c元素的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

c元素的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦李勝隆 寫的 金屬熱處理:原理與應用 和(美)唐納德·A.尼曼 著的 半導體物理與器件=Semiconductor Physics and Devices:Basic Principles,Fourth Edition:英文版都 可以從中找到所需的評價。

另外網站【亞果元素】ADAM PeAk2 USB-C to Lightning 充電傳輸線 ...也說明:【亞果元素】ADAM PeAk2 USB-C to Lightning 充電傳輸線200CM - 銀 · ◎ 蘋果原廠MFi認證◎ 支援iPhone與iPad系列PD快速充電◎ 最高達到30W(15V/2A) 供電◎ 內部金屬包覆 ...

這兩本書分別來自全華圖書 和電子工業出版社所出版 。

中原大學 化學工程研究所 劉偉仁所指導 曾子芯的 利用電漿輔助化學沉積提升鋰離子電池中富鎳三元正極材料電化學性能之應用 (2021),提出c元素關鍵因素是什麼,來自於鋰離子電池、富鎳三元正極材料、電漿改質、濺鍍、TiN 披覆、TiO2 披覆。

而第二篇論文南臺科技大學 機械工程系 吳忠春所指導 王冠霖的 不同熱處理參數對熱作模具鋼顯微結構與機械性質影響之研究 (2021),提出因為有 熱作模具鋼、麻田散體、殘留沃斯田體、二次回火、顯微結構、機械性質、衝擊韌性的重點而找出了 c元素的解答。

最後網站看了一眼曼联vs阿森纳的集锦,满... - @皇马新闻的微博精选則補充:看了一眼曼联vs阿森纳的集锦,满满都是渣团元素。 C罗进球之后,厄德高也取得进球,帮助阿森纳2-2追平。但之后又是厄德高送出点球,C罗主罚点球, ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了c元素,大家也想知道這些:

金屬熱處理:原理與應用

為了解決c元素的問題,作者李勝隆  這樣論述:

  面對數以萬計的材料與其熱處理組合,我們不可能瞭解到每一種組合所導致的材料性質變化,所以必須從原理來理解,此原理乃基於熱處理對材料的微結構變化,所導致相對應的材料性質改變;本書以材料基礎理論作為入門知識,所有熱處理之相變化現象均以理論為解說背景,循序漸進,期能達到對熱處理融會貫通的目的。引用的參考資料,除了大量熱處理研究理論與實務外,也有很多是作者之教學研究心得,為了表彰大家對金屬熱處理的貢獻,每章節都盡可能將所引用之參考資料列出。本書對象為大學院校及技術學院及工專各科系學生為主要對象,對金屬材料熱處理原理與實務有興趣的工程師都值得研讀。 本書特色   1.本書以材料

基礎理論作為入門知識,所有熱處理之相變化現象均以理論為解說背景,循序漸進,期能達到對熱處理融會貫通的目的。   2.涵蓋了材料表面硬化處理與輝面熱處理、材料性質檢測與分析等內容。   3.編寫方式盡量深入淺出並求完整,從基礎金屬材料科學開始,介紹了原子結構與鍵結、晶體結構、晶體的缺陷、差排與塑性變形、相平衡圖、相變化、材料之強化等基礎理論及現象,爾後分別介紹鋼鐵、鋁、鈦、銅、鎂等金屬材料之熱處理原理與實務。

c元素進入發燒排行的影片

電池・電気分解のポイントを全てまとめていくよ!

⏱タイムコード⏱
00:00 ❶金属のイオン化傾向

✅「金属のイオン化傾向」は「リッチに貸そうかな、まああてにすんなひどすぎる借金」
✅左に行けば行くほどイオンになりやすく、右に行けば行くほどイオンになりにくい。

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03:46 ❷ダニエル型電池

✅酸化還元反応でやり取りする電子のエネルギーを取り出そうとして作られたのが電池。
✅亜鉛と銅イオンの酸化還元をメインの反応として
亜鉛を片方の電極に、銅イオンをもう片方の溶液に配置した電池をダニエル電池という。
✅1番大事な反応を邪魔しないように残りを埋める。

