功率密度的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

鋰離子電池電極材料

為了解決功率密度的問題，作者伊廷鋒,謝穎 這樣論述：

　　鋰離子電池因其具有比能量大、自放電小、重量輕和環境友善等優點而成為行動式電子產品的理想電源，也是電動汽車和混合電動汽車的首選電源。因此，鋰離子電池及其相關材料已成為世界各國科研人員的研究熱門議題之一。 　　鋰離子電池主要由正極材料、負極材料、電解液和電池隔膜四部分組成，其性能主要取决於所用電池內部材料的結構和性能。而電極材料决定着電池的性能，同時也决定電池50%以上的成本。 　　本書結合作者多年來電化學及化學電源科研與教學經驗，介紹了各類電極材料以及電極的制備方法與結構，着重介紹了高性能鋰離子電池正極的設計與功能調控，包括了：層狀電極材料、尖晶石電極、磷酸鹽正極材料

、矽酸鹽正極材料、碳負極材料、鈦基電極材料以及鈦酸鋰電極材料等多種電極材料的設計與性能。適宜從事電池電極設計與製造的科研及技術人員參考。

功率密度進入發燒排行的影片

異質元素摻雜還原氧化石墨烯電極於儲能裝置之應用研究

為了解決功率密度的問題，作者古安銘 這樣論述：

儲能技術超級電容器的出現為儲能行業的發展提供了巨大的潛力和顯著的優勢。碳基材料，尤其是石墨烯，由於具有蜂窩狀晶格，在儲能應用中備受關注，因其非凡的導電導熱性、彈性、透明性和高比表面積而備受關注，使其成為最重要的儲能材料之一。石墨烯基超級電容器的高能量密度和優異的電/電化學性能的製造是開發大功率能源最緊迫的挑戰之一。在此，我們描述了生產石墨烯基儲能材料的兩種方法，並研究了所製備材料作為超級電容器裝置的電極材料的儲能性能。第一，我們開發了一種新穎、經濟且直接的方法來合成柔性和導電的 還原氧化石墨烯和還原氧化石墨烯/多壁奈米碳管複合薄膜。通過三電極系統，在一些強鹼水性電解質，如 氫氧化鉀、清氧化鋰

和氫氧化鈉中，研究加入多壁奈米碳管對還原氧化石墨烯/多壁奈米碳管複合薄膜電化學性能的影響。通過循環伏安法 (CV)、恆電流充放電 (GCD) 和電化學阻抗譜 (EIS) 探測薄膜的超級電容器行為。通過 X 射線衍射儀 (XRD)、拉曼光譜儀、表面積分析儀 (BET)、熱重分析 (TGA)、場發射掃描電子顯微鏡 (FESEM) 和穿透電子顯微鏡 (TEM) 對薄膜的結構和形態進行研究. 用 10 wt% 多壁奈米碳管(GP10C) 合成的還原氧化石墨烯/多壁奈米碳管薄膜表現出 200 Fg-1 的高比電容，15000 次循環測試後保持92%的比電容，小弛豫時間常數（~194 ms）和在2M氫氧化

鉀電解液中的高擴散係數 (7.8457×10−9 cm2s-1)。此外，以 GP10C 作為陽極和陰極，使用 2M氫氧化鉀作為電解質的對稱超級電容器鈕扣電容在電流密度為 0.1 Ag-1 時表現出 19.4 Whkg-1 的高能量密度和 439Wkg-1 的功率密度，以及良好的循環穩定性:在，0.3 Ag-1 下，10000 次循環後，保持85%的比電容。第二，我們合成了一種簡單、環保、具有成本效益的異質元素（氮、磷和氟）共摻雜氧化石墨烯（NPFG）。通過水熱功能化和冷凍乾燥方法將氧化石墨烯進行還原。此材料具有高比表面積和層次多孔結構。我們廣泛研究了不同元素摻雜對合成的還原氧化石墨烯的儲能性能

