光世代1g/600m的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

國立交通大學 光電系統博士學位學程 林俊廷、祁甡所指導 何俊鴻的 數位訊號處理技術應用於下世代高速光纖無線通訊系統 (2015),提出光世代1g/600m關鍵因素是什麼,來自於光載微波訊號系統、下世代光纖無線通訊系統、毫米波傳輸、多天線輸入及多天線輸出技術、正交分頻多工調變、單載波調變、數位式光載訊號通訊系統、無線通訊系統、基頻演算法設計。

而第二篇論文國立中興大學 環境工程學系所 魏銘彥所指導 葉佳敏的 金屬氧化物修飾 CdS/SrTiO3 光觸媒催化水解產氫之研究 (2013),提出因為有 光催化產氫、三接面觸媒、硫化鎘、鍶酸鈦、模擬太陽光的重點而找出了 光世代1g/600m的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了光世代1g/600m,大家也想知道這些:

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數位訊號處理技術應用於下世代高速光纖無線通訊系統

為了解決光世代1g/600m的問題,作者何俊鴻 這樣論述:

本論文將對下世代光纖無線通訊系統應用於室內高速或室外點對點傳輸,提出三種光載無線訊號系統(Radio-over-Fiber, RoF),其中訊號頻段包含目前室內無線通訊(WiFi)、60-GHz及103-GHz,並針對三種頻段之訊號在系統層面遭遇的議題,提出對應的數位訊號處理技術或數位訊號調變予以討論及解決,並以數值模擬及實驗驗證技術於系統中提升無線傳輸速率及於未來光纖無線系統的應用潛力。針對光載微波通訊系統,我們提出寬頻數位式光載訊號系統技術(Digitized RoF)取代傳統類比式光載訊號系統,藉由加入類比數位訊號轉換介面,增加數位訊號處理技術於系統中之佈建及重組系統的能力。在考慮室內

寬頻數位式光載微波上傳系統接收高功率不平衡之多重通道訊號下,高功率干擾訊號將限制系統動態範圍及接受訊號的表現。在不增加整體系統複雜度的前提下,超取樣(Oversampling)搭配數位前端設計之數位濾波器抽取技術(Digital filter with decimation)將有效利用提高取樣率降低系統量化雜訊(Quantization Noise),進而提升系統訊雜比(Signal-to-Noise Ratio, SNR),進而提升系統中訊號對於干擾之容忍度,相較於使用高解析度數位傳輸系統,提出之作法將使系統達成低成本、低能量損耗同時具備高可調性(Flexible)和高重組性(Reconfi

gurable)。此外驗證超取樣增益將正比於系統頻寬,此研究利於未來室內數位光纖無線通訊系統之設計和發展。為提高無線通訊系統之傳輸容量,我們分別針對室內及室外提出60-GHz及103-GHz光載毫米波無線通訊系統。在室內60-GHz光纖無線通訊系統中,我們使用多天線輸入及多天線輸出技術(Multi-input and Multi-output, MIMO)提高無線傳輸容量,將造成系統已存在問題(I/Q不平衡、寬頻頻譜響應及無線通道狀態)複雜化。因此我們首先提出正交分頻多工訊號(OFDM)結合二對二天線多天線技術於60-GHz光纖無線系統,研究最佳化無線通道狀態後,並設計特殊訓練符元解決I/Q失

衡在多天線系統中之通道估測失準問題,並提出I/Q失衡補償演算法及遞迴位元存取演算法最佳化系統表現。此外我們利用低峰值功率比的單載波調變取代OFDM訊號,提出頻域等化器搭配I/Q失衡修正,並降低時域決策回饋等化器之複雜度。我們分別研究兩種單邊帶調變訊號搭載兩種保護區間於訊號連續性在系統表現及等化器表現的影響。在最佳化訊號條件下,我們也比較單邊帶單載波調變及OFDM訊號於多天線光纖無線系統表現。在103-GHz光纖無線通訊系統部分,我們使用兩個單電極馬赫氏光電調變器串接達成光倍頻,直接偵測產生103-GHz電毫米波,並討論單邊帶單載波調變與OFDM訊號中峰值功率對系統表現之影響。我們實驗驗證60-