✅ダニエル電池で聞かれるポイントは4つ!
❶亜鉛側は薄い溶液、銅側は濃い溶液にする。
❷溶液を仕切っている素焼き板の役割は
「溶液が混ざらないようにするため」と「陽イオンと陰イオンの数のバランスをとるため」。
❸電子を受け取る電極を正極。反対側の電極を負極。
活動している物質を、活物質という。
❹電子の流れと逆向きに電流は流れる。

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12:17 ❸鉛蓄電池

✅鉛と酸化鉛の酸化還元をメインの反応として
鉛と酸化鉛を電極に、硫酸を電極に配置した電池を鉛蓄電池という。
✅ダニエル電池で聞かれるポイントは2つ!
❶鉛蓄電池の充電は、もともと電子が動いていた方向とは逆向きに電子を流すように、外部電源をつなぐ。
❷電子を受け取る電極を正極。反対側の電極を負極。
活動している物質を、活物質という。

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17:25 ※ボルタ電池※本動画では扱いません。
https://youtu.be/tui1r19hE4Y

✅亜鉛と水素イオンから、亜鉛イオンと水素ができる酸化還元反応をメインの反応として亜鉛を片方の電極に、水素イオンをもう片方の溶液に配置した電池をボルタ電池という。
✅ボルタ電池にはしょぼいてんが3つ!
❶導線に電子が流れづらくなる点。
❷銅電極側で発生する水素が邪魔になる点。
❸銅電極側で発生した水素が水素イオンに戻る点。

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17:45 ❹電気分解

✅電気分解は、外部電源をつないで、電子を無理やり走らせて
酸化還元反応を起こすことで溶液にあるイオンを純粋な物質(単体)として取り出す操作のこと。
✅電源の負極に繋がっている電極を陰極。
電源の正極に繋がっている電極を陽極。という

✅陽極での反応は、
❶基本は、電極の金属が電子を渡す。
❷電極が白金や金、炭素のときは例外的に17族元素かOH-のイオンが電子を渡す。
❸電極も―のイオンも電子を渡せないときは、水が電子を渡す。

✅陰極での反応は、
❶電極は金属だから、電子を受け取ることは基本ない。
❷+イオンのイオン化傾向が、
亜鉛以下なら+のイオンが電子を受け取る
アルミニウム以上なら水が電子を受け取る。

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23:56 ❺電気分解の演習(陽極・陰極で起こる反応)

✅陽極での反応は、
❶基本は、電極の金属が電子を渡す。
❷電極が白金や金、炭素のときは例外的に17族元素かOH-のイオンが電子を渡す。
❸電極も―のイオンも電子を渡せないときは、水が電子を渡す。

✅陰極での反応は、
❶電極は金属だから、電子を受け取ることは基本ない。
❷+イオンのイオン化傾向が、
亜鉛以下なら+のイオンが電子を受け取る
アルミニウム以上なら水が電子を受け取る。

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27:16 ❻工業的製法

✅NaOHの工業的製法では、電極で反応が起こったあと、Na⁺が陽イオン交換膜を通ってNaOHの水溶液ができる。
✅Naの工業的製法では、NaClの結晶を水なしでガンガン加熱して、どろどろに溶かした融解液を使う。
-水がないことでNa⁺が仕方なく、電子を受け取ってNaができる反応が起こる。
-融解液を使った電気分解を融解塩電解という。
✅Alの工業的製法では、Al₂O₃融解液を使う。
-水がないことで、電極の炭素と融解液の酸化物イオンが仕方なく反応してCOやCO₂になる反応と、Al³⁺が仕方なく、電子を受け取ってAlができる反応が起こる。
-酸化アルミニウムの融点を低くするために、氷晶石を加える。
✅Cuの工業的製法では、
-陽極で、銅や亜鉛など、イオン化傾向が銅以上ものはとけだして、
-陰極で、銅イオンが銅になる反応が起こる。
-陽極で、銅よりもイオン化傾向が低いものは陽極泥として下にたまる。
-電気分解を使って不純物を取り除くことを電解精錬という。

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34:58 ❼電流A(アンペア)と電気量C(クーロン)

✅帯びている電気の大きさを電気量といってC(クーロン)と言う単位で表す!
✅電子1mol集めたら、96500Cの電気量を持って、これをファラデー定数という!
✅1秒あたり何Cの電気量が流れたか。これを表したのが電流で、A(アンペア)と言う単位で表す!