的影響。在相同條件下測量比電容，顯示出比第一種方法生產的材料更好的超級電容。以最佳量的五氟吡啶和植酸 (PA) 合成的氮、磷和氟共摻雜石墨烯 (NPFG-0.3) 表現出更佳的比電容（0.5 Ag-1 時為 319 Fg-1），具有良好的倍率性能、較短的弛豫時間常數 (τ = 28.4 ms) 和在 6M氫氧化鉀水性電解質中較高的電解陽離子擴散係數 (Dk+ = 8.8261×10-9 cm2 s–1)。在還原氧化石墨烯模型中提供氮、氟和磷原子替換的密度泛函理論 (DFT) 計算結果可以將能量值 (GT) 從 -673.79 eV 增加到 -643.26 eV，展示了原子級能量如何提高與電解質

的電化學反應。NPFG-0.3 相對於 NFG、PG 和純 還原氧化石墨烯的較佳性能主要歸因於電子/離子傳輸現象的平衡良好的快速動力學過程。我們設計的對稱鈕扣超級電容器裝置使用 NPFG-0.3 作為陽極和陰極，在 1M 硫酸鈉水性電解質中的功率密度為 716 Wkg-1 的功率密度時表現出 38 Whkg-1 的高能量密度和在 6M氫氧化鉀水性電解質中，24 Whkg-1 的能量密度下有499 Wkg-1的功率密度。簡便的合成方法和理想的電化學結果表明，合成的 NPFG-0.3 材料在未來超級電容器應用中具有很高的潛力。

5G移動終端天線設計

為了解決功率密度的問題，作者林輝 這樣論述：

5G移動終端天線設計圍繞移動終端天線理論基礎和工程設計實務，系統地介紹了移動終端天線的基礎理論、基本技術、發展趨勢和常見的解決問題的方法。先介紹了移動終端天線的發展歷程以及應用於移動終端天線設計的基本理論和評價措施。其次，通過實例介紹了移動終端天線的設計和常見問題的解決方法。 之後，介紹了新的移動終端天線技術發展趨勢，並對移動終端天線的相關法規進行了闡述。5G移動終端天線設計系移動終端天線設計專業基礎書籍，取材新穎，內容翔實，集成了近年來移動終端天線領域中理論和應用的重要成果，可作為移動終端天線研發工程師及高等院校相關專業學生的參考書或培訓教材，也可作為有志從事移動終端天線行業人員的入門讀物

。 第1章 簡介 1 1．1　無線通訊技術發展簡介 1．2　移動終端天線發展簡介 1．3　常用指標 1．3．1　工作頻率 1．3．2　電壓駐波比與回波損耗 1．3．3　天線效率 1．3．4　方向性係數 1．3．5　增益 1．3．6　極化 1．3．7　頻寬 1．3．8　埠隔離度 1．3．9　包絡相關係數 1．3．10　全向輻射功率與全向靈敏度 1．4　移動終端天線分類 參考文獻 第2章 移動終端天線基礎 2．1　需要天線淨空的天線 2．1．1　單極子天線 2．1．2　倒 F 天線 2．1．3　環天線 2．2　不需要天線淨空的天線 2．3　地板的影響 2．3．1　地板長度對頻

寬的影響 2．3．2　地板長度對輻射方向圖的影響 2．4　阻抗匹配設計 2．4．1　史密斯圓圖 2．4．2　單個元件構成的阻抗匹配網路 2．4．3　兩個元件構成的阻抗匹配網路 2．4．4　多個元件構成的阻抗匹配網路 2．4．5　匹配電路實例 2．4．6　匹配器件損耗 參考文獻 第3章 手機金屬邊框天線實例 3．1　口徑調諧電壓問題 3．2　耦合載入的阻抗調諧天線 3．3　假諧振問題分析 3．3．1　螢幕 FPC 造成的假諧振 3．3．2　揚聲器造成的假諧振 參考文獻 第4 章 移動終端天線互耦問題 4．2　2ub6 天線簡介 4．2　sub6 天線佈局應用 4．3　sub6 天線的2新技術

