Go through the proce的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和資訊懶人包

組織政治知覺與錯誤報告意願之關係

為了解決Go through the proce的問題，作者吳鳳翎 這樣論述：

前人研究發現組織政治知覺與錯誤報告意願可能有不清之關係，經由邏輯推理，組織政治知覺及其三個構面對部屬的錯誤報告意願有影響；不同的錯誤管理文化也對自變數與因變數之關係具干擾效果。本研究以問卷方式收集資料，本研究針對多個產業之全職工作者發出200份問卷，刪除無效問卷之後，有效問卷為143份，以層級迴歸分析進行研究假設之實證。 實證結果顯示組織政治知覺及其三個構面(一般政治行為、保持沈默靜待好處、薪資和升遷政策)對錯誤報告意願有負向之影響；另外錯誤管理文化對組織政治知覺及其三個構面與錯誤報告意願並未產生干擾效果。最後本研究依據實證結果提出實務建議與未來研究之建議。

分解水光觸媒之半導體結構分析

為了解決Go through the proce的問題，作者胡哲嘉 這樣論述：

具半導體性質的光觸媒材料，在太陽能轉化分解水產生氫氣及氧氣具有相當的潛力。本研究分別以鉭酸鈉觸媒在紫外光的應用及氮氧化鎵在可見光的應用分別進行論述說明。在第一部份，本研究利用溶膠凝膠法、水熱法及固相法合成具不同結晶結構的鉭酸鈉粉末，並利用Rietveld法對XRD繞射峰進行模擬適套，再以TEM電子繞射做驗證。XRD模擬及適套結果顯示，溶膠凝膠法合成之鉭酸鈉為單斜晶系(monoclinic)，其Ta–O–Ta鍵角為179度，水熱法及固相法合成的鉭酸鈉則為正交晶系(orthorhombic)，鍵角則分別為163及157度。在以波長為304奈米入射光激發時，鉭酸鈉觸媒會放出約450奈米波長的光。而

放出的螢光強度，則是以固相法合成的鉭酸鈉最強，溶膠凝膠法鉭酸鈉最弱，其趨勢和Ta–O–Ta鍵角相反。另一方面，光催化分解水的反應活性，則是和Ta–O–Ta鍵角趨勢相同．本研究顯示出Ta–O–Ta鍵角會影響光激發電子電洞對的分離速度，因此，若能改變Ta–O–Ta鍵角，將可有效提升發光效率及光催化反應活性。另外，本研究藉由摻雜鉀原子於鉭酸鈉觸媒內部取代鈉原子，改變結晶結構並提升其光催化反應活性。本研究以溶膠凝膠法合成所需之鉭酸鈉鉀觸媒，其中鉀取代的比例範圍介於0–20 %。當鉀摻雜量在5 %時，可有效的改變鉭酸鈉的結構成為類立方晶系。類立方晶系的Ta–O–Ta鍵角為180度，能提升光生電子電洞對的

遷移速度，使其傳導順暢並有效提高光反應活性。光致螢光光譜分析也證實了摻雜鉀可使鍵角接近180度，並能抑制電荷的再結合。但過量的鉀摻雜會導致雜相的生成進而使Ta–O–Ta鍵角偏離180度，並使缺陷產生而捕捉光生電子電洞對，因此其反應活性也隨之下降。本研究以適合的原子取代來改變鉭酸鈉的結晶結構並能有效提升光催化分解水反應活性。在這一部份裡，利用氧化鎳做為共觸媒，含浸於溶膠凝膠法及固相法合成的鉭酸鈉觸媒表面做為共觸媒，來增加光催化反應活性。以3 wt. %氧化鎳含浸於溶膠凝膠法鉭酸鈉及0.7 wt. %氧化鎳含浸於固相法鉭酸鈉可獲得最高的反應活性。若過量或過少的共觸媒，則會導致活性下降。本研究利用X

RD、HRTEM及電子繞射分析其結構。在低含浸量下，鈉及鎳離子會相互擴散，並在介面形成固態溶液型式的過渡區，並且無法觀察到明顯的氧化鎳顆粒。若再以氧化再還原處理，也無法有效提升光催化反應活性。因此當氧化鎳含浸量低時，會形成p型半導體氧化鎳及n型半導體鉭酸鈉相互摻雜的情況，並縮短介面空間電荷層的長度及加速電荷傳遞，而增加光催化反應活性。 第二部份中，本研究合成可見光光觸媒以提升太陽能頻譜的應用。首先為以氫氧化鎵做為前驅物在不同溫度下進行氮化反應合成氮氧化鎵(GaON)，其能隙在2.2到2.8 eV之間，並在添加犧牲試劑於可見光照下，具有分解水製氫及製氧的能力，在625及700度下合成的觸媒，具

有均勻的氮氧比，表示由氮2p及氧2p所混成的價電帶可有效提升載子的移動速，進而提升其光觸媒活性。而適當的氧氮－鎵的軌域混成，也是造成能隙縮小的原因，本研究以價帶控制的方式合成具備半導體性質的可見光光觸媒，並能有效提升太陽能的應用。 最後，延續前述的研究，以含銦的氫氧化鎵做為前驅物，在625度下進行氮化反應，利用銦的摻雜入氮氧化鎵內，在添加犧牲試劑於可見光照下，在摻雜濃度為In:(Ga+In)為0.5 %的情況下，具有最佳的分解水製氫及製氧能力，在更高比例的摻雜下，由XRD及TEM發現氮化銦的出現，而造成光觸媒活性的下降。本研究並利用XPS進行分析，發現由In/Ga及N/O混成的價電帶，具有較

好的價帶混成(dispersion of valence state)，也因此具有較佳的光觸媒活性。