GHz及103-GHz於光纖無線通訊系統之可行性,及應用數位訊號處理技術和數位訊號調變技術提升系統表現,達成未來室內及室外分散式天線光纖無線系統之應用可能。

金屬氧化物修飾 CdS/SrTiO3 光觸媒催化水解產氫之研究

為了解決光世代1g/600m的問題,作者葉佳敏 這樣論述:

氫氣具有高熱值 高能量轉換率及燃燒後不會排放污染性氣體等特性,、故其被視為新世代的主要替代燃料。而光催化產氫為利用太陽光、水以及光觸媒作為原料以合成氫氣的技術,於該反應過程中不會產生污染物,因此,該技術被視為對環境友善且具有發展潛力之產氫技術。由於光催化產氫成效至今仍因光觸媒對於太陽光能之應用率偏低及其電子與電洞易再結合而抑制觸媒還原產氫之能力,因此,為提升光催化氫氣產率,則需拓展觸媒光能應用率及增加觸媒催化活性。為了提升觸媒對太陽光能之應用率,本研究使用沉澱法合成可見光下具催化活性之硫化鎘(CdS)觸媒,並探討鍛燒氣氛對其晶相轉換之影響。研究結果指出當控制鍛燒氣氛為氮氣環境下時 由於可避免

CdO 不純物生成,,因此使硫化鎘於 600 oC 下鍛燒得以轉換成催化活性佳之六角晶格結構。為了增加觸媒之催化活性,本研究藉由複合半導體以及披覆金屬以延緩觸媒受光激發產生之電子-電洞對的再結合速率。本研究選用於紫外光照下具良好之還原產氫能力的商業化鍶酸鈦(SrTiO3)觸媒做為內層材料,並使用沉澱法將 CdS 複合於 SrTiO3 觸媒上,探討不同之 SrTiO3 複合比修飾觸媒之成效 研究結果指出 CdS/SrTiO3 觸媒之催化活性有隨 SrTiO3 的複合。比增加而逐漸提升之成效,其中,當 SrTiO3 的複合比為 3 wt.%時,最具有光催化活性。此現象歸因於 CdS 與 SrTi

O3 之還原電位差,CdS 受光激發產生之電子得以轉移至 SrTiO3 之導電帶上,進而達到分離電子-電洞對之成效。然而,當複合比增加至 5 wt.%時,CdS/SrTiO3 觸媒之活性則會因整體之吸光性質偏向紫外光波段而抑制其在於模擬太陽光照下之還原能力,故其展現了較差之催化表現。本研究進一步使用金屬修飾 CdS/SrTiO3 觸媒之表面,探討分別使用鉑(Pt)以及銅(Cu)做為電子接受角色時,其對於提升觸媒活性之成效。研究結果指出當以 Pt 做為三接面觸媒之修飾層時,由於其相較於 Cu 有較大之陰電性,故其對於電子之吸引力較佳,進而使電子-電洞對得以有效地分離。本研究亦探討不同之 Pt 披

覆量對於三接面觸媒活性之影響,由研究結果指出 Pt/CdS/SrTiO3 觸媒之催化活性隨著 Pt 披覆量增加而逐漸提升,然而,當披覆量超過 0.2wt.%時,則會抑制觸媒之活性。藉由 TEM 之分析結果顯示當 Pt 披覆量為 0.5 wt.%時,由於 Pt 容易團聚於觸媒表面並形成電子-電洞之再結合中心,進而抑制觸媒於模擬太陽光照下之催化活性 本研究成功地利用複合半導體改質及金屬表面修飾改質 CdS。,當 CdS 複合 3 wt.% SrTiO3 及披覆 0.2 wt.% Pt 時,由於具備拓展光能應用率及增加觸媒催化活性,因此有效地提升 CdS 光催化活性,由 120 μmolh-1g-1

提升至 681 μmol h-1g-1,提升幅度約為 4.7 倍。