功率半導體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

半導體地緣政治學

為了解決功率半導體的問題，作者太田泰彦 這樣論述：

國家級戰略物資──半導體 霸權競爭舞台上，最致命的攻擊武器！ ▋地緣政治╳晶片大戰略 ▋   　　＼＼本書焦點議題／／ 　　【台灣爭奪戰】【習近平的100年戰爭】 　　【普丁與高加索矽山】【新加坡的祕密】 　　【環太平洋半導體同盟】【數位三國志開打】 　　【陸基神盾系統攻防戰】   　　美、中、歐、俄、台日韓爭相投資半導體供應鏈，砸下超過上兆美元，堪稱史上獲得最高補助款的單一產業。   　　全球政府為了守護晶片供應安全，強勢介入半導體供應鏈，不只加強防守，更試圖找出戰略咽喉點，透過掐住供應鏈其中一環，讓敵人舉國崩潰……   　　半導體如

何影響多極霸權的板塊角力？ 　　世界供應鏈正在發生什麼巨變？   　　本書作者憑藉超過35年的半導體產業報導經驗，精準分析20多國半導體產業的優勢與劣勢，清楚整理出國際鬥爭檯面下，各國真正的競合戰略，帶領讀者看見一顆小小的晶片，如何在全球地緣政治掀起巨大海嘯！   　　＼＼這些戰略物資，都搭載半導體／／ 　　✔5G基地台 ✔電動車 ✔雲端資料中心 ✔太空火箭 ✔戰鬥無人機 ✔反彈道飛彈系統   　　★剖析各國晶片戰略思維！ 　　．英國「以小搏大」：雖非半導體大國，但擁有全球供應鏈最上游的IC設計企業，能靠著控制關鍵節點影響全局！ 　　．美國「鎖國策略」：不

遵守國際分工邏輯，目標是在國內建立完整供應鏈，脅迫台、韓晶圓代工廠赴美設廠？ 　　．中國「特洛伊木馬」：擅長發動制海權，並用廣大的內需市場牽制他國，試圖用美國企業扳倒美國政府。 　　．荷+德+瑞士「歐洲半導體聯盟」：掌握全球最關鍵的光刻技術，透過建立聯盟，目標攻佔2奈米製程。 　　．阿拉伯「主權基金」：阿拉伯聯合大公國擅用投資、收購策略，掌握了美國最大的晶圓代工廠格羅方德的經營實權。 　　．新加坡「戰略模糊」：為什麼刻意在晶片產業保持戰略模糊？又為什麼渴望加深中美對立？   　　★半導體引發的各國勢力消長！ 　　．以色列提供的高端晶片，決定了土俄兩國在高加索地區「代理

人戰爭」的勝負！ 　　．一場併購造成英美兩國反目，一顆電動車用晶片導致德國反中。 　　．白宮邀請19位半導體企業執行長開會，為什麼刻意遺漏歐洲、日韓車廠？   　　★科技巨頭GAFA╳BATH的全球晶片布局！ 　　．Google的亞洲資料中心為什麼只設在台灣、新加坡？ 　　．騰訊、阿里巴巴為什麼重視深圳？這裡具備什麼特殊優勢？   　　★揭露半導體產業祕辛！ 　　．台積電為了平衡美中對立風險，採取哪些地緣政治避險策略？ 　　．短短半年內，台、日三家晶圓製造廠接連起火，幕後黑手究竟是誰？   本書特色   　　1. 提供第一手報導資料 　　作者

親自訪談包括：台積電、華為……等半導體公司董事長及高階主管，呈現企業對地緣政治的策略思考！   　　2. 圖表輔助．完整解說半導體供應鏈 　　從最上游的矽智財企業、IC設計，到中游的晶圓製造、代工，以及下游的封測、銷售，一網打盡分析各國在供應鏈中的市占率。   　　3. 涉及國家最多 　　涵蓋台、美、中、英、荷、比、法、義、土、俄羅斯、亞美尼亞、亞塞拜然、新、馬、日、韓……等超過20個國家。   　　4. 涵蓋企業最多 　　包含台積電、艾司摩爾、安謀、英特爾、中芯國際、長江存儲、三星電子、恩智浦……等超過40家半導體供應鏈上中下游企業。   一致推薦  

　　▷ 沈榮欽｜加拿大約克大學副教授 　　▷ 范琪斐｜資深媒體人 　　▷ 陳良基｜前科技部部長、臺大電機系名譽教授 　　▷ 陳松興｜東華大學新經濟政策研究中心主任 　　▷ 蔡依橙｜陪你看國際新聞 創辦人 　　▷ 謝金河｜財信傳媒集團董事長 　　▷ 顏擇雅｜作家 　　（按姓氏筆畫排序）   日本Amazon讀者五星推薦   　　★理應是嚴肅生硬的內容，讀來卻宛如戲劇般生動。作者以俯瞰的角度詳細寫出半導體對各國的重要性。不僅是日本政府或企業角度，包括美國、中國政府及企業界人士的採訪，內容相當豐富精彩。──YOKO   　　★原本應該是冰冷不帶

情感，以數字建構成世界的「半導體」，作者卻以「人」的聲音為軸心，生動描寫在數位化世界中，占重要角色的半導體。不禁令人思索，日本現今貿易政策與國家安全保障，是否達成平衡。──Yossarian   　　★1980年半導體的日美摩擦到現在，即使是對並不熟悉當時狀況的我這個世代而言，本書透過引述相關人士的言論，讓我看到日本面對的困境以及透出的一線曙光。──もんじゃ焼きが  

