價電子 變 自由電子的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

化學大圖鑑：伽利略科學大圖鑑3

為了解決價電子 變 自由電子的問題，作者日本NewtonPress 這樣論述：

　　★日本牛頓獨家授權，用精彩圖解多方延伸科學觸角 　　★符合一○八課綱學習素養，搭配大量全彩電腦繪圖，加強學習效果 　　★掌握終生受用的93個重要化學觀念，終生學習！ 　　──為什麼拿著熱咖啡罐，手也會變暖呢？ 　　──洗髮精跟潤絲精的差別在哪裡？ 　　──礦泉水跟負離子真的對身體有益處嗎？ 　　大家對化學的認識，如果只停留在課本上的知識而沒有活用，那就太可惜了。從用鉛筆在紙上寫字、聞到花香，到半導體的先端科技或核能發電，生活中處處都與化學有關；身體得以維持生命機能，也可以從化學來解釋。要好好認識這個世界，就要先了解原子跟元素的觀念。 　　日本牛頓授權的《化學大圖鑑

》分成四大部分，讀者瞭解物質的基本觀念之後，可以依自己的需求，選擇「生活中的化學」、「化學與人體」與「化學與科技」。《化學大圖鑑》整合了國高中課程的基礎知識，一跨頁一主題的方式，以簡明的文字與圖像說明學習重點，也呼應一○八課綱強調的學習素養，讓讀者不僅在考試中取得好成績，也能認識化學的趣味，在生活中活用化學。 系列特色 　　1. 日本牛頓出版社獨家授權。 　　2. 主題明確，解釋清晰。 　　3. 以關鍵字整合知識，含括範圍廣，拓展學習視野。  

價電子 變 自由電子進入發燒排行的影片

利用單層銦奈米粒子埋覆於雙抗反射層及含鉺摻雜螢光粉近紅外上轉換於金字塔結構矽太陽能電池以提升光電流與效率之研究

為了解決價電子 變 自由電子的問題，作者林韋丞 這樣論述：

本論文是透過整合(1)上轉換發光(Up Conversion, UC)材料嵌入於太陽能電池背面及(2)銦奈米粒子(Indium Nanoparticle, In-NPs)埋覆於正面氮化矽與二氧化矽所組成雙抗反射層之金字塔結構矽太陽能電池特性提升之研究。在常見太陽能電池，多數使用矽(Silicon)作為基板，針對矽晶太陽能電池 : (一) 在太陽光譜中，光能量若低於矽能隙值(1.12eV)的入射光子無法被矽吸收及轉換成電流，我們利用上轉換螢光粉，將無法被矽所吸收的近紅外波長光轉換成波長為670、810以及980 nm可被矽吸收之光子，以提升近紅外波段對太陽能電池光電流的貢獻；(二) 矽

與空氣兩者界面折射係數不同，入射光子在矽太陽能電池表面有較高的菲涅耳(Fresnel)反射耗損，我們利用銦奈米粒子(In-NPs)埋覆於氮化矽及二氧化矽所組成之雙抗反射層及沉積於表面金字塔結構之矽太陽能電池正面以降低表面反射，也利用金屬粒子表面電漿前向散射效應以提升矽晶太陽能電池之光電轉換特性。本研究透過場發射掃描式電子顯微鏡圖像分析、反射率、外部量子效率、暗態電流-電壓、及照光電流-電壓(I-V)等特性量測，分析比較此二種機制應用於太陽能電池上對光電特性的提升。本論文實驗中，分為兩大架構，架構一 : 分別在電池之背面先蝕刻 30 µm深度之不同覆蓋面積百分比(22.6、77.4%)的矽矩形槽

陣列結構，以此做為基準之參考電池再將不同重量百分比濃度(10、20、30 wt%)的上轉換螢光粉混合於二氧化矽溶液，利用旋轉塗佈技術將混合液填至30 µm深度之矩形槽陣列結構中及覆蓋一銀反射層於背表面上。驗證可吸收近紅外波段光子及轉換成可見光波長光子，而電池背部蒸鍍一層銀反射器是將上轉換往下放射之光子能再反射回矽吸收層，再次驗證上轉換提升額外的光電流。架構二 : 在架構(一)的電池正面沉積三種不同大小的銦奈米粒子(In-NPs)及覆蓋二氧化矽抗反射層，此舉得利用金屬奈米粒子表面電漿共振效應(Localized Surface Plasmon Resonance, LSPR)，提升矽晶太陽能電池

之光電轉換特性。 實驗數據分析顯示，架構一中，將上轉換螢光粉以30 wt%濃度旋塗於背電極面積百分比(77.4 %)的電池上會有最佳的提升效果，其照光J-V量測的光電流密度提升率為2.07 % (從38.74 mA/cm2至39.54 mA/cm2 )，轉換效率提升率為 3.55% (從13.59 % 至14.07 %)，如再蒸鍍一層銀反射器，其光電流密度提升率為2.77 % (從38.74 mA/cm2至39.81 mA/cm2 )，及轉換效率提升率為5.74 % (從13.59 % 至14.38 %)，兩者證實上轉換之功效在實驗架構二中，將架構一太陽能電池，於其正面再蒸鍍銦奈米粒子

(In-NPs)及覆蓋二氧化矽層後，其光電流密度會再提高，因此光電流密度提升率達到 5.55 % (從38.74 mA/cm2至40.89 mA/cm2 )及轉換效率提升率上升至 8.04 % (從13.59 % 至14.67 %)，相較於架構一，我們也證實銦粒子表面電漿子散射應對電池特性提升的貢獻。