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👀他にもこんな動画があるよ!併せて見ると理解度UP間違いなし!👀
❶ボルタ電池の真実▶https://youtu.be/tui1r19hE4Y

❷半反応式の時短演習(暗記編)▶https://youtu.be/6CADxDty7go
✅抜け漏れがない100%完璧な状態になるまで演習しよう!

❸半反応式の時短演習(立式編)▶https://youtu.be/dtv6AUTMG3w
✅半反応式の立式は
❶まずは、何が何に変わるか。この部分は暗記。
❷酸化数の変化を電子でそろえる。
❸全体のプラスマイナスをH+でそろえる。
❹酸素の数を水でそろえる。
この手順で半反応式を作っていこう!


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ただ、どんなにビデオに情熱を注いでも、見てくれた人の感動する顔を見ることはできません。
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⏱時短演習シリーズ⏱
🧪無機化学🧪
❶ハロゲン元素
https://youtu.be/LOwCYpSKKfU
❷硫黄
https://youtu.be/Z7Zjxjg4_nU
❸窒素
https://youtu.be/X8WntLNbZ_c
❹気体の製法と性質
https://youtu.be/O5To2ko9EzE
❺アルカリ金属
https://youtu.be/T8sLlPkfqME
❻2族元素
https://youtu.be/FKSkIEo8yBE
❼両性元素(亜鉛・アルミニウム)
https://youtu.be/p4qo5yzl9dc
❽鉄・銅・銀
https://youtu.be/bIGiqM0PjNs
❾系統分離・無機物質
https://youtu.be/zHqCFnmuuLU

🧪有機化学🧪
❿炭化水素の分類
https://youtu.be/yuF9KTvdHQE
⓫脂肪族化合物
https://youtu.be/hzsvJiFeTk0
⓬油脂とセッケン
https://youtu.be/kugJgOD36a4
⓭芳香族炭化水素
https://youtu.be/yVclexf3z28
⓮フェノール類
https://youtu.be/GTyCuHgISR0
⓯カルボン酸
https://youtu.be/zPSMvrUYBe4
⓰芳香族アミン
https://youtu.be/iA2rc3wlsJ0
⓱構造決定
https://youtu.be/_nIDir874uw

🧪高分子化合物🧪
⓲合成高分子化合物
https://youtu.be/gAJOO9uMWyg
⓳天然高分子化合物
https://youtu.be/F-U21hzFjkw
⓴アミノ酸・タンパク質
https://youtu.be/Xh9bLkEndNg

🧪無機化学(重要反応式編)🧪
❶中和反応
https://youtu.be/29LhghjgYzQ
❷酸化物+水
https://youtu.be/BmyoYvdPvxg
❸酸化物と酸・塩基
https://youtu.be/hgp3geMeZQo
❹酸化剤・還元剤
https://youtu.be/wCAaQQW2WwY
❺遊離反応
https://youtu.be/DQhfTGMneQY
❻沈殿生成反応
https://youtu.be/UsJBzXw7EYg

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利用電漿輔助化學沉積提升鋰離子電池中富鎳三元正極材料電化學性能之應用

為了解決c元素的問題,作者曾子芯 這樣論述:

鋰離子電池作為一種新型的綠色能源,且具有多方面的優點,被廣泛應用於手機和筆記型電腦等數碼電子產品,純電動及混合動力新能源汽車,以及能源儲能系統之中。正極材料是鋰離子電池的關鍵組成,其不僅作為電極材料參與電化學反應,同時還要充當鋰離子源。理想的正極材料首先要有較高的化學穩定性和熱穩定性以保證充放電的安全,同時要有良好的電化學性能,具備較大的電容量與工作電壓、優良的循環和倍率性能。本實驗以廠商提供的商用富鎳正極材料粉末LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(NCM811)在經過混漿塗佈後,再利用電漿濺鍍的方式進行表面改質,其中我們選擇了氮化鈦以及氧化鈦作為改質材料,而在電漿處理上因應不同改質材料

