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降低銅晶圓缺陷之鹼性化學機械研磨後清洗液優化配方研發

為了解決化工系排名學測的問題，作者黃政鈞 這樣論述：

化學機械研磨(Chemical mechanical planarization, CMP)製程廣泛使用在半導體製造業，是一項重要的平坦化技術，尤其在先進製程，CMP製程更是不可或缺的關鍵技術。然而這項關鍵技術在無塵室卻是一項高污染性的製程，因為在CMP製程中，會使用到研磨液(Slurry)，研磨液本身含有許多成分，其中像是研磨粒子(Abrasive)、抑制劑(Inhibitor)、螯合劑、界面活性劑等等，都很容易在CMP後對晶圓表面造成一些缺陷，或是殘留在晶圓上，而且在研磨過程中，被研磨的金屬材料(如銅薄膜，Copper film)也會造成一些金屬污染。這些污染物若是不清除掉，不但會使後續

製程受到影響，造成局部區域無法依照設計製作出元件，而且最終電性會受到影響，進而影響到晶圓良率、元件品質及可靠度。因此，化學機械研磨後的清洗程序就顯得非常重要。化學機械研磨後清洗(Post CMP cleaning)的目的在於減少晶圓表面總體缺陷，以達到可接受的範圍。本研究之主要目的在利用不同的螯合劑搭配界面活性劑及有機溶劑來達到整體缺陷減少的結果，並探討清洗機台之參數對整體缺陷的影響，再利用分析儀器觀察殘留於晶圓的污染物、晶圓的表面粗糙度及表面氧化層的狀態。在銅製程化學機械研磨(Cu CMP)中，研磨液顆粒主要是二氧化矽(SiO2)及氧化鋁(Al2O3)，在界面電位(Zeta potentia

l)分析的結果顯示，SiO2及Al2O3在鹼性環境下比較容易清除，在pH值12左右時，界面電位達到最低；在清洗機台參數中，主要調整了刷子轉速(Brush speed)、刷子間隙(Brush gap)及去離子水流量(DIW flow rate)，結果以刷子轉速影響最明顯，刷子間隙(Brush gap)次之，而去離子水流量影響不明顯；螯合劑方面選用含有羧基(R-COOH)及胺基(R-NH2)的螯合劑進行比較，而官能基團的數量選用2、3及4個，其中含胺基的螯合劑與含羧基的螯合劑相比有較好的缺陷移除效果、較高的蝕刻速率及表面粗糙度，官能基團的數量則是數量愈多，移除效果愈好。另外，螯合劑的濃度對降低整體

缺陷也有明顯的效果，但是含胺基的螯合劑在濃度過高的清況下，表面粗糙的缺陷會隨濃度上升而增加，造成整體缺陷數量上升；添加界面活性劑可以有效降低整體缺陷及保護晶圓表面，但是添加濃度太高時反而會因為殘留有機污染物增加的數量超過其他缺陷減少的數量而造成整體缺陷上升。在接觸角及電化學的測試中，可以發現苯並三唑(BTA)吸附在不同的銅表面時，對銅表面的保護能力有所差別。吸附在純銅表面時，腐蝕電流及腐蝕速率是吸附在有氧化層的銅表面的一半以下，但也相對更難去除掉。以接觸角量測以及電化學Tafel分析的方式可以簡單的預測BTA的移除效率。

偏遠學校教師幸福感與離職傾向之關係研究－以學校組織氣氛為調節變項

為了解決化工系排名學測的問題，作者邱齡瑩 這樣論述：

本研究旨在探討偏遠地區國小教師幸福感、學校組織氣氛對離職傾向之影響；並瞭解教師的離職傾向在教師幸福感、學校組織氣氛等變項交互作用下之調節效果。本研究以南投縣偏遠地區國小教師為研究對象，採問卷調查方式，對254名教師進行施測，回收問卷254份，扣除無效問卷1份，有效問卷為253份，問卷有效率為99.6%，並運用SPSS統計軟體進行探索性因素分析、信度分析、描述性統計分析、獨立樣本t檢定、單因子變異數分析、皮爾森積差相關分析以及階層迴歸分析。研究結果發現偏遠地區國小教師不同性別在學校組織氣氛的專業分享構面達顯著差異；不同年齡、婚姻狀況、兼任職務、服務年資、原生地皆在幸福感的生活滿意度構面及負向情

緒構面中有顯著差異；不同的婚姻狀況在學校組織氣氛中的工作督導構面、阻礙教學構面及離職傾向構面達顯著差異；不同的原生地在疏離隔閡構面達顯著差異；教師幸福感對離職傾向之影響會受學校組織氣氛中的親和支持、工作督導與同事情誼構面產生負向影響，而阻礙教學、疏離隔閡構面則對離職傾向具有顯著的正向影響，表示學校組織氣氛在教師幸福感對離職傾向之間具有調節效果。最後，本研究根據研究結果對教育行政主管機關、偏遠地區國小、偏遠地區國小教師及未來研究者提出相關建議。