功率半導體進入發燒排行的影片

次世代電阻式記憶體與氮化鎵高電子遷移率電晶體物理機制研究

為了解決功率半導體的問題，作者鄭皓軒 這樣論述：

近年來5G通訊、人工智慧物聯網(AIoT)以及車用電子各項技術蓬勃發展，在高速運算、儲存容量與大功率操作的需求下，記憶體元件與功率電晶體的發展相當重要。在記憶體方面，隨著人工智慧物聯網時代的來臨，微控制器(MCU)將扮演相當重要的角色，而微控制器需使用大量的嵌入式記憶體(Embedded Memory)，嵌入式記憶體需要低操作功耗、高操作速度，並且能與半導體製程整合，在次世代記憶體中，電阻式記憶體最具有潛力。而在功率電晶體方面，過去以矽基元件的設計和技術開發經過了多次結構和製程優化更新，已逐漸接近矽材料的極限。而氮化鎵(GaN)為寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料的代表之一，相較

於矽材料，具有寬能隙( bandgap)、高臨界電場(critical electric field)、高電子飽和速度(electron saturation velocity)等特性，在電動車與 5G 通訊方面為極具優勢的材料，以氮化鎵(GaN)為基底的高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)日漸受到重視，顯現出氮化鎵在商業市場上的重要性以及未來的發展性。本論文針對電阻式記憶體以及氮化鎵高電子遷移率電晶體之性能進行相關研究。RRAM的元件目前以電晶體控制其開關(1T1R)作為嵌入式記憶體的主要結構。隨著莫爾定律的發展，電晶體的通道不

斷的微縮，電晶體可承受的電壓會越來越小，可能會逼近RRAM最大的操作電壓 – 形成電壓(Forming Voltage)，因此，如何降低形成電壓就會是一個重要的問題。本論文提出利用交流訊號進行Forming的步驟，使RRAM的Forming電壓下降，並且更進一步的設計出理想的操作波形，應用於嵌入式電阻式記憶體中。另一方面，由於嵌入式電阻式記憶體是RRAM串聯一電晶體，在Reset過程中，RRAM所獲得的電壓增加，造成電晶體的VGS減少，電晶體進入飽和區，使RRAM無法有效地增加操作窗口。因此，RRAM的操作窗口會受到電晶體的限制。除此之外，電晶體不只影響RRAM的操作窗口，也會影響RRAM的阻

態分部，因此，了解嵌入式電阻式記憶體操作過程中，RRAM與電晶體之間的關係，能夠有效降低嵌入式電阻式記憶體操作過程中電晶體的跨壓，就可以設計出低功耗/高性能嵌入式電阻式記憶體的架構。在氮化鎵高電子遷移率電晶體方面，考量安全因素元件的起始電壓須大於0，因此p-GaN HEMT因可達增強型(Enhancement-Mode, E-mode)為主要發展的元件，但是元件在關態時會產生嚴重的漏電流，故如何抑制元件漏電流是一重要議題。研究中發現p-GaN HEMT元件具有駝峰效應。分析其原因係在元件保護層中，因製程所產生的氫擴散至p-GaN層，進而產生次通道(Sub-channel)效應造成較大關態漏電。

另一方面，p-GaN HEMT閘極常見有Ni、Au和TiN等材料，不同材料間基本物理特性會影響元件的基本性能。然而，閘極金屬製程可能因為前驅物或電漿的轟擊，導致元件有前驅物殘留的污染、不平整的表面和較差的介面品質。此章節主要討論p-GaN HEMT漏電成因與不同閘極金屬製程對於之性能的影響。

半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)

為了解決功率半導體的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：

　　以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。   　　本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh

y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考   本書特色   　　●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。   　　●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。   　　●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 　 　　●適合大專以上學

校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。

第三代半導體碳化矽功率元件產業競合策略之研究

為了解決功率半導體的問題，作者周俊宏 這樣論述：

國際能源署(International Energy Agency, 簡稱 IEA)在 2021 的全球能源回顧報告中評估自 2020 年新冠肺炎對世界經濟的影響後，因相對應疫苗的推廣與普及造成經濟復甦後全球對於能源需求與二氧化碳排放量的影響；報告指出相較於 2020 年，總電力需求將增加 4.5%，二氧化碳排放也隨之增加 4.8%。即使在 2021 年的電力供應來源中，持續積極地以再生能源替代煤炭與天然氣方式發電，預計一半以上可由再生能源貢獻，即便如此，還是抵不過實際電力需求的成長，這將導致造成嚴重的空氣污染的煤炭使用繼續增加，影響達到2050 年全球能源系統淨零碳排放的目標。有鑑於能源環

保議題如碳中和的推行，新能源車取代傳統燃油車不僅蔚為風潮，也成為各國實際實現縮減碳足跡達到淨零碳排的手段之一。而碳化矽半導體為新能源車裡組成電驅與電力轉換器的關鍵元件，所以造成碳化矽半導體逐漸受到市場的注目；相較於傳統矽半導體，碳化矽為嶄新的藍海市場。不像傳統矽半導體供應鏈已發展成熟與專業分工模式，碳化矽產業的供應鏈中的關鍵技術仍然被少數的供應商把持，造成目前以垂直整合供應商為主要碳化矽產業的供應者，共同築起進入障礙的高牆。本研究以 A 公司為個案研究。A 公司為傳統矽功率半導體元件的國際垂直整合供應商，近年來由於無晶圓廠設計業者型態的傳統矽功率半導體元件的公司不斷的以低價進入市場，侵蝕 A

公司的市佔與營業額，促使 A 公司開始投入第三代半導體之碳化矽功率元件的開發。透過本研究所利用的五力分析了解A 公司的產業環境，PESTEL 分析了解總體的環境。以即透過商業模式九宮格分析，幫助 A 公司有系統的聚焦在目標市場需求，創造價值。期望本研究所提出的結論與建議，可以提供給日後業界與學界在研究相關碳化矽議題時的參考資源。