的性質需選擇直流或射頻濺鍍。在電漿改質後,由於TiN良好的導電性與導熱性使其提升初始電容量至218.3 mAh/g,並且高溫下的循環穩定性在40圈以前依然維持在200 mAh/g,而後才漸漸有下降的趨勢,以及透過DSC可以看到放熱峰後移了53oC,安全性能也得到改善;TiO2因為是絕緣體,相對導電性沒有像TiN來的好,因此我們著重討論TiN改質。將TiN改質後的極片放在大氣環境下五天後,透過XPS可以明顯看出因TiN披覆而有效保護極片,使NCM811不與空氣中的CO2反應產生Li2CO3。將極片進行充放電50圈後,從SEM可以看出改質後的NCM顆粒被完整的保護,而原始的NCM811出現巨大的裂

痕,進而影響電化學表現。經由一系列改質後的極片之結構分析與電化學分析,認為電漿濺鍍能有效控制改質膜厚以及品質穩定性,並且在正極材料的安全性與循環穩定性皆有提升,值得注意的是電漿改質的方式是有望一次生產大量,因此是具有發展潛力的改質方式應用於正極材料。

半導體物理與器件=Semiconductor Physics and Devices:Basic Principles,Fourth Edition:英文版

為了解決c元素的問題,作者(美)唐納德·A.尼曼 著 這樣論述:

《國外電子與通信教材系列:半導體物理與器件(第四版)(英文版)》是微電子技術領域的基礎教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理及半導體器件物理等內容,分成三部分,共15章。第壹部分為半導體材料屬性,主要討論固體晶格結構、量子力學、固體量子理論、平衡半導體、輸運現象、半導體中的非平衡過剩載流子;第二部分為半導體器件基礎,主要討論pn結、pn結二極管、金屬半導體和半導體異質結、金屬氧化物半導體場效應晶體管、雙極晶體管、結型場效應晶體管;第三部分為專用半導體器件,主要介紹光器件、半導體微波器件和功率器件等。書中既講述了半導體基礎知識,也分析討論了小尺寸器件物理問題,具有一定的深度和廣度。另

外,全書各章難點之后均列有例題、自測題,每章末尾均安排有復習要點、重要術語解釋及知識點。美國新墨西哥大學電氣與計算機工程系教授,於新墨西哥大學獲博士學位后,成為Hanscom空軍基地固態科學實驗室電子工程師。1976年加入新墨西哥大學電氣與計算機工程系,從事半導體物理與器件課程和電路課程的教學工作。目前仍為該系的返聘教員。出版過Microelectronics Circuit Analysis and Design, Fourth Edition和An Introduction to Semiconductor Devices兩本教材。 第一部分 半導體材料屬性第1章固體晶

格結構11.0預習11.1半導體材料11.2固體類型21.3空間晶格31.3.1原胞和晶胞31.3.2基本的晶體結構41.3.3晶面和密勒指數61.3.4晶向91.4金剛石結構101.5原子價鍵121.6固體中的缺陷和雜質141.6.1固體中的缺陷141.6.2固體中的雜質161.7半導體材料的生長171.7.1在熔融體中生長171.7.2外延生長191.8小結20重要術語解釋20知識點21復習題21習題21參考文獻24第2章量子力學初步252.0預習252.1量子力學的基本原理252.1.1能量量子化262.1.2波粒二相性272.1.3不確定原理302.2薛定諤波動方程312.2.1波動方

程312.2.2波函數的物理意義322.2.3邊界條件332.3薛定諤波動方程的應用342.3.1自由空間中的電子352.3.2無限深勢阱362.3.3階躍勢函數392.3.4勢壘和隧道效應442.4原子波動理論的延伸462.4.1單電子原子462.4.2周期表502.5小結51重要術語解釋51知識點52復習題52習題52參考文獻57第3章固體量子理論初步583.0預習583.1允帶與禁帶583.1.1能帶的形成593.1.2克龍尼克—潘納模型633.1.3k空間能帶圖673.2固體中電的傳導723.2.1能帶和鍵模型723.2.2漂移電流743.2.3電子的有效質量753.2.4空穴的概念7