介紹 4．3．1　多天線耦合的形成機制 4．3．2　多天線去耦合技術 4．4　多天線耦合的影響實例 參考文獻 第5章 可重構天線 5．1　頻率可重構技術 5．1．1　阻抗調諧 5．1．2　口徑調諧 5．2　方向圖可重構技術 5．3　有源器件 參考文獻 第6章 毫米波天線陣列 6．1　OTA 性能指標 6．2　天線陣列原理 6．2．1　線陣的陣因數 6．2．2　N 元等幅等距線陣 6．2．3　二元陣 6．2．4　N 元等幅線陣方向性係數 6．2．5　波束掃描 6．3　貼片天線 6．3．1　貼片形狀 6．3．2　介質襯底 6．3．3　饋電結構 6．3．4　寬頻技術 6．4　模擬設計 6．4．1

　單個毫米波天線模組模擬設計 6．4．2　終端中毫米波天線模組模擬設計 6．5　OTA 測試 6．5．1　直接遠場測量法 6．5．2　間接遠場測量法 6．5．3　近場遠場轉化法 6．6　新型材料傳輸線 6．6．1　帶狀線介紹 6．6．2　帶狀線模擬 6．6．3　常用材料 6．7　封裝天線技術 6．7．1　發展歷程 6．7．2　介質材料 5G　移動終端天線設計 6．7．3　工藝 6．7．4　天線類型 參考文獻 第7章 移動終端輻射測試 7．1　OTA 性能規定 7．1．1　測試用例 7．1．2　人手模型 7．1．3　測量限值 7．2　電磁輻射暴露限值 7．2．1　比吸收率 7．2．2　功率密度

7．2．3　共發 7．3　降 SAR 和 PD 措施 7．3．1　觸發機制 7．3．2　降發射功率方式 參考文獻 附錄　A 3GPP 規範的 5G NR 和 LTE 頻段資訊 附錄　B 蜂窩網路典型的傳導目標值 附錄　C 移動終端天線實物圖片

結合Breath Figure 週期性液滴透鏡之奈米雷射直寫加工技術

為了解決功率密度的問題，作者黃彬勝 這樣論述：

　本研究為利用液滴透鏡輔助奈秒雷射於矽基板上加工奈米結構。開發的技術重點是利用Breath Figure法生成的高分子薄膜微孔模板，並在此模板上浸潤甘油來形成微米尺度之液態透鏡陣列，做為雷射二次聚焦之透鏡，再結合雷射熔融基板材料形成微奈米結構的製造技術。　　在Breath Figure製作上，將Polystyrene、Polymethylmethacrylate與甲苯混合成高分子溶液，透過甲苯高揮發特性以帶走基板表面熱能，使環境中水分子冷凝於基板表面，待溶液蒸發完畢形成高分子微孔薄膜。本論文使用Dip Coating方式測試兩種拉升速度，900 mm/min與400 mm/min，以製作所需

之微孔薄膜。其所形成之微孔孔徑在拉升速度900 mm/min時介於 1.2 μm 至 3.8 μm之間，400 mm/min則是介於1 μm 至3.6 μm之間，而孔洞剖面為橢圓狀，在拉升速度900與400 mm/min膜厚分別為1.5、1.2 μm。　　接著於微孔孔洞內浸潤甘油形成甘油透鏡，將雷射光經由甘油透鏡二次聚焦達到熔融矽基板。在本研究中探討不同雷射功率與不同掃描間距對於所加工出結構之影響。其結果顯示在雷射以掃描間距20 μm、正離焦4.8 mm、雷射功率密度介於1.63×107~1.74×107 W/cm2能加工出矽微奈米結構，經由量測得知微峰結構直徑介於1.1~1.4 μm之間。在

拉升速度400 mm/min所加工出來的結構高度介於20~160 nm，而在拉升速度900 mm/min結構高度介於20~130 nm。