運用沸石吸附半導體揮發性有機物丙酮、單甲基醚丙二醇及乙酸甲氧基異丙酯控制技術之評估研究
為了解決半導體廢氣處理設備 的問題，作者莊淳元 這樣論述：
半導體或光電產業VOCs廢氣之特性包括：(1)廢氣中含大量水份。(2)濃度低，風量大。(3)揮發性有機物質成分種類繁多複雜。常用的 VOCs 控制技術包括：吸附、焚化、吸附+焚化 （沸石濃縮轉輪焚化法）、洗滌塔及冷凝法等(Cooper, Alley，1996；環保署， 2003)，吸附法可處理低濃度 VOCs 廢氣，經飽和後又可經再生循環使用等優點，沸石 (Zeolite) 具有高吸附量、固定大小的孔徑且可具疏水性與耐高溫及耗損，易於再生循環使用等特色，深具研究價值。運用沸石吸附處理 VOCs 廢氣的成效雖好，但如遇到具高沸點特性 VOCs (如DMSO、PGMEA、MEA、HMDS) 則會
吸附於沸石表面使其無法脫附，且沸石多仰賴國外進口，價格較活性碳昂貴導致無法普遍使用等缺點，為有效將此控制技術應用於高科技產業 VOCs 廢氣處理，實有進一步研究之需。本研究主要係針對具疏水性的沸石吸附劑進行評估測試且自行製作疏水性沸石吸附劑，分析沸石的特性並針對半導體和光電產業中常見的 VOCs ：丙酮 (Acetone) 與具高沸點特性的 VOCs ：單甲基醚丙二醇 (Propylene Glycol Methyl Ether, PGME) 及乙酸甲氧基異丙酯 (Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate, PGMEA) 進行吸附實驗，針對其吸附過程中
的現象進行研究，並對運用沸石吸附 VOCs 的特性與影響因子進行探討。由吸附/再生實驗結果得知，由模場試樣二沸石對於三種 VOCs 的吸附量依序為：PGME (0.06 g/g ~ 0.042 g/g)＞Acetone (0.026 g/g ~ 0.016 g/g)＞PGMEA (0.023 g/g ~ 0.015 g/g)。而本研究自製的沸石吸附劑對此三種 VOCs 的吸附量依序為：PGMEA (0.162 g/g ~ 0.143 g/g)＞Acetone (0.116 g/g ~ 0.059 g/g)＞PGME (0.114 g/g ~ 0.057 g/g)，因PGMEA的分子量較大(MW
=132.2 g/mole)且其分子結構的支鏈較長，因此其吸附量為最高；反觀 Acetone 與 PGME 的吸附量較為接近，其可能原因為丙酮的離子鍵結強度略大於單甲基醚丙二醇，導致沸石吸附丙酮的能力略優於單甲基醚丙二醇。此外，沸石具有耐高溫、可多次脫附再生等特色，反而其吸附能力並非為重點。由等溫吸附實驗結果得知， Langmuir 等溫吸附方程式較適合描述沸石的吸附行為。