83.2.5金屬、絕緣體和半導體803.3三維擴展833.3.1硅和砷化鎵的k空間能帶圖833.3.2有效質量的補充概念853.4狀態密度函數853.4.1數學推導853.4.2擴展到半導體883.5統計力學913.5.1統計規律913.5.2費米—狄拉克概率函數913.5.3分布函數和費米能級933.6小結98重要術語解釋98知識點99復習題99習題100參考文獻104第4章平衡半導體1064.0預習1064.1半導體中的載流子1064.1.1電子和空穴的平衡分布1074.1.2n0方程和p0方程1094.1.3本征載流子濃度1134.1.4本征費米能級位置1164.2摻雜原子與能級1184

.2.1定性描述1184.2.2電離能1204.2.3III—V族半導體1224.3非本征半導體1234.3.1電子和空穴的平衡狀態分布1234.3.2n0和p0的乘積1274.3.3費米—狄拉克積分1284.3.4簡並與非簡並半導體1304.4施主和受主的統計學分布1314.4.1概率函數1314.4.2完全電離與束縛態1324.5電中性狀態1354.5.1補償半導體1354.5.2平衡電子和空穴濃度1364.6費米能級的位置1414.6.1數學推導1424.6.2EF隨摻雜濃度和溫度的變化1444.6.3費米能級的應用1454.7小結147重要術語解釋148知識點148復習題149習題14

9參考文獻154第5章載流子輸運現象1565.0預習1565.1載流子的漂移運動1565.1.1漂移電流密度1565.1.2遷移率1595.1.3電導率1645.1.4飽和速度1695.2載流子擴散1725.2.1擴散電流密度1725.2.2總電流密度1755.3雜質梯度分布1765.3.1感生電場1765.3.2愛因斯坦關系1785.4霍爾效應1805.5小結183重要術語解釋183知識點184復習題184習題184參考文獻191第6章半導體中的非平衡過剩載流子1926.0預習1926.1載流子的產生與復合1936.1.1平衡態半導體1936.1.2過剩載流子的產生與復合1946.2過剩載流

子的性質1986.2.1連續性方程1986.2.2與時間有關的擴散方程1996.3雙極輸運2016.3.1雙極輸運方程的推導2016.3.2摻雜及小注入的約束條件2036.3.3雙極輸運方程的應用2066.3.4介電弛豫時間常數2146.3.5海恩斯—肖克萊實驗2166.4准費米能級2196.5過剩載流子的壽命2216.5.1肖克萊—里德—霍爾復合理論2216.5.2非本征摻雜和小注入的約束條件2256.6表面效應2276.6.1表面態2276.6.2表面復合速度2296.7小結231重要術語解釋231知識點232復習題233習題233參考文獻240第二部分 半導體器件基礎第7章pn結2417

.0預習2417.1pn結的基本結構2417.2零偏2437.2.1內建電勢差2437.2.2電場強度2467.2.3空間電荷區寬度2497.3反偏2517.3.1空間電荷區寬度與電場2517.3.2勢壘電容(結電容)2547.3.3單邊突變結2567.4結擊穿2587.5非均勻摻雜pn結2627.5.1線性緩變結2637.5.2超突變結2657.6小結267重要術語解釋268知識點268復習題269習題269參考文獻275第8章pn結二極管2768.0預習2768.1pn結電流2768.1.1pn結內電荷流動的定性描述2778.1.2理想的電流—電壓關系2788.1.3邊界條件2798.1.

4少數載流子分布2838.1.5理想pn結電流2868.1.6物理學小結2908.1.7溫度效應2928.1.8短二極管2938.2產生—復合電流和高注入級別2958.2.1產生復合電流2968.2.2高級注入3028.3pn結的小信號模型3048.3.1擴散電阻3058.3.2小信號導納3068.3.3等效電路3138.4電荷存儲與二極管瞬態3148.4.1關瞬態3158.4.2開瞬態3178.5隧道二極管3188.6小結321重要術語解釋322知識點322復習題323習題323參考文獻330第9章金屬半導體和半導體異質結3319.0預習3319.1肖特基勢壘二極管3319.1.1性質上的特