高中化學超易入門

為了解決價電子 變 自由電子的問題，作者（日）齊藤勝裕 這樣論述：

本書向我們完整地介紹了化學原子、分子、物質的化學反應及無機化合物、有機化合物、高分子化合物、生物化學等各方面的基礎知識。本書主要有兩大特色：一是多用舉例或比喻手法，並配以插圖，通過輕松的語言文字，將生澀難懂的化學呈現在讀者面前；二是着眼於我們身邊的化學。本書將會讓你接觸到充滿生氣的、鮮活的化學，最大程度地呈現化學迷人的風采。閱讀本書完全不需要任何基礎知識，也不需要遵循一定的順序，從目錄中你感興趣的任意地方開始閱讀，都不會影響你的理解。如有不懂的術語和問題，可通過書后索引進行查閱。相信你讀完本書，一定會吃驚地發現「化學原來這麼有趣！」。杜玲莉，女，1976年7月生，樂山師范學

院副教授，西南交通大學日語語言學碩士畢業，從事日語教學16年齊藤勝裕，1945年5月3日生。1974年東北大學研究生院理學研究科博士課程結業。現任名古屋市立大學教授、名古屋產業化學研究所高級研究員、名城大學兼職講師、名古屋工業大學名譽教授等。理學博士。研究領域有有機化學、物理化學、光化學、超分子化學。主要著作有《漫畫學118個元素》、《快速掌握周期表》、《漫畫學有機化學》等。__eol__

濺鍍法中以空氣做為反應性氣體製備TiNxOy薄膜及其應用研究

為了解決價電子 變 自由電子的問題，作者蔡博丞 這樣論述：

本研究是以非平衡直流磁控濺鍍法利用空氣做為反應性氣體製備氮氧化鈦(TiNxOy)薄膜並探討其特性，分別以矽晶片、ITO玻璃和玻璃做為基材製備，藉由調控空氣比例成功製備出具不同特性之TiNxOy薄膜。以空氣(air)取代傳統氮/氧(N/O)混合氣體做為反應性氣體，在高背景壓力1.3×10-2 Pa (低真空)下可進行製程，此製程可大幅降低抽真空所需要的時間，更符合經濟環保效益。實驗參數主要是改變空氣/氬氣(air/Ar)流量比值0.10-0.50，固定工作壓力為0.26 Pa、鍍著功率350 W、鍍著時間20 min、基板偏壓-50 V等參數下，觀察TiNxOy在不同air/Ar流量比值下薄膜

顏色、結晶相、微結構、成分組成、電阻率、載子濃度與遷移率、穿透率以及電容值等性質之影響。另外有些部分會改變背景壓力為1.1×10-3 Pa(高真空)和鍍著時間製備TiNxOy薄膜，以做為對照及評估應用於透明導電薄膜之可行性。在air/Ar流量比值為0.10-0.25的製程區間內，隨air/Ar流量比值增加，薄膜顏色從接近金黃色→暗黃色→褐色→銀色→紫色之變化；且經X光繞射分析結果顯示薄膜從岩鹽型結晶之TiN→岩鹽型結晶之TiNxOy→非晶之TiNxOy；N/Ti比為0.23-1.05時，氧含量為7-58％；電阻率也從導體的140±10 μΩ-cm，逐漸增加至半導的3.52×106 μΩ-cm；

以霍爾量測得知，TiNxOy呈現n-type之半導體性質，薄膜內的主要載子為電子，其載子濃度與遷移率都隨air/Ar流量比值提高而下降，推測是薄膜氧含量增加會消除圍繞在Ti周圍的價電子即載子，價電子被氧原子牢牢地綁住，造成自由電子數量下降，即薄膜載子濃度與遷移率下降。air/Ar流量比值為0.25時，薄膜近乎透明並呈現半導性質，推測可能為接近氧化物的特性；最後，超級電容電極的性質測試，其面電容值從最高的165.53 mF/cm2隨air/Ar流量比值增加下降至最低的0.4 mF/cm2。本研究製備的TiNxOy薄膜成分組成經由XPS分析，薄膜內之N、O比例和空氣的N、O比例有所差異，是因為電漿

中N、O不同的解離能所導致，由於電漿中N的解離能比O的低，使N較容易被解離，且反應性氣體的氮、氧氣通入電漿並不會百分之百被解離，以及Ti、N、O在薄膜上表面能的差異，因此薄膜內和空氣所占的N、O比例會有所不同。裝飾性鍍膜應用評估方面，將薄膜顏色之變化機制可分為本徵色以及非本徵色這兩大類，本徵色範圍之薄膜呈現導電、結晶與不透明接近金屬的特性，薄膜內自由電子的數量多寡將使薄膜呈現不同的顏色變化，而O/Ti比上升，會消耗越多的自由電子，造成薄膜電子組態改變；而非本徵色範圍之薄膜呈現非晶、透明與不導電接近氧化物的特性，其電子因原子間鍵結為共價鍵，束縛力很強，自由電子數量很少，造成薄膜呈現透明的性質，且

因基材、薄膜厚度與視角不同，光產生干涉現象使薄膜呈現多彩的顏色。利用本研究簡易之製程，在裝飾性鍍膜上可具有廣泛的用途。透明導電薄膜應用評估方面，在air/Ar流量比值為0.15與0.20，改變鍍著時間以提升薄膜之穿透率，發現鍍著時間為1 min時，air/Ar＝0.15、0.20皆有最高之薄膜穿透率，但因為薄膜為非晶相，電阻率已接近絕緣；而鍍著時間為3 min、air/Ar＝0.15，薄膜穿透率為31％，電阻率也降為3440±30 μΩ-cm，是本研究目前較有機會製備出符合透明導電需求之薄膜。