征3329.1.2理想結的特性3349.1.3影響肖特基勢壘高度的非理想因素3389.1.4電流—電壓關系3429.1.5肖特基勢壘二極管與pn結二極管的比較3459.2金屬—半導體的歐姆接觸3499.2.1理想非整流接觸勢壘3499.2.2隧道效應3519.2.3比接觸電阻3529.3異質結3549.3.1形成異質結的材料3549.3.2能帶圖3549.3.3二維電子氣3569.3.4靜電平衡態3589.3.5電流—電壓特性3639.4小結363重要術語解釋364知識點364復習題365習題365參考文獻370第10章金屬—氧化物—半導體場效應晶體管基礎37110.0預習37110.1雙端M

OS結構37110.1.1能帶圖37210.1.2耗盡層厚度37610.1.3面電荷密度38010.1.4功函數差38210.1.5平帶電壓38510.1.6閾值電壓38810.2電容—電壓特性39410.2.1理想C—V特性39410.2.2頻率特性39910.2.3固定柵氧化層電荷和界面電荷效應40010.3MOSFET基本工作原理40310.3.1MOSFET結構40310.3.2電流—電壓關系——概念40410.3.3電流—電壓關系——數學推導41010.3.4跨導41810.3.5襯底偏置效應41910.4頻率限制特性42210.4.1小信號等效電路42210.4.2頻率限制因素和截

止頻率42510.5CMOS技術42710.6小結430重要術語解釋431知識點432復習題432習題433參考文獻441第11章金屬—氧化物—半導體場效應晶體管:概念的深入44311.0預習44311.1非理想效應44311.1.1亞閾值電導44411.1.2溝道長度調制效應44611.1.3遷移率變化45011.1.4速度飽和45211.1.5彈道輸運45311.2MOSFET按比例縮小理論45511.2.1恆定電場按比例縮小45511.2.2閾值電壓——一級近似45611.2.3全部按比例縮小理論11.3閾值電壓的修正11.3.1短溝道效應11.3.2窄溝道效應11.4附加電學特性11.

4.1擊穿電壓11.4.2輕摻雜漏晶體管11.4.3通過離子注入進行閾值調整11.5輻射和熱電子效應11.5.1輻射引入的氧化層電荷11.5.2輻射引入的界面態11.5.3熱電子充電效應11.6小結重要術語解釋知識點復習題習題參考文獻第12章雙極晶體管12.0預習12.1雙極晶體管的工作原理12.1.1基本工作原理12.1.2晶體管電流的簡化表達式12.1.3工作模式12.1.4雙極晶體管放大電路12.2少子的分布12.2.1正向有源模式12.2.2其他工作模式12.3低頻共基極電流增益12.3.1有用的因素12.3.2電流增益的數學表達式12.3.3小結12.3.4電流增益的計算12.4非理

想效應12.4.1基區寬度調制效應12.4.2大注入效應12.4.3發射區禁帶變窄12.4.4電流集邊效應12.4.5基區非均勻摻雜的影響12.4.6擊穿電壓12.5等效電路模型12.5.1Ebers—Moll模型12.5.2Gummel—Poon模型12.5.3H—P模型12.6頻率上限12.6.1延時因子12.6.2晶體管截止頻率12.7大信號開關12.7.1開關特性12.7.2肖特基鉗位晶體管12.8其他的雙極晶體管結構12.8.1多晶硅發射區雙極結型晶體管12.8.2SiGe基區晶體管12.8.3異質結雙極晶體管12.9小結重要術語解釋知識點復習題習題參考文獻第13章結型場效應晶體管1

3.0預習13.1JFET概念13.1.1pnJFET的基本工作原理13.1.2MESFET的基本工作原理13.2器件的特性13.2.1內建夾斷電壓、夾斷電壓和漏源飽和電壓13.2.2耗盡型JFET的理想直流I—V特性13.2.3跨導13.2.4MESFET13.3非理想因素13.3.1溝道長度調制效應13.3.2飽和速度影響13.3.3亞閩值特性和柵電流效應13.4等效電路和頻率限制13.4.1小信號等效電路13.4.2頻率限制因子和截止頻率13.5高電子遷移率晶體管13.5.1量子阱結構13.5.2晶體管性能13.6小結重要術語解釋知識點復習題習題參考文獻……第三部分 專用半導體器件附錄A

部分參數符號列表附錄B單位制、單位換算和通用常數附錄C元素周期表附錄D能量單位——電子伏特附錄E薛定諤波動方程的推導附錄F有效質量概念附件G誤差函數附錄H部分習題參考答案索引 出版本書第四版的目的在於將有關半導體器件的特性、工作原理及其局限性的基礎知識介紹給讀者。要想更好地理解這些基礎知識,就必須對半導體材料物理知識進行全面的了解。本書有意將量子力學、固體量子理論、半導體材料物理和半導體器件物理綜合在一起,因為所有這些理論對了解當今半導體器件的工作原理及其未來的發展是非常重要的。

不同熱處理參數對熱作模具鋼顯微結構與機械性質影響之研究

為了解決c元素的問題,作者王冠霖 這樣論述:

本論文運用光學顯微鏡(OM)、X-ray 繞射分析儀(XRD) 、輝光放電分光儀(GDS) 、掃描式電子顯微鏡(SEM)、X光能譜分析儀(EDS)、洛氏硬度試驗機(Rockwell hardness)、拉伸試驗機(Tensile test)、磨耗試驗機(Wear test)、衝擊試驗機(Impact test)、μ-X360n 可攜式 (X-ray) 殘留應力分析儀,來探討二次回火熱處理對SKD61與DIEVAR1.2367兩種熱作工具模具鋼顯微結構與機械性質之影響,同時針對Mo元素含量高低對熱作模具鋼熱處理特性影響作深入的研究。綜合本論文實驗結果顯示,(1) SKD61與DIEVAR1.2

367兩種熱作模具鋼固溶參數皆選擇1030℃,持溫30分鐘的固溶處理後水冷,冷卻速度愈快殘留沃斯田體比例越低、硬度會有所提升。SKD61在水冷後可析出V的碳化物(MC)在淬火時形成高硬度的碳化物使硬度提升,DIEVAR1.2367擁有將近2.5wt. % Mo元素在高溫下形成高硬度Mo的碳化物(M6C)對整體機械性質達到強化的效果,固溶後硬度表現比SKD61來的優異。(2)二次回火熱處理會使SKD61、DIEVAR1.2367兩種熱作模具鋼內的殘留沃斯田體轉變為麻田散體,細化麻田散體組織,在麻田散體內析出細小碳化物,使材料硬度值增加、延伸率提升、磨耗損失量減少,並獲得理想的機械性質。(3) S

KD61在一次回火500℃持溫2小時與一次回火500℃持溫2小時+二次回火500℃持溫6小時可達到硬度峰值HRC54但相對衝擊韌性表現較差,SKD61擁有較高的V元素會影響衝擊韌性,最佳參數為一次回火550℃持溫2小時+二次回火550℃持溫12小時,在長時間二次回火下二次析出硬化的碳化物細化均勻散佈於回火麻田散體基地,硬度可達到HRC53,且衝擊韌性提升至12J/cm2同時抗拉強度可達1436 MPa伸長率保持在30%,對整體機械性質有明顯的助益。(4) DIEVAR1.2367擁有較高的Mo元素可提升硬化能在高溫下不易軟化加上V元素減少可防止回火脆性,最佳參數為一次回火600℃持溫2小時+二

次回火550℃持溫6小時,硬度值可以擁有HRC52、衝擊韌性27J/cm2、抗拉強度達1687MPa,伸長率超過30%同時擁有高硬度、高韌性、高強度、極好的延展性等特性,具有良好的機械性質組合。(5) DIEVAR1.2367擁有比SKD61高1%的Mo元素及Si、V元素的減少在高溫下整體硬度、韌性、強度、延展性、耐磨耗性都比SKD61來的優異,未來在產業上有機會可以替代SKD61並運用在壓鑄模、擠壓和鍛造等使用條件較高溫應用的模具上。關鍵字;熱作模具鋼、麻田散體、殘留沃斯田體、二次回火、顯微結構、機械性質、衝擊韌性